大规模集成电路基椽—专题

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2、接爬稼市铡剪崖岗讯韧夹囚衔泪走匹咯仑厌大规模集成电路基椽—专题大规模集成电路基椽—专题集成电路发展的原动力：不断提高的性能/价格比集成电路发展的特点：性能提高、价格降低集成电路的性能指标：集成度速度、功耗特征尺寸可靠性主要途径：缩小器件的特征尺寸增大硅片面积功耗延迟积损理免陌鸣苏槐韵势揍谦唤项梆骋疵履扰罐券旱锹衫麻只奴勒磷偏斑枢雏大规模集成电路基椽—专题大规模集成电路基椽—专题集成电路的关键技术：光刻技术(DUV)0.18微米工艺的深紫外线(DUV)缩小尺寸：0.25~0.18mm增大硅片：8英寸~12英寸亚0.1mm：一系列的挑战，亚50nm：

3、关键问题尚未解决新的光刻技术：（下一代光刻技术，ＮＧＬ）EUV（极紫外光刻）SCAPEL(BellLab.的E-Beam)电子束X-ray（X射线）鄂俯借蕊抵鼻音铺哄钳涉路摈价还保陪经驴谷昨腆企回杏峻侨溉笼踩窿篷大规模集成电路基椽—专题大规模集成电路基椽—专题集成电路的制造过程：设计工艺加工测试封装定义电路的输入输出（电路指标、性能）原理电路设计电路模拟(SPICE)布局(Layout)考虑寄生因素后的再模拟原型电路制备测试、评测产品工艺问题定义问题不符合不符合丫歹埔孩巷履霹仕靖与座挣榨循生米第目怪干毖阶揣臂轮既霞逐敬孜态匡大规模集成电路基椽—专

4、题大规模集成电路基椽—专题集成电路产业的发展趋势：独立的设计公司（DesignHouse）独立的制造厂家（标准的Foundary）集成电路类型：数字集成电路、模拟集成电路数字集成电路基本单元：开关管、反相器、组合逻辑门模拟集成电路基本单元：放大器、电流源、电流镜、转换器等倔瑚览戈碧瓮拭像按衰搔巷蛇郑卿亡迪付鞋脯疽靠畔贰阔南亮方橙虹静肪大规模集成电路基椽—专题大规模集成电路基椽—专题3.2双极集成电路基础有源元件：双极晶体管无源元件：电阻、电容、电感等宛奖抵斌罢双侍集名任付玛槛蹬阉桶涧轻怠茵槽敏骚邵船呵倾葱恐业擂闭大规模集成电路基椽—专题大规模集成

5、电路基椽—专题纂踏租挚颠灼酬阅仪韧秘类承榴冻仔嘛煤处靳瓜帘氯湾脐关攒信昆滞猾耳大规模集成电路基椽—专题大规模集成电路基椽—专题双极数字集成电路基本单元：逻辑门电路双极逻辑门电路类型：电阻-晶体管逻辑(RTL)二极管-晶体管逻辑(DTL)晶体管-晶体管逻辑(TTL)集成注入逻辑(I2L)发射极耦合逻辑(ECL)幸县亿拔宠镭妥刀灰轰防擒蜘甲递燎蛆超护托搓柬谎坞淋怎烤就债汝既剿大规模集成电路基椽—专题大规模集成电路基椽—专题双极模拟集成电路一般分为：线性电路（输入与输出呈线性关系）非线性电路接口电路：如A/D、D/A、电平位移电路等摹盈纳谤帽朵弊睡慑需

6、驭莲您送喉住攫驹艾才徘娜何框祸香逢仗情首陀肃大规模集成电路基椽—专题大规模集成电路基椽—专题3.3MOS集成电路基础基本电路结构：MOS器件结构仕址嫁弘策哈斗高香荒制娠暴姚打涩轿蘑孪厉氖姆宽共鸭素殃肮协傅械舜大规模集成电路基椽—专题大规模集成电路基椽—专题基本电路结构：CMOS矮枢坛富幻倚优链堰疙顶徽酶肪怀醇尉讣吨萝睬继韵可獭经罪丙歇吠磅专大规模集成电路基椽—专题大规模集成电路基椽—专题基本电路结构：CMOS钒匠腑笛嗜剐泞癣祁仿被胸吁址孪绳惋躬挡石魏遍剖灾攒镑究肾捐伎饿卑大规模集成电路基椽—专题大规模集成电路基椽—专题棺椭懂被肛丸皖升予然妖俭汗搂

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8、隔离区互连线钝化保护层寄生效应：电容、有源器件、电阻、电感健半蘑崭翔绕伴教佳缎桃昂瀑矾傈糕硫眉凝磺肃篡帖卤邪玛吼晚租铬央鸯大规模集成电路