堆叠系统中的无定形硅和氧化硅薄膜硅太阳能电池背面钝化1.docx

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1、堆叠系统中的无定形硅和氧化硅薄膜硅太阳能电池背面钝化堆栈的氢化非晶硅（a-Si）和化学气相沉积硅氧化物（SiOx）已被用作表面钝化层的硅晶片表面。很好的表面钝化能够达成，导致表面复合速度低于10cm/s1Ω·cm的p型硅晶片。通过使用钝化层系统在太阳能电池的背面和应用激光发射接触（LFC）的过程中，逐点局部背接触已形成和能量转换效率近年21.7%已获得p型区熔基板（0.5Ω·cm）。模拟表明，有效后和在180cm/s的结合金属和钝化区，120±30cm/s计算的钝化区。后反射率是比较热生长二氧化硅（SiO2）。非晶硅后钝化显得更加

2、稳定在不同偏压下的光强度与热生长的SiO2。关键词：非晶硅；后表面钝化；激光发射接触；PERC；硅太阳能电池；高效硅太阳电池发表于2008年1月18日；修订2008年3月26日引言需要一个成本降低硅太阳能电池技术导致使用薄晶。薄晶更重要的是有效表面钝化将尤其在太阳能电池的背面。戈斯蒂内利等人表明，硅太阳能电池在非常薄的基板（下降到105μm）可以达到更高的效率。克莱提出了能量转换效率20%以上基板厚度小于50μm。两个观点使用thePassivatedEmitter和RearCell(PERC)的概念。一个经济上可行的技术用于大规

3、模生产的地方后接触氧可酮通过实施激光技术已提出。所谓激光发射接触（LFC）的方法允许当地铝接触？环通过钝化，在大多数情况下隔离层体系在大约1–3s晶元。在同一步骤，铝合金硅形成铂政权下的局部接触创造了非常好的欧姆接触在细胞后方。后侧表面钝化方案需要适应的消失模铸造工艺和工业生产环境。热生长的二氧化硅（SiOx）层是由一个制造长期的能源密集型高温的过程，不是吗？第一选择批量生产，虽然他们可能提供了一个很好的热稳定的钝化。栈敷氧化物（例如，氢化非晶氧化硅层（a-siox：，简称：氧化硅）的等离子体增强化学气相沉积（资深））和化学气相沉

4、积氢化非晶氮化硅（a-sinx：，简称：氮化硅）？算法提出了热稳定的替代热生长的SiOx，可在低温下沉积。单pecvd-sinx？算法通常也由一个低温处理步骤（约300–4008c）。他们提供了一个很好的钝化质量为well10–16但不热稳定的二氧化硅层。7然而，优化的氮化硅层可以提供令人满意的热稳定的钝化。此外，细胞与钝化这些？算法通常受到逆温层是架空的地方接触。18硅悬挂键（硅–）被发现是非常重要的？在氮化硅钝化高龄影响他们通常可以充电。在富氮氮化硅？最小的，k-centres（硅–N3）19，是主要的收费中心。通常情况下，他

5、们可以在带正电荷的状态。因此，它们导致逆温层在硅表面型晶片。在减少nitrogen-to-silicon比在氮化硅层（！富硅氮化硅层）硅–Si悬挂键成为主导中心。同时，它已发现电子自旋共振测量（血沉）的总体缺陷密度的降低而减小的氮含量？lm.20作为一个极值，无氮在所有的？我会导致非晶硅层与最低的缺陷密度。在这项研究中，内在的氢化非晶硅（a-Si:小时，简而言之：a-Si）？算法被用来沉积，消除分流作用而局部细胞接触后消失模。此外，化学气相沉积氧化硅层上沉积的a-Si？我，作为一个中间层之间的非晶硅和铝？我在细胞后方。非晶硅薄膜单

6、层钝化，栈，或a-sistacked与氮化硅，采用了不同的组，到目前为止。更关注的是目前在研究非晶硅层掺杂异质结太阳能电池具有晶体硅衬底和沉积（掺杂）和a-Si发射极钝化层。寿命研究查的表面钝化质量新的堆栈系统进行。寿命的样本了吗？燕麦区（区熔）p型硅和硼掺杂浓度为1á5？1016厘米à3（1厘米），厚度为250毫米，shiny-etched表面和晶体取向（100）。样品的表面进行清洁前沉积的钝化层（）的湿化学蚀刻顺序，一个所谓的清洁，包括？纳洛酮浸在水？uoric酸（高频）。然后，该钝化层（）沉积在晶圆表面的顺序。表面的另一套寿

7、命样本不受到湿化学清洗程序，但受到了等离子蚀刻步骤使用微波（兆瓦）远程等离子体sulfurhexa？uorine（SF6）作为蚀刻剂源。蚀刻后的？第一，每个样品被暴露在空气中大约半小时。原生氧化物有望形成新鲜蚀刻surface.33随后，钝化层沉积在这方面是使用平行板等离子体反应器。沉积发生在激励频率为13á56兆赫（射频（射频））使用气体混合物硅烷（SiH4）、氢气（H2）。或者，一个二层沉积。该硅氧化物（氧化硅）？长征是存放使用相同的等离子体反应器，通过改变气体和工艺参数如压力和射频功率。沉积的氧化硅层是非常快速，率约200海

8、里/分钟。两层沉积在2608c。随后，同样的待遇适用于二侧的样本。样品结构显示在图1。图1.样品结构的寿命研究。样品和一个额外的一层100纳米氧化硅进行了研究图2。工作？现在的寿命研究晶硅和氧化硅钝化沉积后，有效载流子寿命的样品进行了测定使用准稳态