led的生产工艺流程及设备

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1、LED的生产工艺流程及设备本文由jiabuda贡献ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。LED的生产工艺流程及设备的生产工艺流程及设备黄健全2007.3主要内容LED生产工艺流程；LED衬底材料制作；LED外延制作；Led生产工艺流程1、所用硅衬底在放入反应室前进行清洗。先用H2SO4∶H2O2(3∶1)溶液煮10min左右,再用2%HF溶液腐蚀5min左右,接着用去离子水清洗,然后用N2吹干。2、衬底进入反应室后在H2气氛中于高温进行处理,以去除硅衬底表面氧化物。3、然后温度降至800℃左右,生长厚约100埃的AlN缓冲层。4、接着把温

2、度升至1050℃生长200nm偏离化学计量比(富镓生长条件)的GaN高温缓冲层。5、再生长0.4μm厚未掺杂的GaN。6、接着生长2μm厚掺Si的n型GaN,接下来在740℃生长5个周期的InGaN多量子阱有源层。7、以及在990℃生长200nm的p型GaN。Led生产工艺流程8、生长结束后，样品置于N2中于760℃进行退火,9、然后再对样品进行光刻和ICP刻蚀。Ni/Au和Ti/Al/Ni/Au分别用作p型GaN和n型GaN的欧姆接触电极。LED生产工艺流程LED透明电极LED生产工艺流程蓝宝石衬底LED（正装、倒装）LED生产工艺流程蓝宝石衬底紫外LEDLED生产工艺流程蓝宝石衬

3、底白光LEDLED生产工艺流程多晶硅衬底制作外延生长芯片制作LED所举例子只是一种LED制作工艺，不同的厂家都有自己独到的一套制作工艺，各厂家所使用的设备都可能不一样，各道工序的作业方式、化学配方等也不一样，甚至不同的厂家其各道制作工序都有可能是互相颠倒的。但是万变不离其宗，其主要的思想都是一样的：外延片的生长（PN结的形成）电极的制作（有金电极，铝电极，并形成欧姆接触）封装。LED衬底材料制作硅的纯化长晶切片晶边磨圆晶面研磨晶片蚀刻退火晶片抛光晶片清洗检验/包装LED衬底材料制作--硅的纯化硅石(Silica)焦炭、煤及木屑等原料混合置于石墨沉浸的加热还原炉中，并用1500-200

4、0℃的高温加热，将氧化硅还原成硅，此时硅的纯度约为98％左右，在纯度上达不到芯片制作的要求，要进一步纯化：1）盐酸化：将冶金级的多晶硅置于沸腾的反应器中，通往盐酸气以形成三氯化硅；2）蒸馏：将上一步的低沸点产物（TCS）置于蒸馏塔中，将其他不纯物用部分蒸馏去除。3）分解：将已蒸馏纯化的TCS置于化学气相沉淀（CVD）反应炉中，与氢气还原反应而析出于炉中电极上，再将析出的固态硅击碎成块状多晶硅。LED衬底材料制作西门子式工艺多晶硅LED衬底材料制作--长晶经过纯化得到的电子级硅虽然纯度很高，可达99.999999999%，但是结晶方式杂乱，又称为多晶硅，必需重排成单晶结构，因此将电子级

5、硅置入坩埚内加温融化，先将温度降低至一设定点，再以一块单晶硅为晶种，置入坩埚内，让融化的硅沾附在晶种上，再将晶种以边拉边旋转方式抽离坩埚，而沾附在晶种上的硅亦随之冷凝，形成与晶种相同排列的结晶。随着晶种的旋转上升，沾附的硅愈多，并且被拉引成表面粗糙的圆柱状结晶棒。拉引及旋转的速度愈慢则沾附的硅结晶时间愈久，结晶棒的直径愈大，反之则愈小。LED衬底材料制作长晶过程注意事项LED衬底材料制作--切片切片是晶片成形的第一个步骤，也是相当关键的一个步骤。它决定了晶片的几个重要规格：晶面的结晶方向、晶片的厚度、晶面斜度与曲度。1）晶棒固定2）结晶定位切割LED衬底材料制作晶边磨圆晶边磨圆主要有

6、以下几个目的：1）防止晶片边缘碎裂2）防止热应力集中3）增加外延层、光刻胶层在晶片边缘的平坦度LED衬底材料制作--研磨和蚀刻晶面研磨通以特定粒度及粘性的研磨液，加外研磨盘的公转和自转，达到均匀磨平晶片切片时留下的锯痕、损伤等不均匀表面。晶片蚀刻蚀刻的目的在于除去先前各步机械加工所造成的损伤，同时获得干净且光亮的表面，刻蚀化学作用可区分为酸性及碱性反应。晶片研磨机LED衬底材料制作--退火与抛光退火将晶片置于炉管中施以惰性气体加热30分钟至一小时，再在空气中快速冷却，可以将所有氧杂质限制作，这样晶片的电性（阻值）仅由载流子杂质来控制，从而稳定电阻。晶片抛光可分为边缘抛光与晶片表面抛光

7、。高温快速热处理系统晶片研磨/抛光机LED衬底材料制作--清洗、检验和包装晶片清洗用RCA溶液（双氧水＋氨水或又氧水＋盐酸），将前面工序所形成的污染去除。检验（INSPECTION）：芯片在无尘环境中进行严格的检查，包含表面的洁净度、平坦度以及各项规格以确保品质符合顾客的要求。包装（PACKING）通过检验的芯片以特殊设计的容器包装，使芯片维持无尘及洁净的状态，该容器并确保芯片固定于其中，以预防搬运过程中发生的振动使芯片受损清洗机LED外延制作在单晶衬底上