手动设置内存时序

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1、一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAMTimingSelectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：AutomaticConfiguration、DRAMAuto、TimingSelectable、TimingConfiguringBySPD等，将其值设为“Manual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：CommandPerClock(CPC)可选的设置：Auto，Enable(

2、1T)，Disable(2T)。CommandPerClock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAMCommandRate、CMDRate等。由于DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。大部分主

3、板都会自动设置这个参数。该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。CASLatencyControl(tCL)可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。CASLatencyControl(也被描述为tCL、CL、CASLatencyTime、CASTimingDelay)，CASlatency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。

4、CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRP(RowPrecharge)，预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(RowAddressStrobe)开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后行列转换tRCD(RAStoCASDelay)，接着通过CAS(ColumnAddressStrobe)访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步

5、骤，也是内存参数中最重要的。这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注

6、意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。RAStoCASDelay(tRCD)可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAStoCASDelay(也被描述为：tRCD、ActivetoCMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保

7、守。如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。MinRASActiveTiming(tRAS)可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。MinRASActiveTime(也被描述为：tRAS、ActivetoPrechargeDelay、Row