第4章 半导体分立器件

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1、第4章半导体分立器件4.1半导体分立器件的命名方法4.2半导体二极管4.3半导体三极管4.4场效应晶体管4.5晶闸管4.1半导体分立器件的命名方法4.1.1国产半导体分立器件的命名法根据根据国家标准─半导体器件型号命名方法（GB249-74），半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表4-1。4.1.2国际电子联合会半导体器件命名法国际电子联合会半导体器件型号命名方法如表4-2所示。4.1.3美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号

2、命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表4-3所示。下一页返回4.1半导体分立器件的命名方法4.1.4日本半导体器件型号命名法日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS-C-702）命名的。日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号及意义如表4-4所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。上一页返回4.2半导体二极管二极管在电路中一般用VD表示，

3、常见二极管的图形符号如图4-1所示。4.2.1半导体二极管的分类二极管品种很多，大小各异，仅从外观上看，较常见的有玻璃壳二极管、塑封二极管、金属壳二极管、大功率螺栓状金属壳二极管、微型二极管和片状二极管，如图4-2所示。按其制造材料的不同，可分为锗管和硅管两大类，每一类又分为N型和P型。下一页返回4.2半导体二极管按其制造工艺不同，可分为点接触型二极管和面接触型二极管。按功能与用途不同，可包括检波二极管、整流二极管、开关二极管，稳压二极管、敏感二极管（磁敏二极管、温度效应二极管、压敏二极管等）、变

4、容二极管、发光二极管、光电二极管和激光二极管等。4.2.2半导体二极管的主要特性参数表征二极管性能的参数较多，且不同类型二极管的主要参数种类也不一样。一般常用的检波、整流二极管具有以下4个参数：上一页下一页返回4.2半导体二极管1．最大整流电流IF最大整流电流IF，也称二极管的额定正向工作电流，指的是二极管长期连续正常工作时允许通过的最大正向平均电流值。使用时，流过二极管的平均电流不能超过这个数值，否则二极管就会发热而烧毁。2．最高反向工作电压URM最高反向工作电压URM是指反向加在二极管两端而不

5、致引起PN结击穿的最大电压。使用中应选用URM大于实际工作电压2倍以上的二极管，如果实际工作电压的峰值超过URM，二极管将被击穿。上一页下一页返回4.2半导体二极管3．反向饱和漏电流IRMIRM指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流。由于载流子的漂移作用，二极管截止时仍有反向电流流过PN结，该电流受温度及反向电压的影响。IRM越小，二极管的单向导电性能越好。4．最高工作频率fMfM是指保证二极管单向导电作用的最高工作频率。由于PN结的结电容的存在，使二极管所能应用的工作频率有一个上限。若信

6、号频率超过此值，管子的单向导电性将变坏。上一页下一页返回4.2半导体二极管4.2.3几种常用半导体二极管1．整流二极管整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管多数采用平面接触型，硅材料制成金属封装或塑料封装的二极管，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高，但PN结的结电容比较大，一般应用于频率不高的电路中。2．检波二极管检波(也称解调)二极管是利用PN结单向导电性，将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，广泛应用在半导体收音机、收录机、电视机及

7、通信等设备的小信号电路中。检波二极管多采用点接触结构，多采用玻璃或陶瓷外壳封装，以保证良好的高频特性。上一页下一页返回4.2半导体二极管3．开关二极管开关二极管就是为在电路中实现“开”或“关”二设计制造的一类二极管。开关二极管具有单向导电的特性，在正向偏置下导通，且导通电阻很小，约几十至几百欧；在反向偏置下截止，且截止电阻很大，硅管在10兆欧以上，锗管也有几十至几百千欧。利用这一特性，开关二极管在电路中对电流起到“接通”或“关断”的开关作用。开关二极管多以玻璃或陶瓷外壳封装，具有开关速度快、体积小

8、、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用在自动控制电路中。上一页下一页返回4.2半导体二极管4．稳压二极管稳压二极管，是利用PN结反向击穿后，其端电压在一定范围内基本保持不变的特性而制成的。稳压二极管是一种齐纳二极管，在电路中专门用来稳定电压的。稳压二极管一般采用硅材料制成，其封装形式有塑料封装、金属封装和玻璃封装。目前应用较多的为塑料封装稳压二极管。稳压二极管的主要参数是稳定电压UZ和最大工作电流IZM。上一页下一页返回4.2半导体二极管（1）稳定电压UZ稳定电压是指稳压二极管在起稳压