电子元器件选型原则.doc

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1、各类电子元器件选型原则一、电感选型电感选型时考虑的因素如下：1、体积大小；2、电感值所在工作频率；3、开关频率下的电感值为实际需要的电感值；4、线圈的直流阻抗(DCR)越小越好；5、工作电流应降额至额定饱和电流的0.7倍以下，额定rms电流；6、交流阻抗(ESR)越小越好；7、Q因子越大越好；8、屏蔽类型：屏蔽式或非屏蔽式，优先选择屏蔽式；9、工作频率和绕组电压不可降额。二、二极管选型二极管参数需降额使用，具体参考《GJB/Z35元器件降额准则》发光二极管：1、发光二极管优选直径为5mm的插脚型号.贴片发光二极管优

2、选选用有焊接框架的型号，ESD/MSL等级遵循上述的标准；2、发光二极管优选有边、短脚的；为了保持公司产品的一致性，红发红、绿发绿等型号优选，白发红、白发绿等型号慎选；如果没有特殊要求，尽量不要使用长脚、无边的；3、发光二极管优选品牌为“亿光”。快恢复二极管：1、低电压（耐压值200V以下）下，高时间特性时选肖特基二极管；2、肖特基管热阻和电流都较大，优选分立式封装。通常3A以下可以选择SOD-123或D-64封装；3～8A可以选择D2－PAK封装；8A以上DO-201、TO-220、TO-3P；3、在高电压时选择

3、PIN结构快恢复二极管。整流二极管：1、主要考虑最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数；2、开关电源整流、脉冲整流用整流二极管，宜选工作频率较高、反向恢复时间较短、或选快恢复二极管；3、低电压、大电流时整流，选肖特基二极管；4、同电流等级优先选择反压最高的型号.如1A以下选用1N4007（M7），3A的选用IN5408。肖特基二极管：同电流档次的保留反压最高的等级，如：1N5819保留,1N5817禁选，SS14保留，SS12禁选;B340A保留。稳压二极管：1、稳定电压值应与应用电路的基准电

4、压值相同；2、最大稳定电流高于应用电路的最大负载电流50%左右；3、稳压管在选型时务必注意器件功率的降额处理。实际功率应小于0.5×P；4、功率在0.5W以下的型号选择贴片式封装，0.5W及以上选择直插式封装。瞬态抑制二极管：1、Vrmax（最大反向工作电压）≥正常工作电压；2、Vcmax（最大钳位电压）≤最大允许安全电压。常规CMOS电路电源电压为3～18V，击穿电压为22V，则应选Vcmax为18～22V的TVS管；3、Pp（瞬态脉冲功率的最大值）=最大峰值脉冲电流Ipmax与Vcmax。Pp大于被保护器件或线

5、路的最大瞬态；4、浪涌功率。三、三极管选型1、三极管选型时，以下几个参数必须考虑：ICM集电极最大允许电流<实际集电极电流，降额70%使用；BVCEO，基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压>电源电压*70%，有感电路降额使用，并加保护电路；PCM，集电极最大允许耗散功率，降额70%使用；Ft,特征频率>3倍实际工作频率；2、小功率的三极管选用901X系列的9012，9013，9014以及8550,8050等；3、开关用三极管可用NMOS管代替的，尽量用NMOS管代替，可用NMOS有：2N2002,IRF120N,

6、IRF540N等。四、晶体与晶振选型：1、优选表贴封装晶体或晶振；2、优选金属壳封装，电磁屏蔽特性好；3、要求频率稳定度（温度稳定度）<15ppm时，优选温补晶振（TCXO）；4、晶体物料通用技术要求：AT切（基频），12.5pF负载电容，温度范围-20～+70℃（工业温度等级），制造频偏30ppm，温漂50ppm/℃，无铅产品；5、负载电容：对于内置振荡器的处理器，注意振荡器对晶体负载电容的要求，如STM32的RTC晶体，为6pf负载电容，不满足可能造成振荡器不起振或者频率偏差过大；6、晶体和晶振品牌优选HOSO

7、NIC和EPSON；7、晶体和晶振优选系列如下表：名称品牌优选型号频率范围矮型插脚晶体HOSONICESA**.****F20E35F<25MHz矮型贴片晶体HOSONICESB**.****F20E35F<25MHz方形贴片晶体HOSONICE6SB**.****F20E35F8MHz