化学药物复方制剂杂质研究的考虑要点

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1、发布日期20050112栏目化药药物评价标题化学药物复方制剂杂质研究的考虑要点正文审评二部药学组李志万霍秀敏唐素芳复方制剂因组分较多，其杂质研究一直是质量研究和技术审评的关注重点，我们在初步总结了复方制剂组成形式的基础上，从杂质预测和分析、杂质研究思路和检查方法三方面提出了复方制剂的杂质研究对策，以期与大家交流。一、复方制剂杂质的预测和分析复方制剂中的杂质，一般可分为有机杂质、无机杂质及残留溶剂，本文主要阐述有机杂质的研究。杂质的检查除需借助相应仪器外，有时可通过对药物制备工艺、化学结构、贮存条件等分析推断出部分药物杂

2、质的种类，甚至结构。由复方制剂中各主药引入的杂质，主要包括主药合成中未反应完全的原料/反应物、中间体、副反应产物等；通过对药物结构、贮存条件等分析可获得因药物降解而产生的部分杂质，如含对乙酰氨基酚类复方药物，应考虑有对氨基酚存在的可能。组方后产生的杂质可通过制剂工艺分析（如有无湿法制粒、高温干燥/灭菌等）推测可能产生的杂质，文献报道亦是非实验而获得杂质信息的途径之一。杂质的预测和分析对杂质检测方法的选择、方法的验证有着重要意义。因此，制备工艺研究人员与质量研究人员的密切协作，对更好地进行药物质量研究具有特殊的意义。二、

3、复方制剂杂质研究的思路复方制剂因组分、结构及含量的不同，导致杂质的研究也复杂多样，难以制订统一的研究方法，因此我们在详细分析复方制剂中各主药的结构、稳定性、含量等情况的基础上，对其杂质的研究提出以下对策。1、复方制剂中的已知杂质，宜采用杂质对照品法进行检查。2、复方制剂中杂质结构差异较大时，可采用不同检测方法进行研究。杂质结构差异判断主要从以下几个方面考虑：1）原料药制备工艺（引入杂质）。2）主药结构（降解产物）。3）有关的研究结果。4）文献报道。不同检测方法包括不同的色谱方法（如HPLC法、TLC法、GC法和HPCE

4、法等），或相同的色谱方法但不同的色谱条件（如HPLC法采用不同柱型、不同极性流动相，不同检测波长或检测；TLC法采用不同固定相、不同展开剂；GC法采用不同固定相、不同柱温等）。3、复方制剂中杂质结构相近时，在确保方法专属性的前提下，可采用一种色谱条件进行杂质研究。4、复方制剂中各主药稳定性相差较大时，可针对不稳定主药的杂质进行研究。复方制剂中各主药的结构千差万别，其稳定性亦不尽相同，在经过严格的实验验证或有明确的文献资料支持下，可将杂质研究的重点转移到不稳定的主药上。5、复方制剂中各主药含量相差较大，但稳定性均较好，可

5、主要针对含量较大的主药进行杂质研究。采用该方法研究应有明确文献支持小组分不会产生毒性的杂质，如产生毒性杂质，该毒性杂质应采用杂质对照品法进行研究控制。6、复方制剂中各主药的稳定性均较差，或者各主药含量相近、稳定性亦相近的复方制剂，建议均进行相应杂质的研究，分析方法可参照上述（1—3）项酌情选用。7、对组分较多的复方制剂，如复方氨基酸，多种维生素等复方制剂，应详细分析各组分的稳定性情况，有针对性地进行杂质研究。此时更应关注检测方法的专属性，可通过关注影响因素试验、加速试验等稳定性试验的有关图谱/结果，判定杂质的变化趋势，

6、含量变化趋势亦是杂质变化趋势的一种间接体现。8、其他情况：对（双）多层片但不同片层仅含单一组分的复方片剂，或多种色泽/形状颗粒且不同色泽/形状颗粒仅含单一组分的胶囊/颗粒剂等固体复方制剂，如能采用物理手段（如小心切开、分拣等）将不同主药组分简单地分离，可参照各主药单方制剂的杂质检查方法分别进行研究。这些特殊剂型采用该方法时应注意主药之间有无迁移现象。三、杂质检查方法的一般考虑鉴于目前国内研究现状，我们以专属性好、灵敏度高、应用范围较广的HPLC法为例进行阐述，其他方法可以此作做参考。1、检测器的选择：目前可用于HPLC

7、法的检测器很多，应根据对杂质结构的分析进行有目的的选择。因大多数药物及杂质在紫外光区均有吸收，故UV检测器为常用检测器。对于在紫外光区吸收较弱或无吸收的杂质，可采用其他通用型检测器（如蒸发光散射检测器、示差折光检测器等）进行研究。二极管阵列检测器（DAD）对复方制剂的杂质研究有着重要的意义。通过该检测器可获得各杂质的全光谱信息，有助于判断杂质检测波长选择的合理性，并可进行峰纯度检查。2、检测波长的选择：应选用对各杂质均有较强吸收的波长作为检测波长，当一个测定波长无法兼顾所有杂质时，可选用不同波长分别测定。3、杂质的定量

8、方法：常用的杂质定量方法有杂质对照品法、加校正因子的主成分自身对照法、不加校正因子的主成分自身对照法和峰面积归一化法。（1）杂质对照品法：适用于已知杂质的检查。（2）加校正因子的主成分自身对照法：应注意不同时间、不同仪器、不同实验室间相对保留时间的波动，以及当供试品中存在多个杂质而又分离度较差时可能造成杂质定位的困难。使用该方法应