模拟电子技术习题解答

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1、第1章自测题、习题解答自测题1一、选择题1.在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度空穴浓度。A.大于B.小于C.等于2.PN结在外加正向电压时，其载流子的运动中，扩散漂移。A.大于B.小于C.等于3.N型半导体的多数载流子是电子，因此它。A.带负电荷B.带正电荷C.呈中性4.处于放大状态的晶体管，集电结的载流子运动形式运动。A.只有漂移B.只有扩散C.兼有漂移和扩散5.当环境温度增加时，稳压二极管的正向电压将。A.增大B.减小C.不变解：1、C2、A3、C4、A5、B二、判断题1．PN结加上反向电压时电流很小，是因为空间

2、电荷减少了。（）2．当共射晶体管的集电极电流几乎不随集—射电压的变化而改变时，则称晶体管工作在饱和状态。（）3．P型半导体中空穴占多数，因此它带正电荷。（）4．晶体管有电流放大作用，因此它具有能量放大作用。（）5.二极管正向偏置时，PN结的电流主要是多数载流子的扩散运动。（）6.结型场效应管的漏源电压uDS大于夹断电压UP后，漏极电流iD将为零。（）解：1、×2、×3、×4、×5、√6、×三、二极管电路如图T1－3所示，写出各电路的输出电压值。设uD=0.7V。(a)(b)(c)(d)(e)(f)图T1－3解：(a)二极管

3、截止，故uo1=0V（b）二极管导通，故uo2=5－0.7=4.3V(c)二极管导通，故uo3=3＋0.7=3.7V(d)二极管截止，故uo4=5V(e)二极管导通，故uo5=0.7－3=－2.3V(f)二极管截止，故uo6=－3V四、稳压二极管电路如图T1－4所示，已知DZ1、DZ2的稳定电压分别为UZ1=5V，UZ2=8V，试求输出电压UO1，UO2。(a)(b)图T1－4解：（a）uo1=15－UZ1－UZ2＝2V（b）DZ2两端的电压小于其反向击穿电压8V，故DZ2截止，uo2=0V五、电路如图T1－5所示，设UC

4、C=10V，=100，UBE=0.7V，UCES=0V试问：1.RB=100KΩ，UBB=3V时，IC=？UU30.7BBBE解：I23ABR100BII100232.3mACB2.UBB=2V时，UO=5V时，RB=？UU105CCO解：I1mACR5CI1CI10AB100UU20.7BBBER130kBI0.01B习题11。1电路如图P1－1所示，设电路中的二极管为理想二极管，试求各电路中的输出电压UAB。(a)(b)图P1－1解：（a）D1截止，D2导通，故u

5、AB=6V（b）D1导通，D2截止，故uAB=10V1．2电路如图P1－2所示，设二极管正向导通电压为0V，反向电阻为无穷大，输入电压为ui=10sinωtV，E=5V，试分别画出输出电压uO的波形。(a)(b)图P1－2解：（a）当u5V时，二极管导通，u5V；当u5V时，二极管截止，uuioioi（b）当u5V时，二极管截止，uu；当u5V时，二极管导通，u5Vioiio1．3选择填空⑴.硅材料的N型半导体中加入的杂质是元素，锗材料的P型半导体中加入的杂质是元素。A.三价B.四价C.五价⑵．PN结正向

6、偏置时，空间电荷区将。A.变宽B.变窄C.不变⑶．场效应管的夹断电压UP=-10V，则此场效应管为。A.耗尽层B.增强型C结型⑷．某晶体管的发射结电压大于零，集电结也电压大于零，则它工作在状态。A.放大B.截止C.饱和⑸.N沟道结型场效应管的导电载流子是。A.电子B.空穴C.电子和空穴⑹.场效应管是一种控制型器件。A.电流B.电压C.光电⑺.N沟道结型场效应管放大时，栅源之间的PN结。A.应正偏，B.应反偏，C.应零偏。⑻.对于结型场效应管，当UGSUP，那么管子将工作在区。A.可变电阻B恒流C.夹断D.击穿解：

7、（1）CA（2）B（3）A（4）C（5）A（6）B（7）B（8）C1．4两只硅稳压二极管的正向电压均为0.5伏，稳定电压分别为UZ1=6V，UZ2=8V，若与一电阻串联后接入直流电源中，当考虑稳压管正负极性的不同组合时，可获得哪几种较稳定的电压值。解：两个稳压管组合可以有14V,6.5V,8.5V,1V四种输出电压1．5图P1－5所示为半导体二极管正向伏安特性的近似曲线，试画出由恒压源U，电阻rd和理想二极管D组成的该二极管正向工作的电路模型，并写出U及rd的表达式。解：等效电路图如下：图P1－5uD=Uon+iDrDrD

8、=(uDUon)/iD1．6解：电路如图P1－6所示，其中R=2KΩ，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定压UZ1、UZ2分别为5V、10V，正向压降为0.6V，不计稳压管的动态电阻和耗散功率，试求各电路输出电压。(a)(b)(c)(d)图P1－6解：（a）DZ1反向击穿，DZ2截止，故uo1=5V（b）DZ