有关江苏省2014年电子竞赛TI器件的选型与应用

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有关2014年电子竞赛TI器件的选型与应用一AD变换器1ADS1118:16位AD变换器。主要特点：SPI接口，双通道（差分）或四通道（单端），内时钟，内电压参考，内可编程放大器（放大倍数2/3~16），内置温度传感器。±5V供电。主要应用：高精度温度检测。型号与封装：ADS1118DGSRMSOP-10二DA变换器2DAC7811:12位DA变换器。主要特点：SPI接口，外接电压参考（-15V~+15V），电流输出（应用时需外接运算放大器）。±5V供电。主要应用：一般应用。型号与封装：DAC7811IDGSRMSOP-103DAC8571:16位DA变换器。主要特点：I2C接口，外接电压参考（0~VDD），内置电压输出缓冲放大器（应用时不需外接运算放大器）。±5V供电。主要应用：高分辨率DA应用。型号与封装：DAC8571IDGKSRMSOP-8三高速放大器4LMH6703:高速运算放大器。主要特点：电流反馈，-3dB带宽1.2GHz，低失真，低噪声，有较好的驱动能力。±5V供电。主要应用：高速信号或彩色图像信号放大应用。型号与封装：LMH6703MF/NOPBSOT-23-6（也可以申请SO-8）5OPA2695:双路高速运算放大器。主要特点：电流反馈，大信号带宽400MHz（4VPP,8V/V），有较好的驱动能力。±5V供电。主要应用：高速信号或彩色图像信号放大应用。型号与封装：OPA2695IDSO-86THS3201:高速运算放大器。主要特点：电流反馈，单位增益带宽1.2GHz（4VPP,8V/V），有较好的驱动能力。±5V供电。主要应用：高速信号或彩色图像信号放大应用。型号与封装：THS3201DSO-8

17OPA2356:双路高速运算放大器。主要特点：电压反馈，0.1dB带宽75MHz（0.1VPP,2V/V），+5V供电。主要应用：高速信号放大应用。型号与封装：OPA2356AIDRSO-88OPA842:高速运算放大器。主要特点：电压反馈，0.1dB带宽56MHz（0.1VPP,2V/V），±6V供电。主要应用：高速信号放大应用。型号与封装：OPA842IDRSO-89LMH6552:高速全差分放大器。主要特点：双端输入/输出，0.1dB带宽400MHz（0.1VPP,G=2），-90dBTHD@20MHz，单电源+5V~+12V或±2.5V~±6V供电。主要应用：高速AD变换器驱动或高速差分信号放大应用。型号与封装：LMH6552MA/NOPBSO-810VCA821:宽带可变增益放大器。主要特点：双端输入，0.1dB带宽135MHz（0.2VPP,G=10），增益控制范围-20dB~20dB(VG0V~2V)，-64dB2ndHD@20MHz，±6V供电。主要应用：AGC接收机，信号源ALC应用，可变衰减器。型号与封装：VCA821IDSO-14四精密运算放大器11INA333:仪表放大器。主要特点：微功耗，低漂移，轨-轨输出，-3dB带宽150KHz（G=1），最大增益G=1000，单电源+1.8V~+5.5V或±0.9V~±2.75V供电。主要应用：微弱信号检测，如精密电桥，心电信号，压力传感器，医疗仪器等信号处理应用。型号与封装：INA333AIDGKRMSOP-812INA826:仪表放大器。主要特点：低漂移，低噪声，大信号（Vo=±10V），轨-轨输出，-3dB带宽1MHz（G=1），最大增益G=1000，单电源+2.7V~+36V或±1.35V~±18V供电。主要应用：工业控制，心电信号放大器，医疗设备等信号处理应用。型号与封装：INA826AIDSO-813OPA192:运算放大器。主要特点：低失调，低漂移，低噪声，大信号轨-轨输出，GBW=10MHz，内置EMI滤波器，单电源+4.5V~+36V或±2.25V~±18V供电。主要应用：音频应用，工业控制应用。型号与封装：OPA192IDRSO-814OPA2320:双路运算放大器。主要特点：轨-轨输出，GBW=20MHz，单电源+1.8V~+5.5V供电。主要应用：音频应用，工业控制应用。类似产品OPA2376:GBW=5.5MHz，

