附件简要技术要求

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1、附件：简要技术要求第一包序号设备名称技术要求和说明数量1传感器实验台1、传感器部分：称重传感器（双孔悬臂梁结构）；半导体应变计；工业用扩散硅压力传感器；高分子湿敏传感器；气敏传感器；压电加速度传感器；线性集成温度传感器；半导体热敏传感器；　标准K分度热电偶（数字温度表直接显示）光纤位移传感器；光电断续器；光敏传感器　电涡流传感器；半导体线性霍尔传感器；电感式传感器；差动变面积式电容传感器；　2、激励源部分：振动台：1～30Hz低频信号驱动，使梁及位移平台产生1～30Hz的振动；加热器工作电压15V；位移测量架由基架和测微头组成，调节范围0～10mm；3、信号

2、发生器、测量部分：3.1音频振荡器：0.4～10KHz，连续可调；3.2低频振荡器：1～30Hz，连续可调；3.3数字式电压/频率表：电压测量范围分0.2V、2V、20V三档，测量精度0.5%；频率测量范围0~20KHz，分2KHz、20KHz二档；4、处理电路部分：每个单元电路必须单独设置电源开关，减小地线干扰，从而提高稳定性。包括电桥、差动放大器、电容变换器、涡流变换器、相敏检波器、移相器、电荷放大器、电压放大器、低通滤波器、温度变换器、光纤变换器、步进电机控制器；5、数据采集器：由单片机完成数据采集，带标准RS232接口或USB接口与计算机通讯；提供计

3、算机实验操作软件。　在实验台上能够完成的实验内容：　　　1、箔式应变计性能－应变电桥　2、箔式应变计三种桥路性能比较　　　　3、箔式应变计的温度效应4、应变电路的温度补偿　5、半导体应变计性能　6、半导体应变计直流半桥测试系统　7、箔式应变计与半导体应变计性能比较208、移相器实验　　9、相敏检波器实验　10、箔式应变计交流全桥　11、激励频率对交流全桥的影响　12、交流全桥的应用－振幅测量　13、交流全桥的应用－电子秤　14、差动变压器性能　15、差动变压器零残电压的补偿　16、差动变压器的标定　17、差动变压器的振幅测量　18、差动螺管式传感器位移测量　

4、19、差动螺管式传感器振幅测量　20、激励频率对电感传感器的影响　　21、热电式传感器－热电偶　22、热敏式传感器测温实验23、P－N节集成温度传感器　24、光纤位移传感器－位移测量25、光纤传感器－转速测量　26、光电传感器转速测试　27、霍尔式传感器直流激励特性　28、霍尔式传感器交流激励特性　29、霍尔传感器振幅测量　30、霍尔传感器的应用－电子秤　31、电涡流传感器的静态标定　32、被测材料对电涡流传感器特性影响　33、电涡流传感器振幅测量　34、电涡流传感器称重实验　35、电涡流传感器测速实验36、磁电式传感器性能　37、压电加速传感器振动实验　3

5、8、电容式传感器特性39、扩散硅压阻式传感器实验　40、气敏传感器特性实验　41、湿敏传感器特性演示42、光敏电阻传感器实验　43、综合传感器－力平衡式传感器　44、双平行梁的动态特性实验等等实验内容由于是学生实验课用仪器，精度不做过多要求，但是要求仪器经久耐用，售后服务有保障。2标准电感、电容电感：0.0001~1（组合）规范指标规定的参数条件A环境温度：20±2℃，环境湿度：40～60％RHB测试频率：1000±20Hz，正弦波C额定工作电流1A各1套电容：0.001~10（组合）主要技术特性：1、电容以准确和损耗正切值在经期温度±20±2℃、相对湿度3

6、0~80%、工作频率为1000±20Hz、工作电压50V以下2、电容的温度系数，在﹢10℃到﹢35℃温度范围内不大于0.02%·℃3、电容器的额定工作电压50V。直流耐压250V。4、电容之稳定性，年变化率不超过基本误差的1/2。5、0.001µF、0.01µF、0.1µF精度：0.2级、0.5级。3色度实验装置波长范围200nm-800nm；焦距302.5mm；相对孔径D/F=1/7；波长精度±0.4nm波长重复性≤0.2nm；光栅1200L/mm、250nm闪耀。64恒温水浴温度范围℃10-100；温度波动度± 0.05℃；微机温控15搅伴器搅拌转速：1

7、00～1300r/min 定时范围：20-120分钟控温范围:室温～150℃控温精度：±1℃16电子分析天平称量范围82g精度:0.01mg；称量范围:220g精度:0.1mg17实验电炉真空/保护气氛下工作；气路连接采用卡箍式（非螺栓式）法兰快速连接*；炉体外壳温度超过50℃开启自动散热装置*；炉膛材料为耐火1800℃多晶莫来纤维；炉门磨角；最高温度1700℃；加热区长度260mm；恒温区长度130mm；硅钼棒加热；控温系统可编辑50段程序控制；石英管尺寸(mm)Φ100/90x1000；空炉升温时间<40分钟；额定功率4KW；额定电压220V；控温精度±

8、1℃；刚玉炉管；炉管最高工作温度1600℃；1配置炉