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时间:2018-03-31
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1、先上个图,这是值得研究的波形四个点①②③④,绿色的为MOS驱动波形,紫色的为MOS电流波形,蓝色的为Vds波形今天分享第①个点波形产生的原因:第①个点就是传说中的米勒效应平台,再上个MOS管的图:三个电容分别为MOS的结电容,这里不多说。在MOS导通的瞬间,会经过米勒效应区(可理解为放大区),输入电容Cgs=C1+C2,此时的C1不再是静态的电容,而是C1=Cdg(1+A),A是放大系数。当驱动电流(Ig=Cgs*dVds/dt)给Cgs充电时,由于米勒效应等效到输入端的电容会放大N倍,输入电容突然增大,所以
2、导致了充电电压的一个平台,有时甚至会有一个下降尖峰趋势平台(如上图),而这个平台增加了MOS的导通时间,造成了我们通常所说的导通损耗。其实米勒效应描述的就是电子器件中输出和输入之间的电容反馈。 上图中,Ls为漏感,Lm为激磁电感,Cs为分布电容,Cd和Cds分别为肖特基和MOS的结电容。下面分析②点电流尖峰波形产生的原因:在开关导通之前,输入电压和电感的感应电动势对结电容Cds和分布电容Cs进行了充电,在Q1接通的瞬间,Cs和Cds瞬间放电,产生电流(①路线和③路线)叠加到MOS管。如果是反激的话,次级关断
3、,D1由于结电容产生反向恢复电流,经过线圈反射到初级,如上图的②路线。如果是DCM模式,由于二极管中在MOS导通前已经没有电流存在了,所以在DCM中这部分尖峰电流没有。总结一下:就是由上面的①②③个通路产生了开通瞬间的那个电流尖峰。 如有误区,请大家指出!先讲第④点吧,因为第③点我暂时也说的不清楚, 这个看起来图比较明显,为什么在DCM模式下才会有这个振荡?我们知道在DCM模式下,有一段初级电流和次级电流都为0的死区时间,在这段时间内,初级激磁电感Lm会产生反电动势去阻碍初级电流为0(电感总是阻碍电流的变化
4、),Cds先是放电,等放到Vin时,Lm两端电压相等(因为Lm>>Lk,忽略Lk),为阻碍电感电流为0,Lm产生反电动势,同时对Cds进行充电,当充电电压到Vin+Vor时,Cds又开始放电,如此反复发生阻尼振荡,就产生了我们看到的这个波形,谐振频率f=1/2π根号下(Lm+Lk)*Coss。而Vds前面那个尖峰振荡频率高很多,是因为只有Lk和Cds发生阻尼振荡,谐振频率f=1/2π根号下Lk*Coss。欢迎大家提出疑问!在副边整流二极管开通后,原边漏感储存的能量一部分进入了RCD吸收电路,一部分给MOS管D
5、S电容充电,在MOS管管断后,VDS电压最高充电到输入电压+反射电压+尖峰电压。当吸收阶段完成后,由于MOS管DS电压高于输入电压+反射电压,接下来是不是DS电容与漏感会产生一个谐振?MOS管输出电容通过漏感给输入充电,由于漏感很小,反向电流相对较大,而这个电流时通过取样电阻的。同时由于这部分能量很小因此很快就衰减到零。我只能理解到这一点,不知道对不对。我说的是MOS管的DS电容,这个电容是跟MOS管并联在一起的,当MOS管开通的时候,DS电容放电,电流由电容上端经MOS管的D到达MOS管的S,然后回到电容的
6、下端,因此这个电流是不会通过取样电阻的。(电流到了S脚不一定会流过取样电阻,你可以单独对MOS管DS之间的电容画个通路,看看他流过不流过取样电阻
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