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1、资料内容仅供您学习参考,如有不当或者侵权,请联系改正或者删除。单晶硅电池片工艺(初稿)工艺流程图:硅片检验→硅片插入片盒→去除损伤层→制绒面→淋洗→中和→三级串连阶梯式清洗→烘干→扩散→周边刻蚀→硅片插入片盒→去除氧化层→三级串连阶梯式清洗→烘干→制备氮化硅→背面银铝浆→烘干→背面铝浆→烘干→正面银浆→烧结→测试分选→检验入库1.单晶硅片质量检验标准1.1外观检验1.1.1基片大小:125×125mm±0.5mm1.1.2形状:准方片1.1.3直径:∮150±1.0mmΦ165±1.0mm1.1.4厚度:280±
2、30μm;在所规定区域内5个测量值的平均值。1.1.5TTV(μm)totalthicknessvariation在选定圆片区域内,最大厚度变化值≤50μm1.1.6表面缺陷:≤2个深度不大于0.05mm1.1.7破损及针孔:无可见破损和针孔1.1.8边缘缺损:长度小于5mm,深度0.5的破损≤1个1.1.9钜痕:<5μm1.1.10表面状况:表面颜色均匀一致,无残留硅粉,无水迹1.2电特性:1.2.1晶体:无位错直拉(CZ)单晶1.2.2晶向:(100)±3°1.2.3导电类型:P型(硼掺杂)1.2.4电阻率(
3、Ω·CM)0.5~2.0用四探针测量平均晶体电阻1.2.5少子寿命:>15μS使用微波光电导方法,在未钝化区域内,扫描2×2mm区域,去次测量平均值,硅锭边缘部分红区内数据不包括在平均值的计算内。资料内容仅供您学习参考,如有不当或者侵权,请联系改正或者删除。1.2.6碳浓度:≤5×101.2.7氧浓度:≤1×101.3质量判断标准:AQL2.52.硅片插入片盒:2.1工具仪器:25片片盒工作桌,凳子,真空吸附镊子2.2原材料:125×125mm硅片2.3工艺过程:把一定高度的硅片放于工作桌上,在操作者面前,用真空
4、镊子把硅片吸起,把硅片放于片盒的最下一层,释放真空,硅片脱离真空吸附落于硅片盒的槽中。重复上述动作,直至把任务完成。2.4注意事项:2.4.1人是最大的污染源,不要面对硅片说话,不要用手直接拿片盒,手上有钠离子、油类污染;2.4.2操作人员要戴口罩、手套操作;2.4.3硅片易碎,在操作过程中,工作人员要轻拿轻放,尽量减少碎片;2.4.4真空吸头经常见酒精擦拭,在工作过程中,保持清洁。3.硅片清洗:3.1去除损伤层:3.1.1目的:在硅片切割过程中,引起晶体表面晶格损伤,为把PN结制作在良好的晶体上,去除硅片表面的
5、损伤层。3.1.2溶液浓度的配比:NaOH:H2O=8500:34000(重量比)在实际工作中,34000克纯水,添加10000克的氢氧化钠3.1.3溶液的配制过程:根据资料查明:NaOH的融解热,10.4千卡/摩尔8500÷40×10400=2210000卡2210000÷34000=65(度)结论:8500克氢氧化钠,能够使34000克纯水温升65度,理论计算要资料内容仅供您学习参考,如有不当或者侵权,请联系改正或者删除。与实践相结合,只要把纯水从室温升高至25℃左右凭借着氢氧化钠的温升就能够达到85℃了。3
6、.1.4试剂纯度:纯水,18MΩ/CM氢氧化钠,电子纯3.1.5溶液温度:85±1℃3.1.6腐蚀速率:条件:20%NaOH溶液,85℃,经验数据表明4μm/min(两边共同去除);内圆切割锯20μm/每边,线锯10μm/每边,一般内圆切割锯腐蚀时间10分钟,线锯腐蚀时间5~6.5分钟(根据实际情况摸索准确时间,经验数据,每隔几十片称量一次)3.1.7反应机理:Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑2880181224在硅片表面每边去除10μm,两边共去除20μmA.每片去除的重量:△g=12.5×1
7、2.5×0.0020×2.33=0.728gB.每片消耗的NaOH28:80=0.728:XX=2.08gC.每片产生多少Na2SiO328:122=0.728:XX=3.172gD.如果每配制一次NaOH溶液能够清洗3000片,每片消耗2.08克NaOH,则消耗6.240Kg,10Kg的NaOH,只剩下3.76Kg在达到2500片时要密切注视,每花篮硅片称量是否达到了设计要求。E.如果去除损伤层3000片则生成9.516Kg的Na2SiO3,整个花篮上浮,使花篮定位不准确严重影响机械手的正常运转。3.1.8注意
8、事项与问题的讨论:A.在整个去除损伤层的过程中,大量的H2气泡有可能依附到硅片上,使硅片上浮,在片盒上必须设计一个片盒”盖片”,或者片盒”挡棒”,防止硅片上浮;B.关于去除损伤层时间的讨论:现在硅片越来越薄,去除损伤层的时资料内容仅供您学习参考,如有不当或者侵权,请联系改正或者删除。间能够大大缩短,要以实践为准。在硅片表面制作绒面的过程中,也要腐蚀掉一层硅,既要PN结制作