模拟芯片IC笔试.doc

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1、1、CMOS的版图和剖面图，动手画。2、《CMOS模拟集成电路设计》中，P382.5关于CMOS技术的其他考虑。闩锁的原理和消除技术；ESD保护的原理。P1094.4电流镜威尔逊电流镜和输出电阻。P2066.2运算放大器的补偿6.3两级运算放大器的设计（尤为重要）要回画电路图3、芯源：NMOS的阈值电压和衬底浓度什么关系？共源共柵级M2源端看上去的电阻是？电流源代替的话电阻多大？高频情况下又是多少？MOS的特性曲线？几个区域。4、MPS：有几套题。做适合自己的。带有二极管的运放求输出电压。电路分析中三要素法求冲击响应。具体在拉扎维第九章，一个负反馈结构。输入电平从0变到

2、高，输出电平为多少？单个MOS管子，cascode的等效输出电阻第十三章：失调消除。五、其他公司：4.0如何分析运放的失调电压VOSin，第十三章的公式。4.1运放的噪声和跨到什么关系？Bipolar的噪声比CMOS小，为什么？4.2用运放构成电压求和电路，电压减法电路。正相放大器、反向放大器。积分运算电路。4.3电流镜的误差分析。4.4画一个基准，分析。拉扎维基准的一章一定好好看。误差来自哪里？怎么消除。4.5运放的补偿4.6单位增益结构的运放的输出电阻为1/gm。4.7画一个米勒补偿的两级运放，分析主极点和画波特图。4.8理想运放的特点。4.9负反馈有哪些特点？第八

3、章4.10差分对比单级放大器有哪些优点？4.11CMOS技术画NPN和PNP4.12运放的差分输入级用什么方式画？共质心版图。4.13电阻的版图画法与考虑，天线效应，和消除。4.14短沟道效应和窄沟道效应对阈值电压的影响。4.15怎么通过基准和运放实现恒温电流。自己动手画电路。4.16场氧和active的区别。MOS管上的硅要区别，单晶多晶还是氧化硅。4.17为什么电路中与非门比或非门更受欢迎。与非门和或非门的电路结构和版图。4.18用卡诺图真值表加法器4.19二进制数的补码和反码。三位数的格雷码。4.20全加器是用什么实现？4.21电流源对电容充电，一段时间后开关断开

4、，电容上的电压如何变化？电压源对电感充电，断开后电感上的电流如何变化？很多公司都是用英文出题的。还有一些智力测试题，记得带上手机可以网上查。面试自己好好准备，大部分会问你做的项目，如果公司的项目和你的差不多，问的就会细一些。把你在项目中起到的作用要详细说出来。你笔试的题目也会问一下，看你有么有回去好好总结经验教训。电路工程师需要什么技能？