毕业设计(论文)-氧化铝系cmp抛光液磨料的制备

毕业设计(论文)-氧化铝系cmp抛光液磨料的制备

ID:6797896

大小:1.22 MB

页数:42页

时间:2018-01-26

毕业设计(论文)-氧化铝系cmp抛光液磨料的制备_第1页
毕业设计(论文)-氧化铝系cmp抛光液磨料的制备_第2页
毕业设计(论文)-氧化铝系cmp抛光液磨料的制备_第3页
毕业设计(论文)-氧化铝系cmp抛光液磨料的制备_第4页
毕业设计(论文)-氧化铝系cmp抛光液磨料的制备_第5页
资源描述:

《毕业设计(论文)-氧化铝系cmp抛光液磨料的制备》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、密级:内部氧化铝系CMP抛光液磨料的制备PreparationofAluminaSeriesAbrasiveParticlesforCMP学院:专业班级:学号:学生姓名:指导教师:年月毕业设计(论文)指导教师审阅意见题目:氧化铝系CMP抛光液磨料的制备评语:指导教师:(签字)年月日毕业设计(论文)评阅教师审阅意见题目:氧化铝系CMP抛光液磨料的制备评语:评阅教师:(签字)年月日毕业设计(论文)答辩成绩评定专业毕业设计(论文)第答辩委员会于年月日审定了班级学生的毕业设计(论文)。听取了该生的报告,并进行了答辩。

2、设计(论文)题目:毕业设计(论文)答辩委员会意见:经答辩委员会无记名投票表决,通过同学本科毕业设计(论文)答辩。根据学校相关规定,经答辩委员会认定,该生的毕业设计(论文)成绩为。成绩:专业毕业设计(论文)答辩委员会主任委员(签字)年月日摘要随着社会进步和高精尖技术的飞速发展,电子产品表面质量要求的不断提高,表面平坦化技术也在不断发展,如最初半导体基片大多采用机械抛光的平整方法,但得到的表面损伤极其严重;各种沉淀技术也曾在集成电路工艺中获得应用,但均属于局部平面化技术,其平坦化能力从几微米到几十微米不等,不能满

3、足尺寸微小的全局平面化要求。氧化铝凭借其高硬度、稳定性好等优点而在精密加工制造等工业应用中有突出表现,尤其是在化学机械抛光(CMP)方面倍受青睐。球形氧化铝对抛光面不易产生微细划痕,而成为CMP磨料的主要原料。国内外关于球形氧化铝的制备研究比较活跃,采用乳化、化学气相沉积等技术制备球形氧化铝取得了一定的成果。本文的中心工作是围绕超细氧化铝系化学机械抛光磨料的制备展开的。氧化铝磨料的合成部分是以氯化铝为反应原料,制备球形氧化铝。考察了不同的因素对氧化铝形貌的影响。本文通过对氧化铝的制备、颗粒形貌的控制做了以下几

4、方面的研究。从而确定了制备氧化铝的最佳工艺条件并对产物的物相结构、颗粒粒径及形貌等性质采用扫描电镜、热比重等技术手段。结合实验现象以及相关的表征所获的信息对氧化铝颗粒不同形貌的产生原因进行了初步研究讨论。(1)铝盐和不同浓度的碱对氧化铝的形状影响以相同浓度的氯化铝为条件,和氨水及氢氧化钠反应,通过电镜可以观察到铝盐和不同碱液对氧化铝形貌的影响。(2)不同浓度铝盐对氧化铝的形状影响以相同浓度的氢氧化钠为条件,改变氯化铝的浓度;或以相同浓度的氯化铝,改变氢氧化钠的浓度,观察铝盐及碱液不同浓度对氧化铝的形状影响。(

5、3)其他因素对氧化铝形状的影响等关键词:化学机械抛光磨料;氧化铝;氯化铝AbstractWiththesocialprogressandtherapiddevelopmentofsophisticatedtechnology,thesurfacequalityrequirementsofelectronicproductscontinuetoimprovethesurfaceplanarizationtechnologyisconstantlyevolving,suchastheinitialsemicond

6、uctorsubstratemostlymechanicalpolishingofflat,butthesurfacedamageisextremelyserious;avarietyofprecipitationtechniquesalsointheICprocess,butbelongtothelocalplanetechnology,theplanarizationcapabilityfromafewmicronstotensofmicrons,cannotmeetthesizeofatinygloba

7、lplanarizationrequirements.Aluminaplaysanimportantroleinprecisionmachiningmanufacturingindustryduetoitsadvantageofhighdegreeofhardnessandfinestabilityproperties.Aluminaisparticularlywidelyacceptedforitsapplicationinchemicalmechanicalpolishing(CMP).Micro-scr

8、atcheswillhardlyappearwhensphericalaluminaisusedinCMP.ThestudiesonthepreparationofsphericalaluminaareactiveinChinaandabroad.Thoughusingemulsification,chemicalvapordepositionandothermethodstopreparealum

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。