单晶硅电池工艺流程.ppt

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1、单晶硅电池工艺流程--someoneofHNU整理绒面的制备硅可与氢氧化钠、氢氧化钾等碱的溶液起作用，生成硅酸盐并放出氢气，化学反应为：Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2对于硅而言，如选择合适的腐蚀液和腐蚀温度，(100)面可比(111)面腐蚀速度大数十倍以上。因此，(100)硅片的各向异性腐蚀最终导致在表面产生许多密布的表面为(111)面的四面方锥体，由于腐蚀过程的随机性，方锥体的大小不等，以控制在3～6m为宜。绒面的制备硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，商品化电池的生产中，通常使用廉价的氢氧化钠稀溶液（浓度为1～2%）来制备绒面硅，腐蚀温度为

2、80C左右，为了获得均匀的绒面，还应在溶液中添加醇类（如无水乙醇或异丙醇等）作为络合剂，加快硅的腐蚀。绒面的制备碱腐蚀的硅片表面虽然没有酸腐蚀光亮平整，但制成的电池性能完全相同，目前，国内外在硅太阳电池生产中的应用表明，碱腐蚀液由于成本较低，对环境污染较小，是较理想的硅表面腐蚀液，另外碱腐蚀还可以用于硅片的减薄技术，制造薄型硅太阳电池。化学清洗这是相当重要的一步工序。因为下面紧接着就要进行扩散工序了，如果表面清洗不彻底的话，表面杂质在扩散的高温下就有可能也扩散入硅片中引起该太阳电池片性能参数的下降、甚至报废。所以，在实际生产中要充分重视这一环节，生产线上要保持干净、

3、整洁，工作人员不能随意用手拿捏硅片。化学清洗硅片化学清洗的主要步骤：用干净的水（去离子水）将硅片冲洗4～5遍；将硅片放入由水、盐酸、过氧化钠组成的混合液中，加热至沸腾，然后将其冷却，将上面的过程重复三至四遍；把硅片从混合液中取出来，再用去离子水将硅片上残存的混合液冲洗干净；将硅片放入10%左右的HF溶液中浸泡约两分钟，除去硅片表面的天然氧化层；把硅片从HF溶液中取出来，用去离子水将硅片表面残存的氢氟酸液冲洗干净，再把硅片浸入无水酒精中脱水；将清洗完的硅片烘干。扩散制结制结过程是在一块基体材料上生成导电类型不同的扩散层，它和制结前的表面处理均是电池制造过程中的关键工序。

4、制结方法有热扩散，离子注入，外延，激光及高频电注入法等。对扩散的要求是获得适合于太阳电池p-n结需要的结深和扩散层方块电阻，浅结死层小，电池短波响应好等，实际电池制作中，考虑到各个因素，太阳电池的结深一般控制在0.3～0.5m，方块电阻均20～70/□，硅太阳电池所用的主要热扩散方法有涂布源扩散，液态源扩散，固态源扩散等。三氯氧磷液态源扩散POCl3在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下：生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下：三氯氧磷液态源扩散由上面反应式可以看出，PO

5、Cl3热分解时，如果没有外来的氧（O2）参与其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）其反应式如下：生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。各种扩散方法的比较扩散方法比较简单涂布源扩散设备简单，操作方便。工艺要求较低，比较成熟。散硅片中表面状态欠佳，ｐ-ｎ结面不太平整，对于大面积硅片薄层电阻值相差较大。二氧化硅乳

6、源涂布扩散设备简单，操作方便，扩散硅片表面状态良好，ｐ-ｎ结平整。均匀性，重复性较好。改进涂布设备。可以适用自动化，流水线生产。液态源扩散设备和操作比较复杂。扩散硅片表面状态好，ｐ-ｎ结面平整，均匀性，重复性较好，工艺成熟。氮化硼固态源扩散设备简单，操作方便，扩散硅片表面状态好，ｐ-ｎ结面平整，均匀性，重复性比液态源扩散好，适合于大批量生产。去磷硅玻璃磷硅玻璃的折射率比Si3N4折射率小，如果磷硅玻璃较厚会降低减反射效果；磷硅玻璃的厚度在扩散中的工艺控制比较难，工艺窗口太小，厚度的变化较大，很不稳定，所以在生产过程中将其去除，以稳定生产；磷硅玻璃易受潮，导致电池效率衰

7、减；影响烧结后电池的串联电阻。去磷硅玻璃HF腐蚀等离子刻蚀去边扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。去边的方法有腐蚀法，即将硅片两面掩好。在硝酸、氢氟酸组成的腐蚀液中腐蚀30秒钟左右。挤压法是用大小与硅片相同，略带弹性的耐酸橡胶或塑料，与硅片相间整齐隔开，施加一定压力后，阻止腐蚀液渗入缝隙取得掩蔽。去除背结去除背结常用下面三种方法，化学腐蚀法，磨沙法和蒸铝烧结，丝网印刷铝烧结法。前两种去除背结的方法。对于n+/n和p+/n型电池