电荷密度差的计算-VASP.doc

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1、[VASP]电荷密度差的计算简要介绍如何使用VASP及相关软件来计算和处理用来分析成键过程的电荷密度差（chargedensitydifference）VASP软件经验电荷密度电子结构这里主要是讨论在VASP中如何得到用来分析成键前后电荷转移的电荷密度差。此时电荷密度差定义为：delta_RHO=RHO_sc-RHO_atom其中RHO_sc为自洽的面电荷密度，而RHO_atom为相应的非自洽的面电荷密度，是由理想的原子周围电荷分布堆彻得到的，即为原子电荷密度的叠加(asuperpositionofatomicchargedensities)。不同晶面的RHO_sc可由自洽计算的CHG或CHG

2、CAR得到；而计算RHO_atom所需的CHG或CHGCAR可由下述非自洽计算得到:仍使用原来自洽计算时的四个输入文件，但INCAR中需要设置ICHARG=12和NELM=0，其他设置不变。需要特别注意的，应保持前后两次计算（自洽和非自洽）中的FFT-mesh一致。因为，只有维数一样，我们才能对两个RHO作相应的矩阵相减。不过，只要按上一段提到的设置方法做就行了，无须特别增加别的设置。数据处理：矩阵相减：使用MatLab或是自已写个小程序。作图：Origin或MatLab。