变压器绝缘高压试验技术和异常研究处理

变压器绝缘高压试验技术和异常研究处理

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1、变压器绝缘高压试验技术和异常研究处理  【摘要】本文作者结合实际工作经验简述了当前变压器绝缘高压试验技术的主要内涵,及在高压试验过程遇到的一例变压器异常,进行说明探讨及处理。仅供参考。【关键词】变压器;高压试验;异常;分析处理1变压器绝缘高压试验技术主要内涵1.1绝缘电阻的测量在电力变压器高压试验中,绝缘电阻测量是最为方便、简单的预防性试验。在变压器的绝缘电阻测量中,绝缘的整体受潮程度、过热老化程度、污秽情况等都可以用绝缘电阻的大小反映出来。绝缘电阻与变压器顶层油温变化有着密切的联系,一般宜在油温低于50℃时进行,绝缘电阻受温度影响按照下式进行近似修正:R2=R1×1.5(t2-t1)/

2、10式中,R1、R2分别对应t1、t2时的绝缘电阻6经过换算后的绝缘电阻值方可与出厂试验数据或上次试验值比较。而吸收比当温度达到35℃以上时,干燥绝缘的吸收比达到极限后开始下降,而受潮绝缘的吸收比则会发生不规则变化情况。因此,在变压器的绝缘电阻测量中,一定要实测变压器顶层油温进行换算,以保证绝缘电阻及吸收比实测值的真实性,当R60s大于3000兆欧时,吸收比可不作考核要求。1.2泄漏电流的测量在电力变压器泄漏电流的测量中,主要使用数显泄漏电流测试仪进行测量,施加的试验电压根据变压器的额定工作电压决定,一般明显低于变压器的额定工作电压。如果使用2500V直流兆欧表无法满足试验中对于电压的要

3、求,可以采取加直流高压的试验方法,以确保变压器泄漏电流测量结果的精确性。在高压情况下,如果变压器的泄漏电流明显高于低压情况下的电流,则表明变压器的高压绝缘电阻小于低压绝缘电阻,即变压器本身存在质量缺陷,防泄漏功能也无法满足使用要求。1.3介质损耗因数测试6在电力变压器的高压试验中,介质损耗因数测试是基本的绝缘预防性试验项目之一,其主要试验目的是根据介质损耗因数的大小,判定变压器的绝缘性能。在变压器正常运转状态下,介质损耗因数的变化与绝缘损耗的大小有着密切的联系。在试验过程中,试验人员可以通过相关结果,掌握变压器绝缘的整体受潮与劣化变质程度,从而得出精确的试验结果。在电力变压器的介质损耗因

4、数测试中,其结果明显优于绝缘电阻测量与泄漏电流测试,主要是因为测试过程中,与试验电压和设备大小等因素的关联性较小,试验人员可以准确地判断变压器的绝缘变化情况。分析时应注意变压器顶层油温对介质损耗因数的影响,不同温度下的tgδ按下式进行换算:tgδ2=tgδ1×1.3(t2-t1)/10式中,tgδ1、tgδ2分别对应t1、t2时的tgδ值,正常应换算到20℃时进行分析比较。1.4交流耐压试验电力变压器的交流耐压试验主要是应用于鉴定其绝缘强度的大小,采用这种试验方法可以直接反映出变压器的集中性绝缘性能缺陷,从而避免因绝缘老化而导致严重的安全事故。在进行电力变压器的交流耐压试验前,必须仔细测

5、量电压器的绝缘电阻、泄漏电流、介质损耗因数等,在获取相关试验结果后,才能组织交流耐压试验的进行。如果相关试验结果的统计与计算不合理,将直接影响到交流耐压试验结果的精确性。2变压器试验异常分析处理2011年6月,我公司对110kV城西变1号主变进行了预防性试验,1号主变型号为SFSZ9-40000/110,额定容量为40000KVA,江苏华鹏变压器厂制造,110kV油纸电容型套管ABC三相型号为BRLW-110/630-4,中心点套管为BRD4N-72.5/630/4,环境温度为33℃,油温为43℃,空气湿度37%,天气晴朗。6使用2500V兆欧表测量了主变的绝缘电阻,并与上次试验数据(环

6、境温度为30℃,油温为44℃,空气湿度47%,天气晴)比较,结果如表1所示可以看出高压绕组与中压低压绕组相比绝缘电阻偏低,吸收比低于1.3。根据《规程》中的公式R2=R1×1.5(t2-t1)/10换算,可以看出高压绕组的绝缘电阻和以前测量值比较变化较大,中低压绕组绝缘电阻和以前相比无明显变化,属正常范围。但是考虑到绝缘电阻的测量分散性较大,它容易受到现场环境,气象,剩余电荷等多种因素的影响,鉴于其不确定性只能作初步判断和参考,需要进一步进行试验工作,找到问题根源。接下来对变压器高中低压绕组分别进行了介质损耗因素测量和泄漏电流测量,试验数据合格。在对110kV电容型单套管进行介质损耗因素

7、测量时又有了新发现,并与上次试验数据(天气:晴,环境温度30℃,油温为44℃,空气湿度57%)进行比较,结果如表2所示试验使用的仪表:2500V兆欧表,上海思源M-8000介质损自动电桥6可以明显看出C相的末屏对地绝缘虽然符合《规程》,大于1000MΩ,但是和不同相及上次试验数据的绝缘电阻值相比,明显偏小,介质损耗和不同相相比,明显偏大且与上次试验数据比较,介质损耗值增大了5.8倍,电容量与以前相比+0.9%,与铭牌电容相比-0.3

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