单芯片应用实习报告

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1、单芯片应用实习报告班级：二技电一甲林桀民学号：AD89017相关知识MCS-51是Intel公司所设计的8051系列单芯片总名称在MCS-51这个大家族里较具知名度的编号有80518751&8031实际上这些不同编号的单芯片都使用相同的核心CPU与指令及只是在制造IC时给予不同的周边设计分别赋予这些IC一个特别编号主要功能：MCS-51系列单芯片的主要功能列举如下专为控制应用所设计的8位CPU有完整的单位元逻辑运算指令，具有布尔运算能力有32条(4个Port)双向且每条都可以被单独寻址的I/O内部有两个1

2、6位Timer/Counter有一个通信用的全双工UART(串行I/O)可接受5个中断源且有2层优先权的中断结构内部有时脉震荡器(最高频率可到12MHz)内部有4K的程序内存(ROM)，128byte数据存储器(RAM)可在外部扩充到64K程序内存(EPROM)可在外部扩充到64K数据存储器(RAM)8051内部结构方块图8051接脚图与功能(40)：若系统读取外部程序,接低电位/EA/Vpp/Psen高电位动作,系统重置,PC回到0000HRESET(9脚)串行通讯输出/入(P3.0,P3.1)RXD/

3、TXD外部中断输入(P3.2,P3.3)INT0/1计时计数器的输入(P3.4,P3.5)T0/T18位I/O端口,外接内存可做地址线P2.0~P2.7地址闩锁致能信号ALE/Prog外部数据的读取/写入(P3.7,P3.8)RD/~12MHZ的石英振荡晶体或陶质共振器，并各自接20PF~50PF的电容。重置电路：任何微电脑系统均有硬件重置功能，硬件重置主要用来确保CPU在开机时从程序的预定起始地址开始执行及当系统当机时使系统能重新开始，8051的重至信号输入脚为第9脚，此输入脚为高电位动作，且高电位至少

4、要维持2个机械周期也就是24个振荡周期。开机时RST脚电位为高电位促使系统重置，利用电容充电效应使RST接脚电位降成低电位，8051完成重置动作固定到程序内存地址0000H开始执行。8051内存介绍：8051的内存包含程序内存(ROM)和数据存储器(RAM)两种，他们分别有不同的用途，程序内存的作用是在储存所要执行的程序，而数据存储器用来存放在程序执行过程中所产生的数据，由于8051读取程序内存有专用控制线PSEN，所以程序内存和数据存储器二者选址时完全独立不相干。程序内存(ROM)结构：89C51的4K

5、程序内存中,有下列几个重要地址,若没有用到,就作一般程序内存使用，单芯片系统程序储存在程序内存(ROM)，一般8051/52提供4~8KBytes程序内存。使用者将编辑好的程序，经过组译(Assembler)、连结(Link)后，烧录到单芯片的ROM。如果采用89C51芯片，可重复烧录多次，每次烧录可将前一次烧录的程序自动清除。若采用8031芯片，由于本身没有内建ROM，所以必须采外部扩充内存TIMER0中断服务程序地址000BHTIMER1中断服务程序地址001BHUART串行通讯服务程序地址0023H

6、功能地址INT1外部中断服务程序地址0013HINT0外部中断服务程序地址0003HRESET程序开始执行地址0000H程序内存配置图单芯片数据存储器(RAM)结构：8051的数据存储器是随机存取的，使用者随时读取或写入数据，通常是用来当程序执行时存放数据的缓存器。SCON/SBUF1byteX2(98H/99H)PSOD/TL/TH6byte(88H~8DH)使用者直接寻址可设定SP建立堆栈区80byte30H~7FH个别位数据寻址8bit1620H~2FHR0~R7四个缓存器库8byte400H~1F

7、H数据存储器(RAM)是单芯片在执行程序时，储存处理数据的地方。一般8051/52提供128~256Bytes数据存储器。其中又可将它们区分为下列几项功能的缓存器与内存区：n[00~1FH]的32个字节可分为四个缓存器库，分别为RB0、RB1、RB2、RB3。每个缓存器库有8个缓存器，分别为R0、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7。n[20~2FH]的16位(2BYTES)可做直接位寻址，例如SETB 20H.0、CLR20H.1。n[30~7FH]80个字节的内存区又称为使用者RAM，可

8、以直接寻址存取资料，同时也可以由使用者透过设定SP，自定堆栈数据区。n[80~FFH]的128个字节数据，8031/8051芯片没有提供。在8031/8052芯片可做间接寻址数据区，或是可直接寻址的状态缓存器(SFR)使用。其中包括P0、P1、P2、P3端口的对应缓存器，以及稍候我们作UART通讯功能会用到的SCON串行控制缓存器、与定时器/计数器控制缓存器。熟悉这些内存的结构，对撰写单芯片程序会有很大的帮助。读者想自行撰写或