kp操作规范培训资料.ppt

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1、报告人：庄丽娜2010年12月K+P车间生产规范操作培训报告刻蚀、清洗和镀膜工艺原理PECVD车间各工序标准操作及注意事项概述目的：去除太阳能电池的周边结，从而减少漏电，提高并阻值根源：扩散过程中，硅片的表面及周边形成了N型结，相当于将电池片正负极接通，从而造成并联电阻很低，全部为18#片；原理：在射频功率的激发下，低压反应气体电离并形成等离子体（等离子体是由带电的电子和离子组成，反应气体在高能电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团，有利于刻蚀反应的进行）N-typeemitterP-t

2、ypebackgroudN型漏电通道等离子刻蚀结构示意图（刻蚀前）等离子刻蚀结构示意图（刻蚀后）等离子刻蚀原理湿法刻蚀原理4Si+HNO3+HF→H2SiF6+HNO2+H2O+H2↑背结与下方HF/HNO3药液接触，通过腐蚀背结达到绝缘化目的KOH处理纯水喷淋磷硅玻璃来自POCl3扩散过程：进一步PSG的去除：六氟硅酸为可溶性的络合物PSG清洗工艺原理1#水槽清洗，避免异物带进2#酸槽2#氢氟酸槽去PSGHF浓度，清洗时间3#喷淋槽淋洗HF4#慢提拉水槽漂洗HF避免大面积带水捷佳创PSG清洗各槽基本功能低压时，

3、射频激发使NH3和SiH4电离，在硅片表面沉积一层氮化硅薄膜SiNx:H多晶膜厚目标82nm,控制限80－84nm，Spec限77－87nm；PECVDSiN薄膜工艺控制要求生产违规操作S：流程单未准确填写对应机台、生产时间(尤其是OTB)T：OTB镀膜后传印刷不按流程单混传U：每两小时未将下料台的皮带擦拭一遍V:酒精直接喷至花篮底座及溅至硅片表面W:装库存时手拿硅片装篮X：管式PECVD选错工艺Y：管式装片装反Z：管式PECVD乱送流程单至质检处测片AA:生产人员未经工艺允许擅自更改工艺参数AB：生产人员未经工

4、艺允许擅自将实验片下传AC：乱涂乱画后的纤维纸仍然继续接触硅片AD：非办公区扎堆聊天、追逐打闹AE：上班期间用手机（班长除外）AF：物品、工装夹具直接放地上AG：物品未按标识存放在指定位置AH：机台维护后地面未清扫干净；AI：6S其他7A：刻蚀手拿装片B:刻蚀装篮放反C:刻蚀完成后未及时取出刻蚀片夹D:传递窗同时打开，直接用手接触刻蚀片夹及硅片表面E：PSG上料时NTT花篮未侧放F:换酸时未将各个槽子溶液排完G:吸篮未吸干净（正面齿痕有明显水珠）H:搬运花篮时单手提装满硅片的花篮I：下料后至吸篮间隙时间超过1mi

5、nJ:赤手直接触碰石墨舟K:进舟人员在炉门关闭前离开L：未认真检查石墨舟在小推车上放置的方向和小推车载舟平台的方向M：返工片清洗后直接镀膜N：OTB上料篮放反O：OTB下料装片时手拿硅片装片P:NTT在热膨胀状态下将花篮硬塞入底座上Q：不同组硅片之间需用间隔片区分（OTB与GP）R:OTB下料时将各个流程单混传传递窗不可同时打开；刻蚀接片_注意事项√×不允许赤手接触刻蚀片夹；——赤手接触刻蚀片夹会污染片夹，影响电池片的品质；刻蚀接片_注意事项√×注意在观察窗中观察辉光颜色是否为乳白色和托盘是否正常旋转；——辉光颜

6、色不正常及托盘没有正常旋转会影响刻蚀效果，会形成刻蚀不净，造成等外片；刻蚀过程_注意事项√×对每组硅片周边并取上、中、下三片进行PN型检测；——检查有无刻蚀干净的方法；刻蚀效果检验_注意事项清洗接片时需仔细检查是否装错或装到同一篮齿；——防止清洗时粘片；PSG清洗前检查_注意事项×√禁止手拿硅片及赤手拿花篮，并使用双手搬运装满硅片的花篮；——防止摔片；PSG清洗过程_注意事项√×PSG清洗不净_注意事项这里用SiO2的亲水性与硅的不亲水两种截然不同的性质来判断，将硅片放入水中然后慢慢提出：如果表面沾水，则不合格如

7、果表面不沾水，则清洗干净√×PSG清洗不净_注意事项√×管式PECVD最大的缺陷在于因使用石墨舟作为电极，而随着石墨舟使用次数的增加，导电性和导热性能均会大幅下滑，会导致镀膜品质变差；——工艺石墨舟的清洗周期为7天，现由工艺记录各舟使用时间，若使用时间过长易导致硅片镀膜均匀性变差甚至产生失败片，所以生产需根据工艺要求及时停用到期的石墨舟；石墨舟计数及定期清洗色差装舟时需将硅片紧贴石墨舟钩点，且在不同组硅片之间装上间隔片以防混片，在石墨舟装完硅片后将石墨舟放平，轻拍检查有无掉片；——漏装片或与石墨舟钩点接触不良易造

8、成失败片及影响硅片镀膜的均匀性，装片时未卡住钩点而造成在炉管中镀膜时掉片易导致第14步（镀膜）报警而未镀上膜，此时需通知工艺；漏装导致镀膜失败片漏装掉片导致镀膜失败片掉片未紧贴钩点装片导致镀膜失败片未紧贴钩点装片正常镀膜后每个硅片应出现3个钩点；√×保持舟和吸盘清洁严禁赤手直接触碰石墨舟，装舟后在流程单上填写石墨舟号，进舟时填写相应炉管号，吸盘需每2小时用蘸有酒精的无尘布