模拟电子技术作业题解答.doc

《模拟电子技术作业题解答.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、模拟电子线路作业题参考答案第1章1.1在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度=cm。（1）求室温300K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P型或N型。（2若再掺入受主杂质，其浓度=cm，重复（1）。解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值=cm，施主杂质=cm>>=cm，所以可得多子自由浓度为=cm少子空穴浓度==cm。该半导体为N型。（2）因为=cm>>，所以多子空穴浓度cm少子电子浓度==cm。该半导体为P型。1.3二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V，二极管直流管压降为0.7V。（1

2、）试求流过二极管的直流电流。（2）二极管的直流电阻和交流电阻各为多少？+6VDR100图1.3解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即==53mA(2)==13.2===0.491.4二极管电路如题图1.4所示。（1）设二极管为理想二极管，试问流过负载的电流为多少？（2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压V，试问流过负载的电流是多少？（3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压V，，试问流过负载的电流是多少？（4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？（5）增加电源电

3、压E，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？D题图1.410V+ERL100解：（1）mA（2）mA（3）mA（4）（5）E增加，直流电流增加，交流电阻下降。1.6在图1.6所示各电路中，设二极管均为理想二极管。试判断各二极管是否导通，并求Uo的值。题图1.6解：(1)在图(a)中，V2导通，V1截止，U0＝5V。(2)在图(b)中，V1导通，V2截止，U0＝0V。(3)在图(c)中，V1、V2均导通，此时有1.7二极管限幅电路如图1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型，且UD(on)=0.7V。

4、若ui＝5sinωt(V)，试画出u0的波形。题图1.7解：(1)在图(a)中：当ui＞一2.7V时，V管截止，u0＝一2V；当ui≤一2.7V时，V管导通，u0＝ui+0.7。当ui＝5sinωt(V)时，对应的u0波形如图答图1.7(a)所示。(2)在图(b)中：当ui＞1.3V时，V管截止，u0＝ui；当ui≤1.3V时，V管导通，u0＝1.3V。其相应波形如答图1.7(b)所示。答图1.71.9在题图1.9(a)所示电路中，二极管等效为恒压降模型。已知输入电压u1、u2的波形如题图1.9(b)所示，试画出

5、u0的波形。题图1.9解：该电路为高电平选择电路，即u1、u2中至少有一个为3V，则u0＝3一0.7＝2.3V。u1、u2均为0时，uo＝一0.7V。其波形答图1.9(c)所示。答图1.91.10在题图1.10所示电路中，设稳压管的Uz＝5V，正向导通压降为0.7V。若ui＝10sinωt(V)，试画出u0的波形。题图1.10解：当ui≥5V时，Vz击穿，u0＝5V。当ui≤一0.7V时，Vz正向导通，u0＝一0.7V。当一0.7V＜ui＜5V时，Vz截止，u0＝ui。由此画出的u0波形如答图1.10所示。答图1

6、.101.11稳压管电路如题图1.11所示。（1）设V，稳压管的稳定电压=10V，允许最大稳定电流=30mA，=5mA,=800,=。试选择限流电阻R的值。（2）稳压管的参数如（1）中所示，R=100，=250，试求允许的变化范围。解：（1）因为式中，因，所以=0，V式中mA,V=18V选择R应满足：400

7、b、e、c极，并说明是锗管还是硅管。0.7V8V0V(a)-0.7V-8V0V(b)4V1V3.7V(c)4V4.3V9V(d)题图2.18V0V0.7V硅NPN-8V0V-0.7V硅PNP1V4V3.7V锗PNP9V4.3V锗NPN4V题图（a）：题图（b）：题图（c）：题图（d）：2.3已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图2.3所示，试判别各晶体管的工作状态（放大、饱和、截止或损坏）。-5V-0.3V0V3AX81(a)12V3V0V(d)3DG86.6V6.3V7V3CG21(c)8V2.5V3V(b)3

8、BX1题图2.3题图（a）3AX为PNP锗管，V（正偏），V（反偏），放大状态题图（b）：e结反偏，c结反偏，截止状态题图（c）：e结正偏，c结正偏，饱和状态题图（d）：e结开路，晶体管损坏2.6某晶体管的共射输出特性曲线如题图2.6所示（1）求IBQ=0.3mA时，Q1、Q2点的β值。（2）确定该管的U(BR)CEO和PCM。题图2.6解：（1）Q1点：（2）2.7硅晶