模拟电子综合练习及答案.docx

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1、B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOSfD.N沟道耗尽型MOSf3.在图示2差分放大电路中,=20mV，则电路的（）。丄%模拟电子综合练习练习一一、填空（16分）1•半导体二极管的主要特性是。2•三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为偏置；工作在饱和区时发射结为偏置，集电结为偏置。3.当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的—倍，或者是下降了_dB,此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为。4•为提高放大电路输入电阻应引入—反馈；为降低放大电路输岀电阻，应引入反馈。5•乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电

2、流ICQ=、静态时的电源功耗PDC=。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到，但这种功放有失真。6•在串联型稳压电路中，引入了一一负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在区域。二、选择正确答案填空（24分）0V，-10V，-9.3V，则这只三极1•在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为管是（）。A.NPN型硅管B•NPN型错管C•PNP型硅管D.PNP型错管2•某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（）A.P沟道增强型MOStA.差模输入电压为10mV，共模输入电压为10mVB.差模输入电压为10mV，共模输入电压为20m

3、VC.差模输入电压为20mV，共模输入电压为10mV31/26D.差模输入电压为20mV,共模输入电压为20mV。4•通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。A.输入电阻高B•输岀电阻低C•共模抑制比大D•电压放大倍数大5•在图示电路中，Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应（）[0十卩工31/2631/26D•滞回比较器A.减小C,减小RiB•减小C,增大RiC.增大C,减小RiD•增大C,增大Ri6•如图所示复合管，已知V1的bl=30,V2的b2=50，则复合后的b约为（）A.1500B•80C•

4、50D•307・RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成，即RC串并联选频网络和（）。A.基本共射放大电路B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路D•同相比例运算电路8•已知某电路输入电压和输岀电压的波形如图所示，该电路可能是（）三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数：V1的b1、rbe1,V2的b2、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。1•分别指岀V1、V2的电路组态；2.画岀图示电路简化的H参数微变等效电路；1•计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输岀电阻Roo（12分）31/26?（10分）31/26试分别

5、求岀电路的中频电压放大倍五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示,数及下限截止频率（8分）31/2631/2631/26六、分析图示两个电路的级间反馈。回答：（12分）31/261•它们是正反馈还是负反馈?2•是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有?3.它们属于何种组态?4.各自的电压放大倍数大约是多少?31/2631/26tookn31/2631/26100kQ地1[>S-*丰①十31/2631/26七、电路如图所示。试回答：1•该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件？2•如不满足，应如何改动使之有可能振荡？如果满足，则

6、它属于哪种类型的振荡电路?1•在满足振荡条件的情况下，电路的振荡频率为多少？（10分）31/26o-10V4700pF(1.1吐K丁4703pF八、电路如图所示，已知稳压管DZ的稳压值UZ=6V,IZmin=5mA,IZmax=40mA，变压器二次电压有效值U2=20V，电阻R=240W，电容C=200卩F。求：（8分）1•整流滤波后的直流电压UI（AV）约为多少伏？2•当电网电压在士10%勺围内波动时，负载电阻允许的变化范围有多大？练习二一、填空：（18分）1•为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用—耦合方式，为

7、了实现阻抗变换，使信号与负载间有较好的配合，放大电路应采用耦合方式。=20=—10=12•在三极管多级放大电路中，"U，总的电压增益=；Au1是—放大器；Au2是__放大器；Au3是—放大器。3•单相桥式整流电路中，若输入电压U2=30V，则输岀电压Uo=V;若负载电阻RL=100W整流二极管ID（AV）=___A。3.文氏桥正弦波振荡器用RC串并联网络选频，当这种电路产生正弦波振荡时，该选频网络的反馈系数（即传输系数）F=?5•在信号处理电路中，当有用信号频率低于10Hz时，可选用滤波器；有用信号频率高于10kHz时，可选用？滤波器；

8、希望抑制50Hz的交流电源干扰时，可选用？滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用滤波器。6•甲类放大电路是指放大管的导通角为；乙类放大电路则其放大管的导通角为；在甲乙类31/26放大电路中，放大管的导通