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时间:2020-09-19
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1、蓝宝石工艺制程培训资料27七月2021LED:LightEmittingDiode的简称,即发光二极管,是一种将电转化为可见光的物质,其核心是PN结,当P区的空穴和N区的电子复合,将多余的电势能以辐射光子的形式释放出来。LED芯片分二元,三元,四元芯片的主要是看:所用的材料里含几种元素两个元素,称二元片(GaP磷化镓),三个元素称三元片(GaAlAs镓铝砷),四个元素称四元片(InGaAsP磷化铝铟镓),现目前LED主要使用四元片半导体介绍:P型空穴N型电子PN结厚度约为10-7mE=通电后,电子、空穴复合发光λ跟材料有关系能带工程,大
2、原子结合能带小如InSn、GaP、GaAs小原子结合能带大如GaN、AlGaN+一载流子PN++++一一一一hγ=h——c供体硅光发射的电子跃迁27七月2021蓝宝石产品介绍27七月2021PSS蓝宝石衬底图片27七月2021主要产品图像展示7*910*2312*13图片解析1、尺寸大小不同2、图形不同光刻版的选择光刻版的选择1023多一层互补SIO227七月2021芯片结构N电极P电极沟槽ITO铟锡氧化物半导体透明导电膜扩流层上:SIO2下:N-GaNP-GaNSIO2圈ITO圈互补SIO2层SI02氧化硅SIO2ITO铟锡氧化物ITO
3、GaN缓冲层MQW量子阱AlGaNP-GaNn-GaNn-GaNSI02SI02互补SIO2层俯视图一俯视图二切面图三27七月20217*9制程工艺流程外延片清洗去胶、清洗去胶、清洗SiO2沉积下游封装外延片清洗ITO蒸镀ITO光刻(甩胶、曝光、显影)ITO腐蚀ITO合金N光刻(甩胶、曝光、显影)ICP刻蚀SiO2腐蚀P/N电极蒸镀金属剥离COW测试研磨(减薄、抛光)划片、裂片点测中游成品SiO2光刻(甩胶、曝光、显影)手选27七月2021蓝宝石基板Al2O3(430um)公司采用的外延衬底片分2种:平面衬底、PSS衬底外延片的区别方式:
4、平面外延片目测比较透,PSS目测颜色偏深平面外延片镜检下无图形,PSS于500倍下有图形平面外延片号后缀-BF,PSS的后缀-PF1、外延片的认识PSS外延片500倍正常表面平面外延片500倍正常表面蓝宝石目测体27七月20211、外延片清洗Al2O3(430um)GaN缓冲层n-GaNMQW-发光层AlGaN应力释反晶格层(防止高温应力损坏)P-GaNGaN缓冲层n-GaNMQWAlGaNP-GaN设备:清洗机台甩干机超声器工艺:丙酮超声5min,无水乙醇超声2min,冲DI水,BOE泡5min,冲水甩干目的:杂质会影响光刻及镀
5、膜等工艺的质量,导致显影不良或接触不牢。27七月20212、ITO蒸镀Al2O3(430um)GaN缓冲层n-GaNMQWAlGaNP-GaNITO铟锡氧化物InGaNMQWp-GaN(Mg)0.3mp-AlGaN(Mg)0.02-0.15mGaN缓冲层n-GaNMQWAlGaNP-GaNITO设备:富临蒸发台工艺:真空度:3.0e-6Torr,温度310℃,005程序,蒸镀时每个行星盘搭蒸1片BK7测试参数:BK7玻璃T%>90%,方块RS<10欧姆27七月20213、ITO光刻-甩胶Al2O3(430um)GaN缓冲层n-GaNM
6、QWAlGaNP-GaNITOInGaNMQWp-GaN(Mg)0.3mp-AlGaN(Mg)0.02-0.15mGaN缓冲层n-GaNMQWAlGaNP-GaN光刻胶设备:甩胶机烘箱工艺:手动甩胶:正胶、前烘100℃20min自动甩胶:粘胶剂、正胶、前烘100℃20min注意项:1、光刻需注意甩胶时外延片与甩胶头之间不能偏移太多,否则会导致光刻胶甩不均匀,直接影响曝光显影;2、前烘温度时间一定要控制好,不能变化,否则会导致光刻胶太软或太硬,影响曝光显影;3、对版容易出现失误,导致对偏、破胶、显影不干净等不良现象,所以对版后需要进行仔
7、细检验;4、显影液温度和更换频率也会影响显影,故亦需进行监控……光刻胶ITO27七月20213.2ITO光刻-曝光Al2O3(430um)GaN缓冲层n-GaNMQWAlGaNP-GaNITOGaN缓冲层n-GaNMQWAlGaNP-GaN光刻胶ITO光刻胶光刻胶(感光胶体)设备:尼康曝光机25s、ABM曝光机15s工艺:手动曝光:光刻版:LP-0709A-2E自动曝光:光刻版:LP-LBS-0709C-2A-1010,坚膜110℃10min27七月20213.3ITO光刻-显影Al2O3(430um)GaN缓冲层n-GaNMQWAlGa
8、NP-GaNITOGaN缓冲层n-GaNMQWAlGaNP-GaN工艺:90s,每次只显25片ITO光刻胶光刻胶27七月20214、ITO腐蚀Al2O3(430um)GaN缓冲层n-GaNMQ
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