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1、epoxydieattch和eutecticdieattach把半导体芯片粘接到混合电路基片,管座,组合件等器件上去,当前主要采用二种方法:一种叫共晶粘片(EUTECTIC);另一种叫环氧树脂粘片(EPOXY,下面简称银浆粘片).共晶粘片是把金属用低温溶化,使其原子接触熔融.我们知道,每一金属组织起码有一个合成物的熔点比其内部其它合成物的熔点来得低.这一合成物又称谓共晶合成物(来自希腊语EUTEKTOS,意思是容易熔化的).它的熔化温度又称共晶温度.共晶粘片一般都采用焊料(PREFORM),除非管芯背面镀有足够数量的纯金.焊
2、料是一层薄薄的合金,可以是金锡(Ausn),金硅(AuSi),金锗(AuGe)等等.共晶需用热,温度高低取决于管芯材料的焊料的种类.以下是几种常用焊料的熔点:80Au,20Sn=280℃熔点88Au,12Ge=356℃熔点98Au,2Si=370℃熔点共晶粘片时,焊料尺寸应该是管芯尺寸的80%,厚度一般在0.5-1密耳对于无经验的操作者来说,使用焊料会给他们带来困惑.最常见的问题是基座(HeaterBlock)的温度低于共晶温度.在这种情况下,焊料仍能熔化,但没有足够的温度来扩散芯片被面的镀金层,而操作者容易误认为焊料熔化就
3、是共晶了.另一方面,用过长的时间来加热基座会导致电路金属的损坏,可见共晶时温度和时间的控制是十分重要的.除了温度和时间之外,管芯被面的金属化也十分关键.如管芯被面污染,就不能扩散,如管芯被面太粗糙或镀金不均匀,就会造成共晶不良.不过,目前许多厂家在制器件时已在硅片上镀了金,这无疑方便了共晶粘片银浆粘片比较简单，把导电银胶按照1比1配好以后搅拌15分钟，然后点到指定位置，把芯片放上后轻轻压下，放入烘箱150度60分钟就OK了还是EPOXY比较牢固DB大致可分为3类,一为共晶焊(EutecticBonding),一为Sn/PbS
4、oft-Solder焊,另一为银胶焊(AdhesiveBonding).对每一种各有优缺点;一般而言,Euteciticbonding适用于DieSize较小的晶粒(<1mm),Soft-solderBonding适用于大晶粒(1~6mm),且较多为Power产品,对导热,导电性能要求较高.AdhesiveBonding适用于大DieSize(>1mm),相对于Soft-solderBonding,导电,导热性能要差一点,但速度要快得多且不含Pb.且目前有些银胶的导热,导电也有很大的提升,因此AdhesiveBonding大
5、有取代Soft-solderBonding之势.SOFTSOLDERDIEBONDSn/PbSoft-Solder焊,softsolder按焊料温度分高温焊料、低温焊料，按焊料成份分含铅焊料，无铅焊料。在欧洲基本已禁止生产含铅焊料，国内在华南地区也以无铅焊料为主，华东地区多以含铅焊料为主。DIEBONDER生产公司包括TOSHIBA（基本不销售到国内）、ESEC、NEC、ASM、TOSOK等。如何精确控制共晶焊温度看背金的成份才可以决定，主要控制要素：LF的的预热够不够；BONDING的温度当然也很重要；POSTBOND的温
6、度需要看是否会引起LF的变形和氧化，温度落差大容易变形和氧化，现在使用PACKAGE主要由TO92，SOT等；LF厚度决定其热容量；背金影响；芯片大小；DIEBONDER轨道长度加热功率等等。这需要PROCESS的试验才可以得出合适的温度曲线共晶焊(EutecticBonding)对于大一点的芯片较难控制是的，因为芯片越大，温度越高，内部应力越大，很容易裂片的，而且背金也会结合不到完全。共晶黏结法利用金-硅合金在3wt%硅，363℃时产生的共晶(Eutectic)反应特性进行IC芯片的黏结固着。常见的方法为将IC芯片置于已镀
7、有金膜的基板芯片座上，再加热至约425℃藉金-硅之交互扩散作用而形成接合，共晶黏结通常在热氮气遮蔽的环境中进行以防止硅之高温氧化，基板与芯片在反应前亦须施予一交互磨擦(Scrubbing)的动作以除去氧化表层，增加反应液面的润湿性。润湿不良的接合将导致孔洞(Voids)的产生而使接合强度与热传导性降低，同时也会造成应力分布不均匀而导致IC芯片破裂损坏。为了获得最佳的黏结效果，IC芯片背面常先镀有一薄层的金并在基板的芯片座上植入预型片(Preform)，预型片一般为约25mm厚，其面积约为芯片三分之一的金-2wt%硅合金薄片，
8、使用预型片可以弭补基板孔洞平整度不佳时所造成的接合不完全，因此在大面积IC芯片之黏结时常被使用。因为预型片并非金硅成份完全互溶的合金，其中的硅团块仍然会发生氧化的现象，故黏结过程中仍须进行交互摩擦的动作并以热氮气遮护之；预型片亦不得过量使用，否则所造成材料溢流对构装的可靠度有害。预型片亦可
