士兰微SD8530AS内置三极管6W原边充电器适配器芯片方案_骊微电子

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士兰微电子SD8530AS说明书内置高压三极管的原边控制开关电源控制器描述SD8530AS是内置高压三极管的原边控制模式的开关电源控制器(PSR),内置线损补偿和峰值电流补偿功能,采用PFM调制技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,具有非常高的稳定性和平均效率。采用SD8530AS设计系统,无需光耦和Y电容,可省去次级反馈控制、环路补偿,精简电路、降低成本。SD8530AS在AC85~264V范围内推荐6W功率。主要特点SOP-7-225-1.27内置高压三极管原边控制模式低启动电流前沿消隐PFM调制应用过压保护手机充电器欠压锁定小功率适配器短路保护MP3及其它便携式设备充电器过温保护待机电源环路开路保护线损电压补偿峰值电流补偿逐周期限流产品规格分类产品名称线损补偿封装类型打印名称环保等级包装SD8530AS6%SOP-7-225-1.27SD8530AS无卤料管SD8530ASTR6%SOP-7-225-1.27SD8530AS无卤编带杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.0http://www.silan.com.cn共9页第1页

1士兰微电子SD8530AS说明书内部框图56VCC3欠压锁定基准电压偏置电流CCOOFB过压保护电路欠压1短路保护锁定释放开路保护-开启控制恒流控制120mV+TCC-驱动误差4.0V线损放+大恒压控制补偿TcvR过温振荡器保护Q0.5V/0.33V-FB电流+S补偿前沿消隐ISEN4GND7管脚排列图FB17GNDSDNC28530VCC3A6OCSISEN45OC管脚说明管脚号管脚名称I/O功能描述1FBI反馈电压输入端;2NC--空脚;3VCCP供电电源;4ISENI峰值电流采样端;5,6OCO高压NPN管C端。7GNDG地;杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.0http://www.silan.com.cn共9页第2页

2士兰微电子SD8530AS说明书极限参数(除非特殊说明,Tamb=25C)参数符号参数范围单位集电极-基极电压VCBO800V供电电压VCC-0.3~27VFB输入电压VFB-30~30V其他输入电压VIN-0.3~5.0V输入电流IIN-10~10mA工作结温TJ+150°C工作温度范围Tamb-20~+85°C贮存温度范围TSTG-40~+150°CESD(人体模式)ESD2500V电气参数(除非特殊说明,VCC=18V,Tamb=25C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位供电电源部分启动电流ISTVCC=12.5V;----3µA静态工作电流IDDISEN=0,FB=0;400500600µA启动电压VST1314.516V关断电压VSP5.26.06.8VVCC过压保护电压VCCOVP2526.528.2V反馈部分使能开启电压VEN40120200mV开路保护电压VBLANK-0.8-0.6-0.4V恒压阈值VCVDs=1%3.904.004.10VFB过压保护电压VFBOVP6.06.67.2V恒压关断时间限制TOFFmax2.42.83.6mS动态特性部分前沿消隐时间TLEB0.40.60.8µS恒压环路最大占空比DSMAX485052%PFM调制频率范围fS280--50KHz限流部分峰值电流检测阈值1VPK119%

3士兰微电子SD8530AS说明书参数符号测试条件最小值典型值最大值单位过温保护TOTP140155--C过温保护迟滞TOTP_hys--30--C参数温度特性启动电流vs.温度启动电压vs.温度8.018.06.017.0))A(V(μ4.0T16.0TSSIV-2.0-15.0流压电电动0动14.0启启-2.013.0-4.012.0-40-20020406080100-40-20020406080100温度(°C)温度(°C)关断电压vs.温度恒压阈值vs.温度9.04.608.04.40))(V(VP7.0V4.20SCVV--6.04.00压值电阈断5.0压3.80关恒4.03.603.03.40-40-20020406080100-40-20020406080100温度(°C)温度(°C)功能描述SD8530AS是离线式开关电源集成电路,内置线损补偿和峰值电流补偿的高端开关电源控制器。通过检测变压器原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压,控制系统的输出电压和电流,达到输出恒压或者恒流的目的。完整的工作周期分为峰值电流检测和反馈电压检测:当三极管导通,通过采样电阻检测原级线圈的电流,此时FB端电压为负,输出电容对负载供电,输出电压VO下降;当原级线圈的电流到达峰值时,三极管关断,FB端电压检测开始。存储在次级线圈的能量对输出电容充电,输出电压VO上升,并对负载供电。当同时满足恒压、恒流环路控制的开启条件后,三极管才开启。随之,芯片再次进入峰值电流检测。杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.0http://www.silan.com.cn共9页第4页

