东芝和海力士结束DRAM和NAND专利权争议

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1、东芝和海力士结束DRAMf口NAN改禾I」权争议日本东芝和韩国海力士半导体(Hynix)表示，双方已签订交叉授权和产品供应协议，结束了与DRAM口NANDfc术相关的专利权官司。但协议细节没有得到确认，据称其中包括海力士向东芝支付现金。两家公司之间的官司要追溯到2004年11月。在两家公司未能就原有的专利授权协议更新达成一致意见后，当时东芝率先在美国德州和加州联邦地方法院控告海力士。东芝还请求美国国际贸易委员会(ITC)禁止美国进口海力士的某些产品。海力士则对东芝提出反诉。去年12月，美国国际贸易委员会(ITC)裁定，没有发现海力士侵犯东芝的

2、专利权。东芝当时表示要提起上诉。东芝副总裁兼半导体部门执行副总裁ShozoSaito在声明中表示：“签署协议对于两家公司来说都是积极步骤。在摆脱官司之后，通过这些协议，我们现在可以加强各自的业务。”海力士的资深副总裁O.C.Kwon表示：“我们相信，这些协议将成为我们两家公司建立互惠的企业关系的良好基础。”