最新苏教版二年级下册《角的初步认识》ppt课件课件ppt.ppt

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1、苏教版二年级下册《角的初步认识》ppt课件学习目标：1.初步认识角。2.能够熟练地辨认角。判断下面的图形，是不是角？判断下面的图形，是不是角？判断下面的图形，是不是角？判断下面的图形，是不是角？判断下面的图形，哪些是角？是不是是是请仔细看看，下面的图形有几个角？有3个角，你答对了吗？请仔细看看，下面的图形有几个角？有4个角，你答对了吗？下面两个角，哪个大，哪个小？用三角板比比看！原来这两个角是一样大的动动脑筋，仔细看看，下面的图形有几个角？一共有3个角，你答对了吗？一共有7个角，你答对了吗？动动脑筋，仔细看看，下面的图形里有几个角？一共有8个角，你答对了吗？动动脑筋，仔细看看，下面

2、的图形里有几个角？电子产品的静电防护一、概述在人们的日常生活和工作中,经常会遇到静电现象。那么,静电到底是什么,它的产生机理以及它有哪些危害,如何预防和消除这些危害,这是我们必须考虑和解决的问题。1．什么是静电？静电是一种电能，它存在于物体表面，是正负电荷在局部失衡时产生的一种现象。静电现象是指电荷在产生与消失过程中所表现出的现象的总称，如摩擦起电就是一种静电现象。2．为什么要防静电？由于电子行业的迅速发展，体积小、集成度高的器件得到大规模生产，从而导致导线间距越来越小，绝缘膜越来越薄，致使耐击穿电压也愈来愈低。而电子产品在生产、运输、储存和转运等过程中所产生的静电电压却远远超过其

3、击穿电压阈值，这就可能造成器件的击穿或失效，影响产品的技术指标，降低其可靠性。由此可见，静电是电子行业发展中的一大障碍。所以预防静电必须提到议事日程上来，以确保产品的质量。为使电子器件及产品在购买、入库、发料、检验、储存、调测和安装等过程中免受静电危害,了解静电产生的机理和一些防止静电产生危害的相关知识是非常必要和重要的。二、电子行业中静电障害的形成电子行业中静电障害可分为两类：一是由静电引力引起的浮游尘埃的吸附；二是由静电放电引起的介质击穿.1．静电吸附在半导体元器件的生产制造过程中,由于大量使用了石英及高分子物质制成的器具和材料，其绝缘度很高，在使用过程中一些不可避免的摩擦可造

4、成其表面电荷不断积聚,且电位愈来愈高。表1列出了半导体元器件及其使用环境中部分物品表面的静电电位。表1各类绝缘膜的耐压值绝缘膜绝缘耐压MV/cm介电常数Si02Si3NTa202Tr02TiO2Nb2O510105-8415472522-2220-4030-100表2各类元件耐静电压值类型耐放电压值（v）VMOSMOSFETGaAsFETEPROM运算放大器JFETCMOS肖特基二极管双极型晶体管ECL可控硅肖特基TTL混合电路SAW30-1800100-200100-300100190-2500140-700250-3000300-3000380-7000500-1500680-

5、1100300-2500500150-500①穿着尼龙衣、塑胶基底鞋缓慢在清洁地板上走动，人身会带7KV-8KV电压②玻璃纤维制成的晶体载料盒滑过聚丙烯桌面时，易产生10KV静电。③晶片装配线：晶片5KV，晶片装料盒35KV，工作服10KV，桌面10KV，有机玻璃盖8KV，石英晶体1.5KV，晶片托盘6KV④光刻间塑料地面0.5KV-1KV，金属网格地面也是0.5KV-1KV，扩散间塑料地面0.5KV-1.5KV瓷砖地面也是0.5KV-1.5KV，塑料墙面约0.7KV，塑料顶棚0-1KV，铝板送风口，回风口0.5KV-1KV，金属活动皮革椅面0.5KV-3KV半导体和IC生产线上

6、的静电及其危害实际工用条件中，几乎20V的静电压直接接触器件就足以毁坏或降低性能。从表1可见，它们的静电电位都很高。由于静电的力学效应，在这种情况下,很容易使工作场所的浮游尘埃吸附于芯片表面，而很小的尘埃吸附都有可能影响半导体器件的良好性能。所以电子产品的生产必须在清洁环境中操作，并且操作人员、器具及环境必须采取一系列的防静电措施，以防止和降低静电危害的形成。2．介质击穿的分类由静电引起元器件的击穿是电子工业中静电危害的主要方式。在强电场中，随着电场强的增强，电荷不断积累，当达到一定程度时，电介质会失去极化特征而成为导体，最后产生介质的热损坏现象，这种现象称为电介质的击穿。介质击穿

7、分热击穿、化学击穿和电击穿三种形式。（1）热击穿介质工作时，当损耗产生的热量大于介质向周围散发的热量时，介质的温度迅速升高，导电随之增加，直至介质的热损坏。可见热击穿的核心问题是散热问题。所以热设计是产品设计的重要环节之一。（2）化学击穿在高压下，强电场会在介质表面或内部的缺陷小孔附近产生局部空气碰撞电离，引起介质电辉，生成化学物质--臭氧和二氧化碳，使绝缘性能降低，致使介质损坏。（3）电击穿电击穿是介质在强电场作用下,被击发出自由电子而引起的。自由电子随电场强度的增