半导体电子态理论研究样本.docx

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1、资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。半导体电子态理论研究摘要:半导体材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温度范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度,电阻率下降。本质上是半导体中的微观粒子的运动在宏观上体现。研究半导体中的电子状态是以固体电子论和能带理论为基础,主要研究半导体的电子状态,半导体的光电和热电效应、半导体的表面结构和性质、半导体与金属或不同类型半导体接触时界面的性质和所发生的过程、各种半导体器件的作用机理和制造工艺等。本文由半导体的晶格结构和能带理论入手研究讨论半导体的电子状态,简述了半导体的晶格结构

2、,能带分布,空穴的性质等概念。Abstract:Resistivityofsemiconductormaterialsissectorbetweenmetalandinsulationmaterial.Thismaterialinatemperaturerangeincreaseswiththeconcentrationofchargecarriers,theresistivitydropofincreasingtemperature.Isessentiallyasemiconductormicro-particlesreflectthemovementi

3、nthemacro.Researchinsemiconductorelectronicsisbasedonsolid-stateelectronictheoryandbandtheory.Themainelectronicstatesofsemiconductorsissemiconductorphotoelectricandthermoelectriceffect,thesurfacestructureandpropertiesofsemiconductors,semiconductorandsemiconductormetalordifferentty

4、pesofcontactinterfacethenatureoftheprocessesoccurringmechanismofactionofvarioussemiconductordevicesandmanufacturingprocesses.Thislatticestructurebythesemiconductorandbandtheorystarttheresearchanddiscussionoftheelectronicstatesofsemiconductors.Thispapersayssomethingaboutthesemicond

5、uctorlatticestructureoutlined,thebanddistribution,thenatureoftheconceptofhole.关键词:晶格结构;能带理论;电子态资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。第1章半体的晶格构和合性⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯11.1金石型构和共价⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯11.2构和混合⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯11.3构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯2第2章半体的能构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯

6、⋯22.1研究能的理方法⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯22.2能相关概念⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯32.3半体中E(k)与k的关系⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯42.3.1E(k)与k的关系⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯42.3.2半体中子的平均速度⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯52.3.3有效量的意⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯62.2.4能度子有效量和速度的影响⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯6第3章本征半体的机构——空穴⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯73.1空穴是一

7、个等效概念⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯73.2空穴的性⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯73.2.1空穴的速度⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯83.2.2空穴的有效量⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯83.3米分布和波耳曼分布⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯8第4章几种常半体材料的能构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯94.1硅和的能构⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯94.1.1k空等能面⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯94.1.2硅和的价构⋯⋯⋯⋯⋯⋯

8、⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯10资料内容仅供您学习参考，如有不当