40A、650V新能源绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7_骊微电子

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士兰微电子SGTP40V65SDB1P7说明书40A、650V绝缘栅双极型晶体管描述C2SGTP40V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场1G截止（FieldStop5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。3E特点40A，650V，VCE(sat)(典型值)=1.35V@IC=40A低导通损耗12快开关速度3TO-247-3L高输入阻抗TJmax=175C命名规则SGTP40V65SDB1P7士兰IGBT系列封装形式，如工业级P7：TO-247-3L电流规格，如：40表示40A等1,2,3…：版本号N：N沟平面栅NE：N沟平面栅带ESD空：标准二极管（Standard）T：FieldStop3和4M：标准二极管、全电流规格（StandardFull）U：FieldStop4+R：快速二极管（Rapid）V：FieldStop5B：快速二极管、全电流规格（RapidFull）W：FieldStop6S：超软二极管、全电流规格（SoftFull）X：FieldStop7D：合封二极管电压规格，如：R：集成二极管（RCIGBT）65表示650VL：超低速，推荐频率~2KHz120表示1200V等Q：低速，推荐频率2~20KS：标准，推荐频率5~40KF：高速，推荐频率10~60KUF：超高速，推荐频率40K~产品规格分类产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式SGTP40V65SDB1P7TO-247-3LP40V65SDB1无卤料管杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2http://www.silan.com.cn共11页第1页

1士兰微电子SGTP40V65SDB1P7说明书极限参数（除非特殊说明，TC=25C）参数符号参数范围单位集电极-射极电压VCE650V栅极-射极电压VGE±20VTC=25C80集电极电流ICATC=100C40集电极脉冲电流ICM160ATC=25°C80二极管电流IFATC=100°C40二极管脉冲电流IFM160A耗散功率（TC=25C）PD230W工作结温范围TJ-40～+175C贮存温度范围Tstg-55～+150C热阻特性参数符号参数范围单位芯片对管壳热阻（IGBT）RθJ(J-C)0.65C/W芯片对管壳热阻（FRD）RθJC(J-C)0.6C/W芯片对环境热阻（IGBT）RθJC(J-A)40C/W杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2http://www.silan.com.cn共11页第2页

2士兰微电子SGTP40V65SDB1P7说明书IGBT电性参数（除非特殊说明，TC=25C）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位集射击穿电压BVCEVGE=0V，IC=250µA650----V集射漏电流ICESVCE=650V，VGE=0V----100µA栅射漏电流IGESVGE=20V，VCE=0V----±100nA栅极开启电压VGE(th)IC=250µA，VCE=VGE3.24.55.8VIC=40A，VGE=15V，TC=25C--1.351.7V饱和压降VCE(sat)IC=40A，VGE=15V，TC=150C--1.5--V输入电容CiesVCE=30V--2856--输出电容CoesVGE=0V--82--pF反向传输电容Cresf=1MHz--12--开启延迟时间Td(on)--28--开启上升时间TrVCE=400V--26--ns关断延迟时间Td(off)IC=40A--150--关断下降时间TfRg=10Ω--36--导通损耗EonVGE=15V--0.58--关断损耗Eoff感性负载--0.63--mJ开关损耗Est--1.21--开启延迟时间Td(on)--25--开启上升时间TrVCE=400V--16--ns关断延迟时间Td(off)IC=20A--163--关断下降时间TfRg=10Ω--32--导通损耗EonVGE=15V--0.25--关断损耗Eoff感性负载--0.32--mJ开关损耗Est--0.57--栅电荷Qg--107--发射极栅电荷QgeVCE=520V，IC=40A，VGE=15V--24--nC集电极栅电荷Qgc--31--FRD电性参数（除非特殊说明，TC=25C）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位IF=40A，TC=25C--1.451.9二极管正向压降VFMVIF=40A，TC=150C--1.32--二极管反向恢复时间Trr--106--nsIES=40A，dIES/dt=200A/μs，二极管反向恢复电荷Qrr--258--nCTC=25C二极管反向恢复电流Irrm--5.3--A杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2http://www.silan.com.cn共11页第3页