2型号与封装：OPA2320AIDRSO-815OPA2330:双路运算放大器。主要特点：低失调，低漂移，轨-轨输出，GBW=20MHz，内置EMI滤波器，单电源+1.8V~+5.5V供电。主要应用：音频应用，工业控制应用。型号与封装：OPA2330AIDRSO-8五音频功放16TPA3112:音频功率放大器。主要特点：25W（8Ω负载）,D类，差分输入/输出，可编程4种增益选择，单电源+8V~+26V供电（要注意散热）。主要应用：音频应用，4~8Ω喇叭驱动。型号与封装：TPA3112D1PWPRTSSOP-28(宽体)六电源芯片17TPS54340:开关型DC-DC变换器。主要特点：内置MOS管，降压型，4.5V~42V输入，0.8V~41V输出，输出最大电流3.5A，效率85%以上（要注意PCB散热）。主要应用：高效率DC-DC直流电源应用。型号与封装：TPS54340DDARHSO-8(宽体)18TPS56528:开关型DC-DC变换器。主要特点：内置MOS管，降压型，4.5V~18V输入，0.6V~7V输出，输出最大电流5A，使用时不需要肖特基二极管（要注意PCB散热）。主要应用：DC-DC直流电源应用。型号与封装：TPS56528DDARHSO-8(宽体)19TPS40210:开关型DC-DC变换器。主要特点：需要外置MOS管，升压型，4.5V~52V输入（要注意PCB散热）。主要应用：DC-DC直流电源应用，高效率LED驱动等等。型号与封装：TPS40210DGQRMSOP-1020TPS7A1601:小功率可调线性稳压器。主要特点：3V~60V输入，1.2V~18.5V输出，低压差（≤100mV，100mA）（要注意PCB散热）。主要应用：低功率直流电源应用。型号与封装：TPS7A1601DGNRMSOP-8（该系列包括3.3V和5V版本）

3七其它芯片21INA210：电流检测器。主要特点：差分输入，低失调，低漂移，1%增益精度（G=200），单电源+2.7V~+26V供电。主要应用：负载电流精密检测应用。型号与封装：INA210AIDCKRSC70（该系列包括6个版本，区别为G不同）22INA282：电流检测器。主要特点：差分输入，更低失调，更低漂移，1.4%增益精度（G=50），单电源+2.7V~+18V供电。主要应用：负载电流精密检测应用。型号与封装：INA282AIDRSO-8（该系列包括5个版本，区别为G不同）23TPS28225：MOSFET驱动器。主要特点：同时驱动两个N-沟道MOSFET以实现更大的电流输出，还可以控制不同的PWM信号的相位以增加效率。主要应用：大功率DC-DC变换器应用。型号与封装：TPS28225DRSO-824UCC27210：MOSFET驱动器。主要特点：同时驱动两个N-沟道MOSFET以实现更大的电流输出（要注意PCB散热）。主要应用：大功率DC-DC变换器应用。型号与封装：UCC27210DDARSO-825CSD19535KCS:N-沟道MOSFET。主要特点：低热阻，耐压100V，超低D-S导通电阻（3.5mΩ）（要注意散热）。主要应用：大功率DC-DC变换器应用。型号与封装：CSD19535KCSTO-22026REF3330:精密电压基准。主要特点：30ppm/CO，最大25mA输出电流。主要应用：为AD或DA变换器提供参考电压。型号与封装：REF3330AIDBZRSOT-23-327TLV3501:高速电压比较器。主要特点：4.5ns上升时间，轨-轨输出，单电源+2.7V~+5.5V供电。(有PCB图供参考)主要应用：仪器仪表应用，高频模拟信号整形应用，门限检测应用。型号与封装：TLV3501AIDRSO-8

428TS5A3159:模拟电子开关。主要特点：低导通电阻（1Ω），SPDT（单刀双掷），最大输入模拟电压为0V~6V，单电源+1.7V~+5.5V供电。主要应用：仪器仪表应用。型号与封装：TS5A3159DBVRSOT-23-629TS5A3166:模拟电子开关。主要特点：低导通电阻（0.9Ω），SPST（单刀单掷），最大输入模拟电压为0V~6V，单电源+1.7V~+5.5V供电。主要应用：仪器仪表应用。型号与封装：TS5A3166DBVRSOT-23-530TS12A4515:模拟电子开关。主要特点：低导通电阻（15Ω），SPST（单刀单掷），最大输入模拟电压为0V~12V，CMOS/TTL控制，单电源+2V~+12V供电。主要应用：仪器仪表应用。型号与封装：TS12A4515DRSO-8