SD8666QS 12V3A SSR反激电源管理芯片-sd8666qs数据手册_骊微电子

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士兰微电子SD8666QS说明书内置高压功率MOSFET的多重模式控制器描述SD8666QS是用于开关电源的内置高压功率MOSFET、外置采样电阻的准谐振电流模式PWM+PFM控制器。SD8666QS具有多重模式控制：在重载下，高压时工作在QR模式，可以减小开关损耗，低压时工作固定频率（55KHz）的CCM模式。在中载和轻载下，工作在QR+PFM模式，可以提高转换效率。在空载下，进入打嗝模式，有效地降低电路的待机功耗。SD8666QS具有抖频功能，以降低EMI。具有峰值电流补偿功能，在不同的AC输入电压下能保持极限输出功率一致。还有软启动功能，在上电EHSOP-5-325-1.7过程中减小器件应力。SD8666QS内部集成了各种异常状态的保护功能，包括VCC过压保护，输出过载保护，输出过压保护，前沿消隐，逐周期峰值限流，输出二极管短路保护，AC输入电压欠压/过压保护和过温保护等。主要特点应用QR模式改善EMI和减小开关损耗开放式电源轻载下的PFM模式提高效率适配器空载时进入打嗝模式机顶盒电源低压重载升频提高极限输出功率抖频改善EMI峰值电流补偿软启动VCC过压保护输出过载保护前沿消隐逐周期峰值限流输出二极管短路保护AC输入电压欠压/过压保护外部可设的输出过压保护过温保护产品规格分类产品名称封装类型打印名称环保等级包装SD8666QSEHSOP-5-325-1.7SD8666QS无卤料管杭州士兰微电子股份有限公司版本号：0.2http://www.silan.com.cn共9页第1页

1士兰微电子SD8666QS说明书典型输出功率能力85~265V产品适配器开放式SD8666QS36W48W内部框图VCCDRAIN36过温保护+内部低压AVDD+电源26V-VCC16VR过压保护-VCC8VQ+开启/关断谷底锁定SDEM0.15V-valleyR谷底检测重启控制valleyQ栅极驱动MOSFET4+S输入电压2.5V-输出检测过压保护逻辑控制110uA+95uA抗干扰检测-AC输入+峰值电流AVDDR+欠压保护补偿+5V-VCC锁定Q检测延时CS4.2V-输出S峰值限流-软启动前沿消隐1FB过载保护比较器5+锁定控制1.1V抖频+斜坡补偿1V-打嗝模式+脉宽调制-GND2V振荡器比较器21.3V-降频模式+检测延时输出二极管-1V短路保护极限参数（除非特殊说明，Tamb=25C）参数符号参数范围单位漏栅电压（RGS=1M）VDGR650V栅源（地）电压VGS±30V漏端连续电流(Tamb=25C)ID7AVCC端供电电压VCCMAX28VFB端输入电压VFB-0.3~5VCS端输入电压VCS-0.3~5VBO端输入电压VBO-0.3~5V工作结温TJ150C工作温度范围Tamb-25~85C贮存温度范围TSTG-55~150C杭州士兰微电子股份有限公司版本号：0.2http://www.silan.com.cn共9页第2页

2士兰微电子SD8666QS说明书电气参数(内置功率MOSFET部分，除非特殊说明，Tamb=25C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压BVDSSVGS=0V，ID=50µA650--760VVDS=650V，VGS=0V0--1µA零栅压漏端电流IDSSVDS=480V，VGS=0V，Tamb=125C0--10µA静态漏源导通电阻RDS(ON)VGS=10V，ID=5A--0.55--电气参数(除非特殊说明，VCC=18V，Tamb=25C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位开启关断VCC开启电压VCCSTART151617VVCC关断电压VCCSTOP789VVCC静态电流ICC0VFB=0V0.60.70.8mAVCC工作电流ICCVFB=3V0.811.2mAVCC过压保护点VCCOVP24.52627.5VVCC锁定点VCCLATCH456V振荡频率正常工作时的振荡频率fOSC1VFB=3V505560kHzQR模式频率最大值fOSCMAX_QR626975kHz最大占空比DMAXVFB=3V，VCS=0V758085%抖频范围ΔfOSC_JITTER-6--6%降频后的振荡频率fOSC2VFB=1.3V202326kHz振荡频率随温度的变化率--25C≤Tamb≤85C015%反馈检测FB输入阻抗ZFBIN364554kΩFB短路电流IFBSHORTVFB=0V120150180µAFB开环电压VFBOPENFB端悬空4.55.25.9V输出过载保护点VFBOLP44.24.4V输出过载保护检测延迟TDFBOLP7590120msFB降频起始点VFBFD_START1.922.1VFB降频结束点VFBFD_STOP1.21.31.4VFB打嗝模式进入点VFBBURH11.11.2VFB打嗝模式退出点VFBBURL0.911.1VPWM增益AV_FBCSΔVFB/ΔVCS3.5V/V采样检测LEB时间TLEB360400440ns软启动时间TSS3.544.5msCS输出二极管短路保护检测点VCSSHORT0.911.1V过流检测阈值VCS_OC0.650.70.75V杭州士兰微电子股份有限公司版本号：0.2http://www.silan.com.cn共9页第3页