3士兰微电子SGTP40V65SDB1P7说明书IGBT电性参数（TC=150C）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位开启延迟时间Td(on)--34--VCE=400V开启上升时间Tr--24--IC=40Ans关断延迟时间Td(off)--161--Rg=10Ω关断下降时间Tf--52--VGE=15V导通损耗Eon--0.76--感性负载关断损耗Eoff--0.88--mJTC=150C开关损耗Est--1.64--开启延迟时间Td(on)--31--VCE=400V开启上升时间Tr--15--IC=20Ans关断延迟时间Td(off)--188--Rg=10Ω关断下降时间Tf--42--VGE=15V导通损耗Eon--0.25--感性负载关断损耗Eoff--0.46--mJTC=150C开关损耗Est--0.71--FRD电性参数（TC=150C）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位二极管反向恢复时间Trr--213--nsIES=40A，dIES/dt=200A/μs，二极管反向恢复电荷Qrr--770--nCTC=150C二极管反向恢复电流Irrm--10--A杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2http://www.silan.com.cn共11页第4页

4士兰微电子SGTP40V65SDB1P7说明书典型特性曲线图1.典型输出特性图2.典型输出特性120120VGE=9VVGE=9VVGE=11VVGE=11V100VGE=13V100VGE=13VVGE=15VVGE=15V)VGE=17V)VGE=17V(A(AC80C80II––流60流60电电极极电40电40集集2020共射极共射极TC=25°CTC=150°C00012345012345集电极-发射极电压–VCE(V)集电极-发射极电压–VCE(V)图3.典型饱和电压特性图4.传输特性8080TC=25°CTC=25°CTC=150°CTC=150°C)60)60(A(ACCII––流40流40电电极极电电集集2020共射极共射极VGE=15VVCE=10V00012345345678910集电极-发射极电压–VCE(V)栅极-发射极电压–VGE(V)图5.饱和电压vs.VGE图6.饱和电压vs.VGE1515共射极IC=20A共射极IC=20A)TC=25°CIC=40A)TC=150°CIC=40A(V(VEIC=80AEIC=80ACCVV10–10–压压电电极极射射-发5-发5极极电电集集004812162048121620栅极-发射极电压–VGE(V)栅极-发射极电压–VGE(V)杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2http://www.silan.com.cn共11页第5页

5士兰微电子SGTP40V65SDB1P7说明书典型特性曲线（续）图7.饱和压降和温度图8.电容特性410000IC=20A)IC=40A(VEIC=80AC31000V–)压F电(p2容100极射电-发极110电共射极Cies集共射极CoesVGE=0Vf=1MHzVGE=15VCresTC=25°C01050100150110100壳温-TC(°C)集电极-发射极电压–VCE(V)图9.栅极电荷特性图10.正向特性16100VCE=520V25°CVCE=325V)VCE=130V150°C(V)E12G(AVM-IF压–电810流极电射向-发正极4栅注：IC=40A010204060801001200.00.51.01.52.0栅极电荷量–QG(nC)正向电压–VFM(V)图11.导通特性vs.栅极电阻图12.导通特性vs.栅极电阻10001000Td(on)Td(on)TrTr]s100]100ns[n[间间时时关关开10开10共射极共射极VCC=400V，VGE=15VVCC=400V，VGE=15VIC=40A，TC=25°CIC=40A，TC=150°C11010203040506070010203040506070栅极电阻-RG(Ω)栅极电阻-RG(Ω)杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2http://www.silan.com.cn共11页第6页

6士兰微电子SGTP40V65SDB1P7说明书典型特性曲线（续）图13.关断特性vs.栅极电阻图14.关断特性vs.栅极电阻10001000Td(off)td(off)Tftf]s100]snn[[间间时时100关关开开10共射极共射极VCC=400V，VGE=15VVCC=400V，VGE=15VIC=40A，TC=25°CIC=40A，TC=150°C110010203040506070010203040506070栅极电阻-RG(Ω)栅极电阻-RG(Ω)图15.开关损耗vs.栅极电阻图16.开关损耗vs.栅极电阻1000010000EonEonEoffEoff]]JJuu[[耗1000耗1000损损关关开开共射极共射极VCC=400V，VGE=15VVCC=400V，VGE=15VIC=40A，TC=25°CIC=40A，TC=150°C100100010203040506070010203040506070栅极电阻-RG(Ω)栅极电阻-RG(Ω)图17.导通特性vs.集电极电流图18.导通特性vs.集电极电流10001000td(on)td(on)trtr]s100]s100nn[[间间时时关关开10开10共射极共射极VCC=400V，VGE=15VVCC=400V，VGE=15VRG=10Ω，TC=25°CRG=10Ω，TC=150°C110102030405060700102030405060集电极电流-IC(A)集电极电流-IC(A)杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2http://www.silan.com.cn共11页第7页

