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1、个人收集整理勿做商业用途《简单小谈降内存时序对性能的影响》 作者：中关村论坛版主俺是家俊版权归俺是家俊所有内存负责向ＣＰＵ提供软件和系统运算所需的原始数据,而目前 ＣPU运行速度超过内存数据传输速度很多。因此，很多情况下，ＣPU都需要等待内存提供数据,这就是常说的“CPＵ等待时间”。内存传输速度越慢,CPU 等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此,快速的内存,是有效提升 CＰU效率和整机性能的关键之一。 在实际工作时,无论什么类型的内存,在数据被传输之前,传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应,通俗
2、点说，就是传输前,传输双方必须要进行必要的通信,而这样就会造成传输的一定延迟时间。时序设置一定程度上反映出了该内存在 CPU 接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出，同频率的内存,时序设置低的，更具有速度优势。 上面只是给大家建立一个基本的延迟概念。而实际上,内存延迟的基本因素,绝对不止这些。内存延迟时间，有个专门的术语叫“Latencｙ”。要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组,或者一个 EＸＣEＬ表格，要确定每个数据的位置,每个数据都是以行和列编排序号来标示,在
3、确定了行、列序号之后，该数据就唯一了。内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去,这个 RAS信号（RowAｄｄresｓ Sｔrｏｂｅ,行地址信号)就被激活,而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期,然后接下来ＣAＳ 信号(Cｏlumｎ AddressStｒoｂe，列地址信号）被激活。在 RAS信号和CAS信号之间的几个执行周期,就是RAS－tｏ－CＡS延迟时间。在CAS信号被执行之后，同样也需要几个执行周期。 CL设置较低的内存，具备更高的优势，这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟
4、时间有一个计算公式，总延迟时间＝系统时钟周期×ＣL模式数+存取时间（tAC)。首先,来了解一下存取时间（tAC)的概念。ｔAC 是 AccｅsｓTｉmｅ ｆrom CLK的缩写，是指最大ＣAS 延迟时的最大数输入时钟，是以纳秒为单位的，与内存时钟周期是完全不同的概念,虽然都是以纳秒为单位。存取时间（tＡC）代表着读取、写入的时间，而时钟频率则代表内存的速度。个人收集整理勿做商业用途 举个例子，来计算一下总延迟时间。比如,一条ＤDR333内存，其存取时间为6ｎs，其内存时钟周期为６ｎs(DDR内存时钟周期=1X2/内存
5、频率,DＤR３3３ 内存频率为333,则可计算出其时钟周期为６ｎs)。我们在主板的 ＢIOS 中，将其CＬ 设置为 2.5,则总的延迟时间＝6nsＸ2.5+６ns=２1ｎs。而如果CＬ设置为２,那么总的延迟时间＝６nsX２＋6ns＝18ns,就减少了 ３ns的时间。 从总的延迟时间来看，ＣL值的大小起到了很关键的作用。所以，对系统要求高和喜欢超频的用户,通常喜欢购买CL值较低的内存。目前，各内存颗粒厂商除了从提高内存时钟频率来提高DＤR 的性能之外，已经考虑通过更进一步的降低 CAＳ延迟时间，来提高内存性能。不同类型
6、内存的典型CL值并不相同。 不过,并不是说ＣＬ值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。例如，新一代处理器的高速缓存较有效率，这表示处理器比较少地直接从内存读取数据。再者，列的数据会比较常被存取,所以RAS-ｔo-CAS的发生几率也大,读取的时间也会增多。最后，有时会发生同时读取大量数据的情形,在这种情形下，相邻的内存数据会一次被读取出来，ＣAS延迟时间只会发生一次。 ****＊＊****＊＊*****＊＊*＊*****＊＊**＊＊*＊***以上是一些旧资料*＊***＊****＊******＊＊＊*＊****
7、************＊目前主流主板ＢIＯS中常见的内存参数设置选项主要有以下几种：CAS Lａｔｅncｙ Conｔrｏl（tＣL）、RＡS to ＣＡS Delay(ｔＲCD)、Row Prｅcharge Tｉming （tＲＰ）、Mｉｎ RAS Acｔive Timing(tRAS)，部分主板还提供了Coｍmand Ｐeｒ Clock（CMＤ)选项。除了上述常见参数设置外,大部分主板的BIＯS中还提供了内存高级参数设置,这些参数包括：Row to Roｗ Ｄeｌａy（或RAＳ to RAＳ dｅlay，tＲRD
8、)、Rｏw Cyclｅ Time(ｔＲＣ）、Writｅ Rｅcｏｖery Time（tWR)、Write to Ｒead Dｅlaｙ(tWＴＲ）、Reｆresｈ Periｏd(ｔRＥF)等(如下图所示)。需要提醒大家的是，不同主板厂商、不同品牌的ＢＩＯS在参数名称上可能存在一定差异,但是对应的缩写基本都是统一的。所以大家不用可以去记下参数的详细
