GBT13150-2005半导体器件分立器件电流大于100A、环境和半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范.pdf

《GBT13150-2005半导体器件分立器件电流大于100A、环境和半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、ICS31．080.20＿＿K46dj了．灼入石改，士tT-n峨净大藉兄希．1－．」子竺‘夕、仁七步夸和』1逛11丛1}K牢刁屯4mGB/T13150-2005代替GB/T13150-1991"』I任己杀日倪．才片曰之、1、．．马a办卜千仔件命1=t-夕丁%1命1十电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范Semiconductordevices-Discretedevices-Blankdetailspecificationforbidirectionaltriodethyristors(t

2、riacs)，ambientandcase-rated，forcurrentsgreaterthan100A(IEC60747一6一2/QC750111：1991，NEQ)2005-03-23发布2005-10-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局。，1T/}LVI}'Iri1}=17}/Ji1lLF1"1LTM"M/X1CA/J发布GB/T13150-2005．告L．．吕．．月U胃本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一，这一系列国家标准现包括：-GB/T6352半导体器件分立器件第6部分：闸流晶

3、体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范—-GB/T6590半导体器件分立器件第6部分：闸流晶体管第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范—GB/T13150半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范—GB/T13151半导体器件分立器件第6部分：晶闸管第三篇：电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范—GB/T131535A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范本标准参照IEC60747-6-2

4、;1991《半导体器件分立器件第6部分：晶闸管第二篇：电流小于等于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管（triacs）空白详细规范））（英文版），修订GB/T13150-1991((100A以上环境或管壳额定双向三极晶闸管空白详细规范》而产生。本标准与IEC60747-6-2的一致性程度为非等效，主要差异如下：—适用电流范围不同，本标准适用于额定电流大于100A的双向三极晶闸管，IEC60747-6-2适用于额定电流小于等于100A的双向三极晶闸管；—抽样要求不同，IEC60747-6-2仅说明“A组检验的

5、抽样方案在详细规范中可选择AQL或LT-PD"，对B,C,D组检验的抽样未加规定，而本标准明确要求：A组检验对全部器件进行，B组和C,D组检验的抽样分别按LTPD=30和LTPD=50;—因勘误的不同："4.2贮存温度和等效结温”应编辑为“4.2贮存温度”和“4.3等效结温”，后面条号作相应调整；5.1中的“2倍”应为“招倍”，5.3中的“最大值”应为“最小值和最大值”，5.7,5.8和5.9中的“最大值”均应为“最小值”;C组中删去了与A组中重复的IGT,VGT,IDM2和VGD四项检验；—本标准在B3分组中

6、，增加了“转矩（D)”项目，并作了文字完善，A4分组增加了“换向电压临界上升率（适用时）”的检验，增加了“C2d分组热阻（适用时）”的检验；—本标准极限值参数表中补充了四个符号：M,F,IZt，和I,t,o本标准与GB/T13150-1991相比主要变化如下：—标准名称中增加了引导要素文字：“半导体器件分立器件”并作了个别文字作改（见前版和本版的封面、首页）；—增加了“前言”，删去了“附加说明”（前版的“附加说明”；本版的“前言”）；—删去了第8章各表中的抽样方案和附录A追加抽样表，增加了对A,B,C,1)组抽

7、样要求的文字说明（前版第8章各表和附录A；本版第8章方括号中的文字）；—增加了无再加反向电压、有再加反向电压的IZPt的符号分别为IZt，和IZt2，并修改了IZFt试验的温度条件（见前版和本版的4.5.5);—"5.11热阻”的文字和符号作了补充和完善；—前版的A3分组（IGT,VGT）在本版并人了A2b分组，本版A2b分组中的断态峰值电流仅是IDRMI，而A3分组项目变为ID12M2;A4分组中删去了“断态电压临界上升率”项目（见前版和本版的A组检验）；标准分享网www.bzfxw.com免费下载GB/T1

8、3150-2005—增加了“B3分组端子强度仁适用时〕转矩（D)”检验；C7分组的“稳态湿热”的单一试验条件改为按空腔、非空腔器件分别规定不同的试验条件（见前版和本版的B组检验、C组检验）。本标准中引用的国家标准如下：GB/T2423.23-1995电工电子产品环境试验试验Q：密封GB/T4589.1-1989半导体器件分立器件和集成电路总规范（idtIEC60747-10:1984)