7士兰微电子SGTP40V65SDB1P7说明书典型特性曲线（续）图19.关断特性vs.集电极电流图20.关断特性vs.集电极电流10001000td(off)td(off)tftf]s100]s100nn[[间间时时关关开10开10共射极共射极VCC=400V，VGE=15VVCC=400V，VGE=15VRG=10Ω，TC=25°CRG=10Ω，TC=150°C110102030405060700102030405060集电极电流-IC(A)集电极电流-IC(A)图21.关断损耗vs.集电极电流图22.关断损耗vs.集电极电流1000010000EonEonEoffEoff]J1000]1000Juu[[耗耗损损关关开100开100共射极共射极VCC=400V，VGE=15VVCC=400V，VGE=15VRG=10Ω，TC=25°CRG=10Ω，TC=150°C10100102030405060700102030405060集电极电流-IC(A)集电极电流-IC(A)图23.反向恢复时间vs.正向电流图24.反向恢复电荷vs.正向电流150400di/dt=100A/µsdi/dt=100A/µsdi/dt=200A/µsdi/dt=200A/µs))s130C300n((nrrrrTO间-时110荷200复电恢复向恢反向90100反700515253545515253545正向电流–IF(A)正向电流–IF(A)杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2http://www.silan.com.cn共11页第8页

8士兰微电子SGTP40V65SDB1P7说明书典型特性曲线（续）图25.峰值反向恢复电流vs.正向电流图26.Tb斜率vs.正向电流8300Irm=100A/µsdirr/dt=100A/µs)7Irm=200A/µsdirr/dt=200A/µs(A)rm6sI-/µ200A流t(5d电r/复ird恢4率向斜反b1003T值峰210515253545515253545正向电流–IF(A)正向电流–IF(A)图27.最大安全工作区域图28.IGBT瞬态热阻抗vs.脉冲宽度30101070%50%30%210)(A10us）C-110%I化101–10100us准5%标流1ms（电10ms-2%100DC抗极1%阻-2电10集热0.5%-1100.2%SinglePulse-210-310100102102103-6-5-4-3-2-1010101010101010集电极-发射极电压–VCE(V)脉冲宽度(Sec)图29.二极管瞬态热阻抗vs.脉冲宽度01070%50%30%）-110%化10准5%标-（2%抗1%阻10-2热0.5%0.2%SinglePulse-310-6-5-4-3-2-1010101010101010脉冲宽度(Sec)杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2http://www.silan.com.cn共11页第9页

9士兰微电子SGTP40V65SDB1P7说明书封装外形图TO-247-3L单位：毫米EAMILLIMETERQA2SYMBOLMINNOMMAXφPA4.805.005.202EA12.212.412.59A21.852.002.15Db1.11_1.36_b21.912.25_b42.913.25_c0.510.751LD20.8021.0021.30E15.5015.8016.10E24.405.005.20Le5.44BSCL19.7219.9220.22__L14.30Cb2bA1Q5.605.806.00b4eP3.40—3.80重要注意事项：1.士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。2.客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操作注意事项。3.我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。4.在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。5.购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。6.产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！7.我司网站http://www.silan.com.cn杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2http://www.silan.com.cn共11页第10页

10士兰微电子SGTP40V65SDB1P7说明书产品名称：SGTP40V65SDB1P7文档类型：说明书版权：杭州士兰微电子股份有限公司公司主页：http://www.silan.com.cn版本：1.2修改记录：1.增加二极管脉冲电流版本：1.1修改记录：1.添加高温参数2.添加高温曲线图版本：1.0修改记录：1.正式版本发布杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2http://www.silan.com.cn共11页第11页