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时间:2023-09-22
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次级整流管的RC吸收回路的设计主要靠调试,具体实验方法如下:1.测量次级二极管引起的尖峰频率fo(未接RC吸收回路时所测试的)。2.在二极管上面并联电容,不断加大电容值Cx,直到步骤1的频率变为fo/2;根据LC谐振公式,频率的平方反比于电容,因此,推算出分布电容为Co=Cx/3;然后根据Co和fo,推算分布电感Lo;3.计算特征阻抗:Z=Lo/Co开根号。4.RC吸收回路:电阻等于特征阻抗,即R=Z,这样子LC谐振在临界阻尼,刚好没有尖峰;电容值C取Co的5~10倍皆可以,电容足够大,以免影响回路的分布电容,导致Z值偏移,吸收效果不好,或者根据C值再微调R。2Vclamp−VoR∗Vclamp初级RCD吸收回路设计:Rc=Llk∗Ids−peak2∗fsVclampCc>∆Vclamp∗Rc∗fsVclamp=0.9VBR−VINMAXVclamp:钳位电容Cc两端的钳位电压。VoR:次级到初级的反射电压。Llk:初级漏感,常用方法是,短路各个次级绕组测试此时的初级绕组的感量,即为初级绕组漏感,测试频率应采用变换器的工作频率。VBR:开关管的漏源极击穿电压。Ids-peak:开关管的最大峰值电流。WWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COMWWW.NCEPOWER.COM
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