3士兰微电子SD8666QS说明书参数符号测试条件最小值典型值最大值单位DEM检测BO开启电流IBOUVPH99110122µABO关断电流IBOUVPL8595105µABO关断抗干扰检测时间TDBOUVP7090110ms输出过压保护电压VTH_OVP2.32.52.7V退磁检测阈值电压VTH_DEM130150170mV谐振抑制时间Tsupp22.53µS过温保护过温保护点TOTP145--150C过温保护迟滞TOTPHYS20--25C管脚排列图DRAIN6612345CSGNDVCCDEMFB管脚说明管脚号管脚名称I/O功能描述1CSI电流采样端2GND--地3VCC--电源输入端4DEMI/O磁芯退磁检测脚，用于QR模式检测。峰值电流补偿、检测输入电压及输出过压保护5FBI反馈输入端6DRAINO功率MOSFET漏端功能描述SD8666QS是用于开关电源的内置高压功率MOSFET、外置采样电阻的准谐振电流模式PWM+PFM控制器。有多重模式控制，具有抖频、峰值电流补偿、软启动功能，还集成各种异常状态的保护功能。SD8666QS可减少外围元件，增加效率和系统的可靠性，适用于反激式变换器。多种控制模式SD8666QS具有多重模式控制。在重载条件下（VFB>2V），系统会有两种工作状态，当输入电压低时，工作在CCM模式，此时为PWM控制，固定频率55KHz，当输入电压高时，工作在DCM模式，此时工作在QR模式，可以减小开杭州士兰微电子股份有限公司版本号：0.2http://www.silan.com.cn共9页第4页

4士兰微电子SD8666QS说明书关损耗，最大频率限制在69KHz。随着负载降低，在中载和轻载条件下（1.3V2.4V），频率随FB电压增加而升高，提高低压的极限输出功率。如图1所示。LVFs(KHz)QRmode6955HVQR+PFMPWMmodemodeBurstmode2301V1.1V1.3V2V2.4VVFB_OLVFB(V)图1.不同状态频率波形图抖频SD8666QS采用抖频控制来改善EMI性能，使得整个应用系统的设计会变得更简单。峰值电流补偿SD8666QS通过检测DEM管脚在开通时流出的电流判断输入电压的高低，并将检测到的电流转换成峰值电流的补偿量。另外低压升频功能可以有效提高低输入电压时的极限输出功率，保证不同交流电压输入时极限输出功率一致性。软启动SD8666QS内置4ms软启动时间，以限制功率MOSFET的DRAIN端最大峰值电流，使其逐步提高，从而减小器件的应力，防止变压器饱和。VCC过压保护当VCC电压超过过压保护点26V时，触发VCC过压保护，此时功率MOSFET关断，系统将自动重启。VCC过压保护的波形如图2所示。VCC26V16V8V有开关t输出有开关无开关无开关t图2.VCC过压保护的波形图输出过载保护杭州士兰微电子股份有限公司版本号：0.2http://www.silan.com.cn共9页第5页

