半导体分立器件测试仪使用说明书

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1、半导体分立器件测试仪使用说明书资料介绍价格半导体分立器件测试仪 型号：NIBJ-2939该仪器充分吸收国外先进测试系统的特点，采用了先进的嵌入式计算机技术和优化结构技术、16位并行A/D和D/A技术、多级开尔文反馈技术、小信号精密测试技术以及阵列开关结构技术，并选用优质材料制作。在系统设计、选材、工艺、制作、调试、校验等诸多方面与国内现有同类系统相比均有较大突破，从而大大提高了系统的技术性能和可靠性，保证了该系统各项技术性能指标处于国际先进、国内领先的地位。其特点是：侧重于中小功率器件、测试品种

2、覆盖面广、测试精度高、电参数测试全、速度快、有良好的重复性和一致性、很高的工作稳定性和可靠性，很强的保护系统和被测器件保护能力。系统软件功能强大、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定可靠、硬件故障率极低，在实际测试应用中各项技术指标均可真实达到手册技术要求。系统采用方便易学的窗口菜单界面，在PC机窗口提示下，输入被测器件的测试条件，测试人员即可轻松快捷地控制系统，完成填表编程和开发测试程序、测试器件。操作人员不需具备专业计算机编程语言知识，使用简捷方便。3分钟即可完成一种测试编程，编写完成后输入

3、仪器即可测试。当然还可以在仪器下直接进行器件测试程序及条件的编写，方便灵活。系统和测试夹具均采用多级开尔文结构，自动补偿系统内部产生的任何压降，保证各种情况下测试结果的精度和准确性。优良的品质、低廉的价格、周到的服务使得该系统在国内市场具有强大的竞争实力。“高端的品质、低端的价格、周到的技术支持、全方位的客户服务”是无仪美达产品对市场和对客户的永恒承诺。 技术特征采用脉冲法测试参数、脉宽可为300μS，符合国军标的规定采用嵌入式计算机控制，实现脱机运行16位并行D/A、A/D设计，测试速度快、精

4、度高采用多级开尔文技术，系统稳定性高，测试结果准确采用三级保护技术，系统可靠，对被测器件无损伤丰富的WINDOWS界面菜单编程和控制能力、方便的用户信息文件、统计文件方式晶体三极管自动NPN和PNP中慧天诚判别能力，防止选错类型二极管极性自动判别选择，用户测试二极管不必注意极性完整的自检/自校准能力测试系统需要的其它多种数据后处理能力技术参数主极电压：200V主极电流：10mA控制极1电压：20V控制极1电流：10A控制极2电压：20V控制极2电流：1A电压分辨率：1mV电流分辨率：1nA测试速

5、度：器件不同速度也不同试器件种类测试功能更加强大，可测试八类中、小功率的半导体分立器件：二极管稳压（齐纳）二极管晶体管（NPN型/PNP型）可控硅整流器（普通晶闸管）双向可控硅（双向晶闸管）MOS场效应管（N-沟/P-沟）结型场效应管（N-沟/P-沟，耗尽型/增强型）光电耦合器上述所列类别包括各中、小功率半导体分立器件及其组成的阵列、组合、表贴器件。测试方法符合国家行业总规范、相应的国家标准、国家军用器件测试标准。提供上述各类器件测试所用的不同封装形式的测试夹具和测试适配器。可以定做各种阵列、组

6、合封装、表贴器件的测试夹具。帮助用户开发各种器件的测试程序。技术参数漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S、IDSS、IDOFF、IDGO、ICES、IGESF、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IR(OPTO)击穿参数：BVCEO  BVCES(300μSPulseabove10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBBBVR、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS增益参数：hFE、CTR、gFS导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON

7、、VF、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)、VGSTH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON 关断参数：VGSOFF触发参数：IGT、VGT保持参数：IH锁定参数：IL混合参数：rDSON、gFS测试盒说明：测试盒共有五种：1：可测二极管、稳压二极管；2：可测封装为TO-92、TO-220等三个管脚在一个平面上的三端器件；3：可测封装为TO-3及国内封装为F1、F2、F3、F4三端器件；4：可测三个管脚分三角形排列，且器件壳体为小圆型的小功率

8、三端器件；5：可测DIP4、DIP6、DIP8封装的光电耦合器；测试夹具：测试夹具有三根夹子线，与测试盒1配合使用，用来测试器件形状特殊，不能使用上述五种测试盒上的插座，则使用此三个夹子线直接夹在器件的管脚上进行测试。表贴器件其它表贴类型的器件，可根据实际器件的封装定做相应的测试盒。