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1、芯片工艺流程学习报告白光PSS镜面片40BC五版光刻SputterITO反射电极芯片前段工艺下料工序：1.投料检查2.去In球（HCL）3.投料清洗（4H2SO4：H2O2）ABE-0014.检查芯片前段工艺PECVD（蒸镀站）:1.生长SIO2：CBL-2000A目的：作为平台（mesa）刻蚀屏蔽层和电流阻挡层（CBL）结构P-GaNMQWn-GaNsapphireSiO2芯片前段工艺MEA图形光刻：1.HMDS增粘剂2.匀正胶3.曝光4.显影目的：主要定义LED芯片发光面积P-GaNMQWn-GaNsapphireSiO2PRPR
2、PR芯片前段工艺ICP:1.ICP刻蚀2.去胶清洗3.ICP深度测量目的：露出n-GaN，制作N,P电极去胶前去胶后P-GaNMQWn-GaNSiO2PRPRPRsapphireP-GaNMQWn-GaNsapphireSiO2芯片前段工艺CBL（电流阻挡层）图形光刻目的：因为Pad不透光，为无效光，为提升发光效率，加上CBL使无效区的电子空穴在其他地方复合。方便将电极完全放在CBL结构中。P-GaNMQWn-GaNsapphirePRSiO2P-GaNMQWn-GaNsapphireSiO2PR芯片前段工艺CBL图形刻蚀：1.腐蚀S
3、IO2(氟化铵：氢氟酸20:1)，2.去胶清洗此步骤完成后,P层即已呈裸露状态P-GaNMQWn-GaNsapphireSiO2芯片前段工艺ITO蒸镀：在芯片表面镀制一层ITO薄膜,做为透明导电层;目前厂内的ITO镀膜技术有两种,分别为E-beam(蒸镀)及sputter(溅镀),此两种技术所完成之ITO薄膜特性不同,故需针对适当之产品进行分配;通常尺寸较大需要高亮度者使用sputter,而E-beam则适合亮度需求较低或尺寸较小之芯片ITO穿透率测量：96.3%电阻率：86.6ΩP-GaNMQWn-GaNsapphireITOSiO
4、2芯片前段工艺TCL图形光刻（ITO光刻）1.就单边Mesa侧壁至ITO边缘而言,其间距在5um左右;与CBL/Pad之间距相符;此数字也会与曝光机之对准能力有关2.Mesa与ITO之间距越小,亮度会越佳,因为其发光面积越大;但此数值已接近极限,再增加会有不稳定之风险TCL图形刻蚀（ITO腐蚀）ITO在侧壁上若腐蚀不净,轻则Ir良率下降orVf4下降;重则死灯,即使返工也不一定能完全救回，确认后需使用去胶液去胶。芯片前段工艺ITO光刻ITO腐蚀去胶P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2PRP-GaNMQWn-G
5、aNsapphireITOITOSiO2芯片前段工艺ITO合金：ITO退火RTA目的：1.高温合金(alloy)之方式使其材料成份中之氧所占之比例增加,来使ITO膜呈现高穿透率状态。2.高温合金条件可以让ITO与P层半导体达到良好之电性接触,也使LED之工作电压得以降到最低。片子由黄色变为白色。P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2芯片前段工艺PAD图形光刻：正装PN光刻负胶，其余都为正胶。目的：镀上金属电极之区域露出,其余不需镀到金属部分则以负性光刻胶遮起来。若显影不净,造成光刻胶残留,则会在后续发生掉电极现
6、象;但掉电极不完全是由显影不净所造成的。P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2PRPRPR芯片前段工艺Cr/Au蒸镀：蒸镀PN，CrAlTiPtAu-1.5μmTi：1-2颗，Al：1-2颗，Pt：4颗，Au根据厚度及坩埚重量加料6/9/12颗P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2PRPRPRPN金属金属蒸镀机芯片前段工艺PN电极剥离P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2P-PadN-Pad142225芯片前段工艺PECVD2：生长SIO2：PSV-760APAS
7、图形刻蚀目的：因为SiO2把PN电极之打线区都盖住,必需要让电极层露出以利打线,因此需再一次匀光刻胶以便后续腐蚀。P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2SiO2SiO2N-PadP-PadP-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2SiO2SiO2N-PadP-PadPRPR芯片前段工艺PAS图形刻蚀PSV去胶P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2SiO2SiO2N-PadP-PadP-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2SiO2SiO2N-Pad
8、P-Pad芯片前段工艺抽点：1.测试2.打线：推拉力测试3.自检4.品保抽检sWaferIDfYieldfVfAvgfVf4AvgfIvAvgfWdAvgfWdStdC16240R40BC2062495.28832.28