4士兰微电子SD8530AS说明书1.电路启动和欠压锁定系统上电,电路由高压直流母线通过启动电阻对VCC管脚外置的电容充电。当VCC上升到14.5V,电路开始工作;在电路正常工作过程中,由启动电阻和辅助线圈共同供电来维持VCC电压;当VCC下降到6.0V进入欠压锁定状态,启动电阻对VCC电容供电,VCC上升到14.5V,电路启动重新工作。2.峰值电流检测当驱动高电平提供基极驱动电流,三极管导通,通过采样电阻检测呈线性增大的原级线圈的电流,当达到设定的电流限制值即峰值电流,三极管关断。在三极管导通时会产生一个瞬间的毛刺,如果该毛刺的幅度超过峰值电流阈值VPK,即会导致驱动关断。因此设置前沿消隐时间TLEB=0.6µs,消除由该毛刺带来的可能的误触发。根据开关续流占空比Ds来检测系统负载,随着系统负载逐渐增大至Ds超过38%时,系统进入重载,峰值电流阈值VPK1=0.5V;当系统负载从重载逐渐降低至Ds小于19%时,峰值电流阈值VPK2=0.33V。3.峰值电流补偿由关断延迟时间导致实际检测到的峰值电流值,随着输入交流电压的增大而增大,而峰值电流值直接反映输出电流,因此造成输出电流随输入交流电压的线性调整率会比较差。SD8530AS利用反馈电压FB管脚的负电平来检测交流输入电压,根据检测到的负电压产生一个恒流源,叠加到峰值电流检测ISEN端,使不同输入电压下的峰值电流基本保持不变,改善输出电流的调整率。4.反馈电压检测当三极管关断,反馈电压为正,在FB为正的1/2时间点进行采样,采样得到的电压经过与恒压阈值VCV的比较、放大、保持,产生恒压环路的关断时间TOFF,从而实现输出的恒压。同时电路对FB为正、为负或衰减振荡的时间进行计算,FB为正的时间为TOFF1表示变压器的次级线圈有电流,FB为负的时间为TON、FB衰减振荡的时间为TOFF2,在这两个时间内变压器的次级线圈没有电流。该开关电源的占空比:TTOFF1OFF1D;STTTTOFF1OFF2ON输出电流即变压器次级线圈的平均电流:ITnDSPOFF1S;IIOUTPK2T2ISP为次级线圈的峰值电流,IPK为原级线圈的峰值电流,n为原次级线圈的匝比。因此,在峰值电流恒定的条件下,当DS=DSmax=0.50(该占空比由电路内部设定),电路进入恒流环路控制模式,实现输出电流的恒定。杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.0http://www.silan.com.cn共9页第5页

5士兰微电子SD8530AS说明书ISEN0VDRIVEt0tFBTOFF1sampleVCV0TOFF2tTONTOFFTONTOFF5.线损补偿在实际的应用设计中,输出电压在电缆线上会有不同程度的压降VCAB。考虑到不同输出电流下的VD基本不变,该因素忽略而着重考虑与输出电流呈正比的VCAB。因此为了提高输出电压的负载调整率,需对恒压阈值VCV进行一定的补偿。根据输出电流计算公式,在峰值电流恒定的条件下,占空比DS即表示输出电流的负载情况。因此线损补偿后的恒压阈值:V48KDCVSK为线损补偿系数,不同补偿系数的电路适用于不同的电缆线。例如SD8530AS,线损补偿系数为6%,因此空载恒压阈值为4.0V,补偿后满载的恒压阈值为4.24V。6.FB过压保护当FB管脚电压超过过压保护电压VOVP=6.6V时,输出关断。该状态直到VCC降到关断电压以下电路重新启动。VDRIVE0tFBVOVPVCV0tTOVP7.短路保护当系统处于续流状态,FB管脚电压小于典型值1.0V以及Ds超过46%时,系统检测到输出短路。此状态如果8个开关周期内保持不变,则电路锁定,开关关断,直到VCC降到关断电压以下电路重新启动。8.过温保护当电路处于过温保护状态,输出关断以防止电路由于过热而导致损坏。过温保护的温度点为155°C,过温保护的恢杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.0http://www.silan.com.cn共9页第6页

6士兰微电子SD8530AS说明书复具有迟滞特性以避免过温保护与正常工作状态的反复来回变化。迟滞区间为30°C,即要等电路温度下降到125°C,电路才能正常工作。9.电路环路开路保护当功率三极管导通时,如果FB管脚负电平大于-0.6V,则为环路开路状态,进入环路开路保护,输出关断,电路锁定,直到VCC降到关断电压以下电路重新启动。10.PFM调制频率的设定PFM调制频率范围由固定的导通时间TON和恒压环路控制关断时间所决定。因此当关断时间最长至TOFFmax时,电路处于空载状态,工作频率最低;当关断时间最短时,电路处于满载工作状态,工作频率达到最高。根据恒压模式时:12PVILIfηOOOmPKS2Lm为变压器原边电感量,IPK为原边峰值电流,fS为工作频率,η为工作效率。则有:2VIOOfS2LIηmPK应用电路图VinVOUTRSTRF2RF11FBOC5VCC3ControlICTR6GNDISEN74RSEN注:以上线路及参数仅供参考,实际的应用电路请在充分的实测基础上设定参数。杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.0http://www.silan.com.cn共9页第7页

7士兰微电子SD8530AS说明书封装外形图SOP-7-225-1.27单位:mmDMILLIMETERSYMBOLA2A0.25MINNOMMAXcA____1.80A1LA10.050.150.25__A21.251.65b0.330.420.51c0.170.200.26D4.704.905.10E5.806.006.20E13.703.904.10E1Ee1.27BSC__L0.401.27be注意!静电敏感器件操作ESDS产品应采取防护措施MOS电路操作注意事项:静电在很多地方都会产生,采取下面的预防措施,可以有效防止MOS电路由于受静电放电影响而引起的损坏:操作人员要通过防静电腕带接地。设备外壳必须接地。装配过程中使用的工具必须接地。必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。声明:士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完整和最新。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能,买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施,以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生!产品提升永无止境,我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品!杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.0http://www.silan.com.cn共9页第8页

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