材料物理性能复习题库

材料物理性能复习题库

ID:6707451

大小:308.82 KB

页数:7页

时间:2018-01-23

材料物理性能复习题库_第1页
材料物理性能复习题库_第2页
材料物理性能复习题库_第3页
材料物理性能复习题库_第4页
材料物理性能复习题库_第5页
资源描述:

《材料物理性能复习题库》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、材料物理性能习题与解答材料的热学性能2-1计算室温(298K)及高温(1273K)时莫来石瓷的摩尔热容值,并请和按杜龙-伯蒂规律计算的结果比较。(1)当T=298K,Cp=a+bT+cT-2=87.55+14.96*10-3*298-26.68*105/2982=87.55+4.46-30.04=61.97*4.18J/mol.K(2)当T=1273K,Cp=a+bT+cT-2=87.55+14.96*10-3*1293-26.68*105/12732=87.55+19.34-1.65=105.24*4.18J/mol.K=438.9J/mol.K据杜隆-珀替

2、定律:(3Al2O3.2SiO4)Cp=21*24。94=523.74J/mol.K2-2康宁1723玻璃(硅酸铝玻璃)具有下列性能参数:λ=0.021J/(cm.s.℃);α=4.6*10-6/℃;σp=7.0Kg/mm2.E=6700Kg/mm2,μ=0.25.求第一及第二热冲击断裂抵抗因子。第一冲击断裂抵抗因子:==170℃第二冲击断裂抵抗因子:=170*0.021=3.57J/(cm.s)2-6NaCl和KCl具有相同的晶体结构,它们在低温下的Debye温度θD分别为310K和230K,KCl在5K的定容摩尔热容为3.8*10-2J/(K.mol),试

3、计算NaCl在5K和KCl在2K的定容摩尔热容。2-7证明固体材料的热膨胀系数不因为含均匀分散的气孔而改变。3材料的光学性能3-1.一入射光以较小的入射角i和折射角r通过一透明明玻璃板,若玻璃对光的衰减可忽略不计,试证明明透过后的光强为(1-m)2解:W=W’+W’’其折射光又从玻璃与空气的另一界面射入空气则3-2光通过一块厚度为1mm的透明Al2O3板后强度降低了15%,试计算其吸收和散射系数的总和。解:3-3有一材料的吸收系数α=0.32cm-1,透明光强分别为入射的10%,20%,50%及80%时,材料的厚度各为多少?解:3-4一玻璃对水银灯蓝、绿谱线λ

4、=4358A和5461A的折射率分别为1.6525和1.6245,用此数据定出柯西Cauchy近似经验公式的常数A和B,然后计算对钠黄线λ=5893A的折射率n及色散率dn/dλ值。解:3-7.一光纤的芯子折射率n1=1.62,包层折射率n2=1.52,试计算光发生全反射的临界角θc.解:4材料的电导性能4-1实验测出离子型电导体的电导率与温度的相关数据,经数学回归分析得出关系式为:(1)试求在测量温度范围内的电导活化能表达式。(2)若给定T1=500K,σ1=10-9(T2=1000K,σ2=10-6(计算电导活化能的值。解:(1)==W=式中k=(2)B=

5、-3000W=-ln10.(-3)*0.86*10-4*500=5.94*10-4*500=0.594eV4-3本征半导体中,从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为:式中N为状态密度,k为波尔兹曼常数,T为绝对温度。试回答以下问题:(1)设N=1023cm-3,k=8.6”*10-5eV.K-1时,Si(Eg=1.1eV),TiO2(Eg=3.0eV)在室温(20℃)和500℃时所激发的电子数(cm-3)各是多少:(2)半导体的电导率σ(Ω-1.cm-1)可表示为式中n为载流子浓度(cm-3),e为载流子电荷(电荷1.6*1

6、0-19C),μ为迁移率(cm2.V-1.s-1)当电子(e)和空穴(h)同时为载流子时,假定Si的迁移率μe=1450(cm2.V-1.s-1),μh=500(cm2.V-1.s-1),且不随温度变化。求Si在室温(20℃)和500℃时的电导率解:(1)Si20℃=1023*e-21.83=3.32*1013cm-3500℃=1023*e-8=2.55*1019cm-3TiO220℃=1.4*10-3cm-3500℃=1.6*1013cm-3(2)20℃=3.32*1013*1.6*10-19(1450+500)=1.03*10-2(Ω-1.cm-1)500

7、℃=2.55*1019*1.6*10-19(1450+500)=7956(Ω-1.cm-1)4-6一块n型硅材料,掺有施主浓度,在室温(T=300K)时本征载流浓度,求此时该块半导体的多数载流子浓度和少数载流子浓度。4-10300K时,锗的本征电阻率为47Ω.cm,如电子空求本征锗的载流子浓度分别为3900和1900.求本征锗的载流子浓度.4-11本征硅在室温时电子和空穴迁移分别为1350和500,当掺入百万分之一的As后,设杂质全部电离,试计算其电导率.比本征硅的电导率增大了多少倍?5材料的磁学性能5-6自发磁化的物理本质是什么?材料具有铁磁性的充要条件是什

8、么?答:铁磁体自发磁化的本质是电子间的

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。