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时间:2020-12-23
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1、…………………………………………………………最新精品资料推荐……………………………………………………陕西国防工业职业技术学院课程报告课程微电子产品开发与应用论文题目CMOS集成电路制造工艺流程班级电子3141姓名及学号王京(24#)任课教师张喜凤…………………………………………………………最新精品资料推荐……………………………………………………7…………………………………………………………最新精品资料推荐……………………………………………………目录摘要:本文介绍了CMOS集成电路的制造工艺流程,主
2、要制造工艺及各工艺步骤中的核心要素,及CMOS器件的应用。2引言:集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。硅双极工艺面世后约3年时间,于1962年又开发出硅平面MOS工艺技术,并制成了MOS集成电路。与双极集成电路相比,MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度和成品率高,但工作速度较慢。由于它们各具优劣势,且各自有适合的应用场合,双极集成工艺和MOS集成工艺便齐头平行发展。2关键词:工艺技术,CMOS制造工艺流程21.CMOS器件21.1分类22.CMOS集成技术发展33.CMOS
3、基本的制备工艺过程33.1衬底材料的制备34.主要工艺技术35.光刻36.刻蚀46.1湿法刻蚀46.2干法刻蚀47.CMOS工艺的应用4举例.N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺的主要流程5…………………………………………………………最新精品资料推荐……………………………………………………7…………………………………………………………最新精品资料推荐……………………………………………………CMOS集成电路制造工艺流程摘要:本文介绍了CMOS集成电路的制造工艺流程,主要制造工艺及各工艺步骤中的核心要素,
4、及CMOS器件的应用。引言:集成电路的设计与测试是当代计算机技术研究的主要问题之一。硅双极工艺面世后约3年时间,于1962年又开发出硅平面MOS工艺技术,并制成了MOS集成电路。与双极集成电路相比,MOS集成电路的功耗低、结构简单、集成度和成品率高,但工作速度较慢。由于它们各具优劣势,且各自有适合的应用场合,双极集成工艺和MOS集成工艺便齐头平行发展。关键词:工艺技术,CMOS制造工艺流程1.CMOS器件CMOS器件,是NMOS和PMOS晶体管形成的互补结构,电流小,功耗低,早期的CMOS电路速度
5、较慢,后来不断得到改进,现已大大提高了速度。1.1分类CMOS器件也有不同的结构,如铝栅和硅栅CMOS、以及p阱、n阱和双阱CMOS。铝栅CMOS和硅栅CMOS的主要差别,是器件的栅极结构所用材料的不同。P阱CMOS,则是在n型硅衬底上制造p沟管,在p阱中制造n沟管,其阱可采用外延法、扩散法或离子注入方法形成。该工艺应用得最早,也是应用得最广的工艺,适用于标准CMOS电路及CMOS与双极npn兼容的电路。N阱CMOS,是在p型硅衬底上制造n沟晶体管,在n阱中制造p沟晶体管,其阱一般采用离子注入方法
6、形成。该工艺可使NMOS晶体管的性能最优化,适用于制造以NMOS为主的CMOS以及E/D-NMOS和p沟MOS兼容的CMOS电路。双阱CMOS,是在低阻n+衬底上再外延一层中高阻n――硅层,然后在外延层中制造n阱和p阱,并分别在n、p阱中制造p沟和n沟晶体管,从而使PMOS和NMOS晶体管都在高阻、低浓度的阱中形成,有利于降低寄生电容,增加跨导,增强p沟和n沟晶体管的平衡性,适用于高性能电路的制造。…………………………………………………………最新精品资料推荐……………………………………………………
7、7…………………………………………………………最新精品资料推荐……………………………………………………2.CMOS集成技术发展从MOS工艺集成技术发展历史上看,也经历了从简单到复杂的发展过程,如陆续推出了p沟硅栅MOS工艺、p沟铝栅MOS工艺、n沟硅栅MOS工艺、n沟硅栅E/DMOS工艺、高性能短沟MOS(HMOS)工艺等,它们都各具优劣势,在不同时期、不同领域得到了应用。随着集成电路的集成度提高,功耗问题日益突出,普通MOS工艺已不能满足大规模和超大规模集成系统制造的需要,于是早在1963年开发
8、出的硅CMOS集成工艺终于有了广泛应用的机会。虽然CMOS工艺比NMOS工艺复杂,早期的CMOS器件性能也较差,但CMOS器件的功耗极低,集成度也高,用以制造数字LSI和VLSI集成电路可很好地解决最迫切的功耗问题,因而在数字LSI和VLSI集成电路的制造中首先得到广泛应用,并得到快速发展,特别是自20世纪80年代以来,更成为CPU、RAM、ROM等VLSI的主导制造工艺,并替代了NMOS工艺。3.CMOS基本的制备工艺过程CMOS集成电路的制备工艺是一个非常复杂而又精密的过程,它
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