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时间:2020-09-19
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1、控制理论基础(II)交通大学精品课程系列2007课程负责人:杨汝清教授曹其新教授顾问:王显正教授14.1复位14.2访问外部程序存储器的时序14.3三总线结构14.4总线扩展的地址信号锁存器14.5常用程序存储器芯片14.6典型单片EPROM扩展电路14.7多片EPROM的扩展电路14.8数据存储器扩展基本电路14.9CPU访问外部数据存储器的时序14.10常用静态RAM芯片14.118031单片机与数据存储器6116的连接电路14.12I/O口的扩展14.13利用74LS165/74LS164扩展输入/
2、输出口(串行)14.1复位复位信号:在RST引脚输入10ms以上的高电平,单片机即实现复位。复位状态:PC=0000HPSW=00HSP=07HTL0=TL1=TH0=TH1=0TMOD=00HTCON=00HIE=00HIP=00HP0~P3=0FFH复位后片内的RAM的内容不受影响。复位方式:上电复位、按键复位。复位电路VssVccRST+5V1K12up1K200欧22upVccRSTVss+5V14.2访问外部程序存储器的时序P1P2S1S2S3S4S5S6S1ALEPESNPCHPCHPCHPC
3、L指令PCL指令14.3三总线结构1、作用:数据与低8位地址线进行分离;2、方法:利用ALE的下降沿将地址信号锁存到锁存器中;3、常用芯片:8D触发器74LS273、74LS3778位锁存器74LS373、828214.4总线扩展的地址信号锁存器LS373的应用OE输出控制端G使能端D输入端Q输出端LHHHLHLLLL×Q0保持H××Z高阻LS373的功能表14.5常用程序存储器芯片14.6典型单片EPROM扩展电路注:OE输出容许端低电平有效;CE片选信号端低电平有效;编址范围:0000H~0FFFH;
4、14.7多片EPROM的扩展电路线选法:所谓线选法就是把单根的高地址线直接接到存储器的片选端典型扩展电路:8051与三片2764(8K)的连接P2.5P2.6P2.7PSENP2.0~P2.3P0.0~P0.7A8~A125D0~D7A0~A7锁存器OECEA8~A12OECEOECEA8~A12OECEA0~A7A0~A7D0~D7D0~D7IC1IC2IC3IC1地址:6000H~7FFFHIC2地址:A000H~BFFFHIC3地址C000H~DFFFHP2.5P2.6P2.7PSENP2.0~P2
5、.4P0.0~P0.7A8~A12A8~A12CEA8~A12P2.5P2.6P2.7PSENP2.0~P2.4P0.0~P0.7Y1Y2Y3~Y8ABCCECE地址锁存器D0~D7D0~D7D0~D7A0~A7A0~A7A0~A7E1E2E3VSSVCCIC1地址0000H~1FFFH、IC2地址2000H~3FFFH、IC3地址4000H~5FFFHIC1IC2IC3译码法EEPROM的应用特性EEPROM无需外加编程电源和编程脉冲即可完成写入工作。EEPROM作为程序存储器使用时,EEPROM应按程
6、序存储器连接方法编址,如作为数据存储器使用,即可按数据存储器或I/O口编址,也可通过扩展I/O口与系统总线连接。引脚方式CEOEWERDY/BUSYI/O读VILVILVIH高阻DOUT维持VIH任意任意高阻高阻字节写入VILVIHVILVILDIN2817A工作方式选择在擦、写操作期间,RDY/BUSY脚为低电平,当字节擦写完毕时,RDY/BUSY脚为高电平。14.8数据存储器扩展基本电路14.9CPU访问外部数据存储器的时序14.10常用静态RAM芯片6116为静态RAM,存储容量为2K×8,控制引脚
7、CE为片选端OE为读信号端,WE为写信号端。14.118031单片机与数据存储器6116的连接电路14.12I/O口的扩展利用可编程器件扩展芯片名称扩展内容8255并行口扩展8155/8156RAM/IO扩展8243I/O扩展8279键盘/显示器扩展8251通讯口扩展8253定时器/计数器扩展利用TTL电路芯片扩展利用74LS377(8位D触发器)扩展输出口的电路CP:时钟输入端E:锁存允许端当E=0CP为上升沿则Q0.0~Q0.7=D0.0~D0.7接收端E时钟端CP输入D0~D7输出Q0~Q7H××Q
8、0LHHLLL×L×Q0MOVDPTR,#7FFFH;MOVA,#DATA;MOVX@DPTR,A;SN54AHCT244,SN74AHCT244OCTALBUFFERS/DRIVERSWITH3-STATEOUTPUTS利用74LS244(三态门)扩展8位并行输入口(稳态数据)G1/G2为门控位,低电平有效244的地址为:BFFFH,只有P2.6和RD都为低时CPU才对输入口进行操作,其对应的程序为:MOVDPTR,#0
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