5士兰微电子SD8666QS说明书当输出发生过载时，FB电压会升高，当升到FB过载保护点4.2V时，且再经过过载保护延时90ms后，功率MOSFET关断，VCC电压开始下降；当VCC电压降到关断电压8V时，电路重新启动。输出过载保护的波形如图3所示。90ms90msFB4.2Vt输出有开关有开关无开关无开关tVCC工作电压16V8Vt图3.输出过载保护的波形图前沿消隐SD8666QS内置的前沿消隐电路可以防止功率MOSFET开通时产生的电流尖刺造成的误关断，这样外围RC滤波电路可以省去。在前沿消隐时间内，脉宽调制比较器和峰值限流比较器是不工作的，而功率MOSFET在这段时间内是保持导通状态的，所以功率MOSFET开启的最小时间就是前沿消隐的时间TLEB。不同占空比时的前沿消隐波形如图4所示。MOSFETMOSFET驱动信号驱动信号电流电流毛刺毛刺MOSFETMOSFET上的电流上的电流ttLEBLEBLEB占空比较大时占空比较小时图4.不同占空比时的前沿消隐波形图逐周期峰值电流限制在每一个周期，峰值电流值由比较器的比较点决定，该电流值不会超过峰值电流限流值，保证功率MOSFET上的电流不会超过额定电流值。当电流达到峰值电流以后，输出功率就不能再变大，从而限制了最大的输出功率。如果负载过重，会导致输出电压变低，反馈到FB端，导致FB电压升高，发生输出过载保护。输出二极管短路保护SD8666QS通过检测CS端实现输出二极管短路保护功能。由于输出二极管短路会导致原边瞬间过流，当电流采样电阻上的CS电压连续4个周期都大于1V时，就判定输出二极管短路。此时功率MOSFET关断，且进入锁定状态。当AC输入电压断开，VCC电压下降至锁定点5V时，才能解除锁定状态；当AC输入电压重新上电后，系统将重新启动。AC输入电压欠压保护在功率MOSFET导通时，辅助绕组电压为负，DEM管脚钳位为0V。SD8666QS通过设定外部检测电阻，检测DEM管脚流出的电流。当流出电流小于95A时，且时间超过Brownout抗干扰时间时，进入AC输入电压欠压保护状态，杭州士兰微电子股份有限公司版本号：0.2http://www.silan.com.cn共9页第6页

6士兰微电子SD8666QS说明书功率MOSFET截止，系统将自动重启。当检测到电流大于110A时，则恢复正常工作。可调节的输出电压过压保护SD8666QS的DEM管脚在开关截止且副边续流时期，作为输出电压检测管脚。当DEM管脚电压超过OVP电压阈值2.5V时，进入输出电压过压保护状态，功率MOSFET截止，系统将自动重启。过温保护当温度过高时，为了保护电路不会损坏，电路会触发过温保护，此时功率MOSFET关断，且该状态一直保持，直到冷却后系统将自动重启。典型应用电路图ACinDCoutSD8666QS3VCCDRAIN64DEMCS15FBGND2注：以上线路及参数仅供参考，实际的应用电路请在充分的实测基础上设定参数。杭州士兰微电子股份有限公司版本号：0.2http://www.silan.com.cn共9页第7页

7士兰微电子SD8666QS说明书封装外形图EHSOP-5-325-1.7单位：mmMILLIMETERSYMBOLMINNOMMAXA----1.85DA10.00--0.15A21.501.601.70A2Ac0.25b0.44--0.52A1Lc0.20--0.24D1D9.159.259.351.00D17.26REFD26.60REFE9.659.759.85E16.256.356.45E2E22.99BSCE1ED2e1.70BSCL0.901.001.10be注意！静电敏感器件操作ESDS产品应采取防护措施MOS电路操作注意事项：静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS电路由于受静电放电影响而引起的损坏：操作人员要通过防静电腕带接地。设备外壳必须接地。装配过程中使用的工具必须接地。必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。声明：士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！杭州士兰微电子股份有限公司版本号：0.2http://www.silan.com.cn共9页第8页

8士兰微电子SD8666QS说明书产品名称：SD8666QS文档类型：说明书版权：杭州士兰微电子股份有限公司公司主页：http://www.silan.com.cn版本：0.2修改记录：1.更新版本：0.1修改记录：1.初稿杭州士兰微电子股份有限公司版本号：0.2http://www.silan.com.cn共9页第9页