太阳能电池制造工艺

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1、增大字体增大字体多晶硅铸锭炉多晶硅铸锭炉主要用于太阳能级多晶硅锭的大生产，它采用先进的多晶硅定向凝固技术,将硅料高温熔融后通过特殊工艺定向冷凝结晶,从而达到太阳能电池生产用多晶硅品质的要求，是一种适用于长时间连续工作，高精度、高可靠性、自动化程度高的智能化大生产设备。制绒清洗机 制绒清洗机(中国电子科技集团公司第四十八研究所产品)主要用于太阳能电池生产线上硅片扩散前硅片表面的油类分子、金属杂质、机械损伤层的去除及金字塔绒面制作.是一条集清洗、腐蚀、干燥为一体的全自动综合清洗工艺线。本设备采用红外灯管加热，温度响应迅速，温度均匀性好。增大字体单

2、晶炉   主要用途:CZ800-A、CZ900A型单晶炉，是一种软轴提拉型单晶炉，在惰性气体（氩气）的保护环境中，以石墨电阻加热器，将多晶硅材料熔化，用直拉法生长无错位单晶棒的设备。主要技术特点:真空保持稳定，重要的密封部位采用先进的磁流体密封技术；机构运行平稳，主要运行部件采用进口高性能电机和高精度传动机构；主炉室和副炉室之间采用插板阀连接，有效降低炉体高度，降低厂房要求和减小籽晶轴的晃动；主炉室与副炉室升降采用三相异步电机驱动，安全可靠；完全具有自主知识产权的控制系统，以高性能进口PLC为控制核心，外加工业级PC监控拉晶过程，性能可靠，避

3、免死机现象发生；先进的串级控制算法，精确控制温度和拉速，实现高精度的晶体生长；全进口低压电气元件，保护灵敏可靠，维护方便；触摸屏操作界面简洁、友好，控制过程可视性强，工艺曲线编辑方便；单晶炉专用数字控制电源系统，空载电流小，能耗低。硅太阳能电池制造工艺流程图 1、硅片切割，材料准备：工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）。2、去除损伤层：硅片在切割过程会产生大量的表

4、面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。3、制绒：制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟。对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。4、扩散制结：扩散的目的在于形成PN结。普遍采用磷做n型掺杂。由

5、于固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。5、边缘刻蚀、清洗：扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。6、沉积减反射层：沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。广泛使用PECVD淀积Si

6、N,由于PECVD淀积SiN时,不光是生长SiN作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批量生产。7、丝网印刷上下电极：电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，它不仅决定了发射区的结构，而且也决定了电池的串联电阻和电池表面被金属覆盖的面积。，最早采用真空蒸镀或化学电镀技术，而现在普遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正背面，以形成正负电极引线。8、共烧形成金属接触：晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良

7、好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触。在太阳电池丝网印刷电极制作中，通常采用链式烧结炉进行快速烧结。9、电池片测试：完成的电池片经过测试分档进行归类。