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时间:2020-08-02
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1、实验6使用L-Edit画PMOS版图6.1实验目的及要求1.了解L-Edit软件及其环境,掌握各个工具栏的作用,了解基本快捷键的操作;2.掌握L-Edit的基本操作;3.了解版图设计方法和流程;4.掌握版图设计方法。6.2相关知识L-Edit是TannerPro工具软件中的一个软件包,可以在同一窗口中进行版图设计、设计规则检查、网表提取、标准单元自动布局与连线等工作。配合在S-Edit中建立的相应电路,可以在TannerPro提供的另一个工具LVS完成布局与电路的比对。本实验将详细介绍使用L-Edit画出PMOS版图的
2、步骤,引导学生掌握L-Edit的基本操作。6.3实验内容及步骤1)打开L-Edit程序2)替换设置:选择“file(文件)”“ReplaceSetup(替换设置)”命令,单击出现的对话框Fromfile下拉列表右侧的Browser按钮,选择“....MyDocumentsTannerEDATannerToolsv13.0L-EditandLVSSPRLightsLayoutlights.tdb”文件3)环境设定:绘制布局图,必须有确实的大小,因此要绘图前先要确认或设定坐标与实际长度的关系。选择“Se
3、t(设置)”“Design(设计)”命令,打开SetupDesignLayout对话框4)绘制NWell图层:L-Edit编辑环境是预设在P基底上,故不需要定义出P型基底范围,而在P型基底上制作PMOS的第一步,流程上先要作出NWell区,即需要设计光罩以限定NWell的区域。绘制NWell布局图必须先了解是使用哪种流程的设计规则,本实验是使用MOSIS/ORBIT2.0U的设计规则。观看NWell绘制要遵守的设计规则,可单击按钮,可知NWell的最小宽度有10个Lambda的要求。选取左侧Layers面板下拉列表中
4、的NWell选项,使工具被选取,再从Drawing工具栏选择工具,画出占据横24格纵向15格的方形NWell。5)截面观察:L-Edit有一个观察截面的功能,可以利用该布局图设计出的组件的制作流程与结果。单击按钮,打开对话框单击对话框的Browser按钮,在弹出的对话框中选择…L-EditandLVSSPRLightsLayoutlights.xst文件,再单击Pick按钮再编辑画面选择要观察的位置,再单击OK按钮6)绘制Active图层:Active图层在流程上的意义是定义PMOS或NMOS的范围,Act
5、ive以外的地方是厚氧化层区,故需要设计光罩以限定Active的区域,但要注意PMOS的Active图层要绘制在NWell图层之内。可以以上面同样的方法观察Active图层绘制要遵守的设计规则,从Ruleslist列表框中选择2.1ActiveMinimumWidth选项,可知Active的最小宽度为3个Lambda的要求。同步骤4中所述,选取Layers面板中的Active选项,画出占据横向14格纵向5格的方形Active于NWell图层中7)设计规则检查:选择“Tools(工具)”“DRC”命令,或单击按钮,进行
6、设计规则检查。进行设计规则检查8)绘制PSelect图层:在PMOS中需要布置的是P型杂质,PSelect图层在流程上的意义是定义要布置P型杂质的范围,故需要设计光罩以限定P型杂质的区域。但要注意PSelect区域要包住Active图层,否则设计规则检查会有错误。查看其要遵守的设计可知,若Active完全在PSelect内,则Active的边界要与PSelect的边界至少要有两个Lambda的距离,这是环绕规则,画出PSelect占据横向18格,纵向9格的方形于NWell图层中9)绘制Poly图层:Poly图层在流程上
7、的意义是定义成长多晶硅(PolySilicon),需要设计光罩以限制多晶硅区域。查看其设计规则3.1PolyMinimumWidth选项可知,Poly的最小宽度有两个Lambda的要求。选取Layers面板中的Poly选项画出占据横向2格子,纵向9格的方形于NWell图层中,注意:Poly图层必须延伸出Active区域有最小两个Lambda,否则违反3.3延伸(xtension)规则,DRC检查将会出现错误10)绘制ActiveContact图层:PMOS的源极与漏极各要接上电极,才能在其上加入偏压。各组件之间的信号传
8、递,要靠金属线连接,在最底层的金属线是以Metall图层表示。查看ActiveContact图层绘制所要遵守的设计规则6.1AActiveContactExactSize可知,ActiveContact图层有一个标准宽度的限制,其宽度限制为2个Lambda的大小,这是标准宽度(ExactWidth)规则。选取Layers面板中的A
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