《半导体激光器的设计理论III.doc

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1、《半导体激光器的设计理论III.量子理论》教学日历(2008.9.5~2009.1.15,LT3-C3.doc,22July2008)周次日期主要内容讲义1(五)2008.9.5光产生的三种理论，§1能带论的基础，能谱图30例LT3-1A-12(四)2008.9.11§2.1有效质量分析与k×p微扰基础LT3-2A-23(五)2008.9.19§2.2非简并k×p微扰、§2.3Kane理论LT3-2B-34(四)2008.9.25§2.4Luttinger-Kohn理论LT3-2C-45(四)2008.

2、10.9§2.5应变场、Picus-Bir理论LT3-2D-56(四)2008.10.16§3模型固体理论、包络函数、边界条件LT3-3A-67(四)2008.10.23§3.3单矩形量子阱、单三角量子阱的量子态LT3-3B-78(四)2008.10.30§3.4多量子阱隧穿耦合与超晶格、§3.5任意势场结构LT3-3C-89(四)2008.11.6§4电子与光子的态密度LT3-4A-910(四)2008.11.13§5光跃迁的爱恩斯坦唯象理论LT3-5A-1011(四)2008.11.20§6光跃迁、

3、§6.1光跃迁几率、§6.2带间光跃迁LT3-6A-1112(四)2008.11.27§6.3带内弛豫、§6.4量子阱带间跃迁、§6.5光矩阵元LT3-6B-1213(四)2008.12.4§6.6杂质光跃迁LT3-6C-1314(四)2008.12.11§6.7能带非抛物性。§6.8带隙重整化LT3-6D-1415(四)2008.12.18§6.9能带混合、§6.10应变增益、§6.11应变临界厚度LT3-6E-1516(四)2008.12.25§6.12~14微分增益、GRIN-SCH-QW增益、阈

4、值增益LT3-6F-1617(三)2008.12.31§7阈值的温度效应与俄歇复合LT3-7A-1718(四)2009.1.8§8子带间的光跃迁与量子级联激光器LT3-8A-1819(四)2009.1.15§9量子阱中载流子的散射与能级寿命和收集过程LT3-9A-19