soc工艺课件 双阱CMOS工艺说课讲解.ppt

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1、soc工艺课件双阱CMOS工艺1-N阱(N-Well)N阱的制作衬底上生长SiO2涂敷光刻胶版图剖面图P型衬底N阱掩膜版氧化层光刻胶N阱掩膜版21-N阱(N-Well)N阱的制作衬底上生长SiO2涂敷光刻胶曝光N阱掩膜版显影N阱区域暴露版图剖面图P型衬底氧化层光刻胶N阱掩膜版N阱掩膜版31-N阱(N-Well)N阱的制作衬底上生长SiO2涂敷光刻胶曝光N阱掩膜版显影N阱区域暴露N型离子注入磷离子等去除光刻胶版图剖面图P型衬底N阱磷离子注入N阱掩膜版42-P阱(P-Well)P阱的制作涂敷光刻胶版图剖面图P型衬底N阱N阱掩膜

2、版P阱掩膜版P阱掩膜版氧化层光刻胶52-P阱(P-Well)P阱的制作涂敷光刻胶曝光P阱掩膜版显影P阱区域暴露版图剖面图P型衬底N阱N阱掩膜版P阱掩膜版P阱掩膜版氧化层光刻胶62-P阱(P-Well)P阱的制作涂敷光刻胶曝光P阱掩膜版显影P阱区域暴露P型离子注入硼离子等去除光刻胶版图剖面图P型衬底N阱N阱掩膜版P阱掩膜版P阱硼离子注入72-P阱(P-Well)P阱的制作涂敷光刻胶曝光P阱掩膜版显影P阱区域暴露P型离子注入硼离子等去除光刻胶刻蚀氧化层版图剖面图P型衬底N阱N阱掩膜版P阱掩膜版P阱83-有源区(Active)有

3、源区的制作淀积SiN在SiN上涂敷光刻胶有源区掩膜版有源区掩膜版SiN光刻胶P型衬底N阱P阱P阱版图剖面图93-有源区(Active)有源区的制作淀积SiN在SiN上涂敷光刻胶曝光有源区掩膜版显影有源区暴露有源区掩膜版有源区掩膜版SiNP型衬底N阱P阱光刻胶版图剖面图103-有源区(Active)有源区的制作淀积SiN在SiN上涂敷光刻胶曝光有源区掩膜版显影有源区暴露刻蚀SiN有SiN的地方会阻止场氧生长有源区掩膜版SiNP阱P型衬底N阱光刻胶版图剖面图113-有源区(Active)P型衬底N阱有源区的制作淀积SiN在Si

4、N上涂敷光刻胶曝光有源区掩膜版显影有源区暴露刻蚀SiN有SiN的地方会阻止场氧生长去除光刻胶生长场氧化层(FOX)热氧化方法隔离器件P阱场氧化层有源区掩膜版版图剖面图123-有源区(Active)有源区的制作淀积SiN在SiN上涂敷光刻胶曝光有源区掩膜版显影有源区暴露刻蚀SiN有SiN的地方会阻止场氧生长去除光刻胶生长场氧化层(FOX)热氧化方法隔离器件去除SiNP型衬底N阱P阱场氧化层有源区掩膜版版图剖面图134-栅(Gate)栅的制作生长栅氧化层整个硅片上可忽略场在氧化层上的生长P阱栅氧化层N阱版图剖面图P型衬底144

5、-栅(Gate)栅的制作生长栅氧化层整个硅片上可忽略场在氧化层上的生长淀积多晶硅涂敷光刻胶多晶硅掩膜版多晶硅掩膜版P阱栅氧化层N阱多晶硅光刻胶版图剖面图P型衬底154-栅(Gate)栅的制作生长栅氧化层整个硅片上可忽略场在氧化层上的生长淀积多晶硅涂敷光刻胶曝光多晶硅掩膜版显影多晶硅暴露刻蚀多晶硅多晶硅掩膜版多晶硅掩膜版P阱栅氧化层N阱多晶硅版图剖面图P型衬底164-栅(Gate)栅的制作生长栅氧化层整个硅片上可忽略场在氧化层上的生长淀积多晶硅涂敷光刻胶曝光多晶硅掩膜版显影多晶硅暴露刻蚀多晶硅刻蚀栅氧化层栅下的氧化层受多晶硅

6、保护，未被刻蚀P阱栅氧化层N阱多晶硅多晶硅掩膜版版图剖面图P型衬底175-pmos的源/漏(pmosSource/Drain)pmos源/漏的制作涂敷光刻胶P型注入掩膜版P型注入掩膜版P阱N阱版图剖面图P型衬底185-pmos的源/漏(pmosSource/Drain)pmos源/漏的制作涂敷光刻胶曝光P型注入掩膜版显影P型注入区域暴露版图剖面图P型注入掩膜版P型注入掩膜版P阱N阱P型衬底195-pmos的源/漏(pmosSource/Drain)pmos源/漏的制作涂敷光刻胶曝光P型注入掩膜版显影P型注入区域暴露注入P型

7、掺杂去除光刻胶P+掺杂P+掺杂版图剖面图P型注入掩膜版P阱N阱p+p+p+P型衬底硼离子注入206-nmos的源/漏(nmosSource/Drain)nmos源/漏的制作涂敷光刻胶N型注入掩膜版版图剖面图N型注入掩膜版P阱N阱p+p+p+P型衬底216-nmos的源/漏(nmosSource/Drain)nmos源/漏的制作涂敷光刻胶曝光N型注入掩膜版显影N型注入区域暴露版图剖面图N型注入掩膜版N型注入掩膜版P阱N阱p+p+p+P型衬底226-nmos的源/漏(nmosSource/Drain)nmos源/漏的制作涂敷光

8、刻胶曝光N型注入掩膜版显影N型注入区域暴露注入N型掺杂去除光刻胶N+掺杂N+掺杂版图剖面图N型注入掩膜版P阱N阱p+p+p+n+n+n+P型衬底砷离子注入237-接触孔(Contact)接触孔的制作淀积氧化层涂敷光刻胶接触孔掩膜版p+n+接触孔掩膜版版图剖面图p+p+n+n+P型衬底P阱N阱247-接触