附件简要技术要求

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1、附件:简要技术要求第一包序号设备名称技术要求和说明数量1传感器实验台1、传感器部分:称重传感器(双孔悬臂梁结构);半导体应变计;工业用扩散硅压力传感器;高分子湿敏传感器;气敏传感器;压电加速度传感器;线性集成温度传感器;半导体热敏传感器; 标准K分度热电偶(数字温度表直接显示)光纤位移传感器;光电断续器;光敏传感器 电涡流传感器;半导体线性霍尔传感器;电感式传感器;差动变面积式电容传感器; 2、激励源部分:振动台:1~30Hz低频信号驱动,使梁及位移平台产生1~30Hz的振动;加热器工作电压15V;位移测量架由基架和测微头组成,调节范围0~10mm;3、信号

2、发生器、测量部分:3.1音频振荡器:0.4~10KHz,连续可调;3.2低频振荡器:1~30Hz,连续可调;3.3数字式电压/频率表:电压测量范围分0.2V、2V、20V三档,测量精度0.5%;频率测量范围0~20KHz,分2KHz、20KHz二档;4、处理电路部分:每个单元电路必须单独设置电源开关,减小地线干扰,从而提高稳定性。包括电桥、差动放大器、电容变换器、涡流变换器、相敏检波器、移相器、电荷放大器、电压放大器、低通滤波器、温度变换器、光纤变换器、步进电机控制器;5、数据采集器:由单片机完成数据采集,带标准RS232接口或USB接口与计算机通讯;提供计

3、算机实验操作软件。 在实验台上能够完成的实验内容:   1、箔式应变计性能-应变电桥 2、箔式应变计三种桥路性能比较    3、箔式应变计的温度效应4、应变电路的温度补偿 5、半导体应变计性能 6、半导体应变计直流半桥测试系统 7、箔式应变计与半导体应变计性能比较208、移相器实验  9、相敏检波器实验 10、箔式应变计交流全桥 11、激励频率对交流全桥的影响 12、交流全桥的应用-振幅测量 13、交流全桥的应用-电子秤 14、差动变压器性能 15、差动变压器零残电压的补偿 16、差动变压器的标定 17、差动变压器的振幅测量 18、差动螺管式传感器位移测量 

4、19、差动螺管式传感器振幅测量 20、激励频率对电感传感器的影响  21、热电式传感器-热电偶 22、热敏式传感器测温实验23、P-N节集成温度传感器 24、光纤位移传感器-位移测量25、光纤传感器-转速测量 26、光电传感器转速测试 27、霍尔式传感器直流激励特性 28、霍尔式传感器交流激励特性 29、霍尔传感器振幅测量 30、霍尔传感器的应用-电子秤 31、电涡流传感器的静态标定 32、被测材料对电涡流传感器特性影响 33、电涡流传感器振幅测量 34、电涡流传感器称重实验 35、电涡流传感器测速实验36、磁电式传感器性能 37、压电加速传感器振动实验 3

5、8、电容式传感器特性39、扩散硅压阻式传感器实验 40、气敏传感器特性实验 41、湿敏传感器特性演示42、光敏电阻传感器实验 43、综合传感器-力平衡式传感器 44、双平行梁的动态特性实验等等实验内容由于是学生实验课用仪器,精度不做过多要求,但是要求仪器经久耐用,售后服务有保障。2标准电感、电容电感:0.0001~1(组合)规范指标规定的参数条件A环境温度:20±2℃,环境湿度:40~60%RHB测试频率:1000±20Hz,正弦波C额定工作电流1A各1套电容:0.001~10(组合)主要技术特性:1、电容以准确和损耗正切值在经期温度±20±2℃、相对湿度3

6、0~80%、工作频率为1000±20Hz、工作电压50V以下2、电容的温度系数,在﹢10℃到﹢35℃温度范围内不大于0.02%·℃3、电容器的额定工作电压50V。直流耐压250V。4、电容之稳定性,年变化率不超过基本误差的1/2。5、0.001µF、0.01µF、0.1µF精度:0.2级、0.5级。3色度实验装置波长范围200nm-800nm;焦距302.5mm;相对孔径D/F=1/7;波长精度±0.4nm波长重复性≤0.2nm;光栅1200L/mm、250nm闪耀。64恒温水浴温度范围℃10-100;温度波动度± 0.05℃;微机温控15搅伴器搅拌转速:1

7、00~1300r/min 定时范围:20-120分钟控温范围:室温~150℃控温精度:±1℃16电子分析天平称量范围82g精度:0.01mg;称量范围:220g精度:0.1mg17实验电炉真空/保护气氛下工作;气路连接采用卡箍式(非螺栓式)法兰快速连接*;炉体外壳温度超过50℃开启自动散热装置*;炉膛材料为耐火1800℃多晶莫来纤维;炉门磨角;最高温度1700℃;加热区长度260mm;恒温区长度130mm;硅钼棒加热;控温系统可编辑50段程序控制;石英管尺寸(mm)Φ100/90x1000;空炉升温时间<40分钟;额定功率4KW;额定电压220V;控温精度±

8、1℃;刚玉炉管;炉管最高工作温度1600℃;1配置炉

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