集成电路cad课程设计

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1、集成电路CAD课程设计指导书一、目的和要求课程设计是教学中的一个重要环节，对学生来说是一次工程技术工作的锻炼，通过课程设计，学生不仅可以系统地复习、巩固本课程的基本知识，而且还可以学到解决工程实际问题的方法。通过课程设计，学生应达到以下要求：1.掌握集成电路版图设计流程；2.掌握6S06DPDM工艺流程和版图几何设计规则；3.掌握九天系统ZeniPDT设计流程和ZeniVER验证流程；4.熟练使用ZeniPDT版图编辑器和ZeniVER验证工具；5.熟练绘制基本门电路和宏单元的版图。6.撰写总结报告总结报告是

2、学生对课程设计全过程的系统总结，学生应按规定的格式编写设计说明书，说明书的主要内容有：①课题名称②设计任务和要求。③方案选择与论证。④对过程中出现的问题进行分析，并说明解决的措施。⑤收获体会、存在的问题和进一步的改进意见等。二、主要内容1.CMOS传输门主从结构D触发器的版图设计；2.输入保护电路的版图设计；3.驱动输出单元的版图设计。三、设计软件1、ZeniPDT和ZeniVERI；2、Exceed登陆工具。16四、成绩评定课程设计结束后，教师将根据以下几方面来评定成绩：1、设计方案的正确性与合理性。2、能

3、较好地掌握和使用版图设计工具，具备分析解决问题的能力以及创新能力等。3、总结报告。4、答辩情况（方案的论证和回答问题的情况）。5、设计过程中的学习态度、工作作风和科学精神。附录1、6S06DPDM工艺版图几何设计规则附录2、ZeniPDT设计流程附录3、ZeniVER验证流程附录4、CMOS传输门主从结构D触发器电路图附录5、输入保护电路附录6、输出电路16附录1、6S06DPDM工艺版图几何设计规则一、工艺介绍ProcessName:6S06DPDM-CT01Technology:0.6umNumberof

4、PolyLayers:2NumberofMetalLayers:2ProcessDescription:Generic0.6umSiGateCMOSTwinwelldoublepolydoublemetalprocessPolyGateType:polyonlyGateVoltageType:5V/3.3V二、层次图示16三、几何设计规则1．N阱编号描述尺寸（um）8.1.1N阱最小宽度3.08.1.2N阱最小间距4.8不同电位8.1.3N阱最小间距1.5相同电位8.1.4N阱内N阱覆盖N+有源区0.48.1

5、.5N阱到N阱外N+有源区的距离1.88.1.6N阱内N阱覆盖P+有源区1.88.1.7N阱到N阱外P+有源区的距离0.4162、有源区编号描述尺寸（um）8.2.1有源区最小宽度0.6互连8.2.2有源区最小宽度0.8沟道宽度8.2.3有源区最小间距1.2163、多晶硅1编号描述尺寸（um）8.4.1多晶硅1最小宽度0.68.4.2多晶硅1最小间距0.758.4.3用于N沟多晶硅1最小宽度0.68.4.4用于P沟多晶硅1最小宽度0.68.4.5栅伸出有源区的露头0.68.4.6多晶硅1到有源区的间距0.38

6、.4.7有源区对关联栅的覆盖0.7164、多晶硅2编号描述尺寸（um）8.6.1用于电容的多晶硅2最小宽度1.2用作电容上电极8.6.2电容下电极上的最小间距1.08.6.3多晶硅2到有源区的最小间距0.58.6.48.6.58.6.6多晶硅2不能与有源区相交8.6.7多晶硅2最小宽度0.8互连8.6.8多晶硅2最小宽度1.0用作电阻8.6.9多晶硅2不能用作栅165、N+/P+扩散层编号描述尺寸（um）8.7.1/8.8.1N+/P+最小宽度0.98.7.2/8.8.2N+/P+最小间距0.98.7.3/8

7、.8.3N+/P+覆盖有源区0.58.7.4/8.8.4N+/P+与有源区的距离0.758.7.5/8.8.5N+/+P与N/P沟多晶硅栅的距离0.75N+、P+不能相交，可相切166、接触孔编号描述尺寸（um）8.9.1接触孔尺寸0.6*0.6一般取最小8.9.2最小间距0.78.9.3有源区覆盖接触孔0.48.9.4多晶硅1覆盖接触孔0.48.9.5多晶硅2覆盖接触孔0.48.9.6有源区接触孔与多晶硅1栅的间距0.68.9.7多晶硅1/2上接触孔与有源区的间距0.68.9.8多晶硅1上接触孔与多晶硅2的

8、间距1.88.9.9栅区上不能有接触孔167、金属层1编号描述尺寸（um）8.10.1最小宽度0.98.10.2最小间距0.88.10.3金属层1覆盖接触孔0.3168、通孔编号描述尺寸（um）8.11.1最小宽度0.7*0.7一般取最小8.11.2最小间距0.88.11.3通孔不能放在有源区上8.11.4通孔与接触孔不能相交8.11.5通孔不能放在多晶硅电容上8.11.6通孔不能放在多晶硅栅上8.