半导体封装流程ppt课件.ppt

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1、封装工艺流程目的掌握工艺流程要点封装的流程图WaferMount工艺及要点WaferSaw工艺及要点DieAttach工艺及要点WireBonding工艺及要点Molding工艺及要点Test工艺及要点Packing工艺及要点封装：Assembly目的：1.建立晶粒与PCB的电路连接，使得小小的晶粒与外界电路导通。2.包裹晶粒，抵御外部温湿环境变化，减少机械振动摩擦等对晶粒的功能寿命的影响。3.将Die和不同类型的LF包裹起来形成不同的外形的封装体。封装的材料主要有：金属、陶瓷和塑料封装的形式主要有：贴片式和直插式两种决定封装形式的两个关键因素：①封装效率

2、②引脚数封装的定义无尘室【cleanroom】万级房WaferMount晶圆贴膜Molding塑封PMC高温固化DieAttach芯片粘接DieSaw晶圆切割WireBond引线焊接Trim&Form切筋成型Plating电镀LaserMarking激光打标Pickout分选Packing包装入库Test测试封装流程图引线框架【LeadFrame】提供电路连接和Die的固定作用；主要材料为铜，会在上面进行镀银、NiPdAu等材料；L/F的制程有Etch（腐蚀）和Stamp（雕刻）两种；易氧化，存放于氮气柜中，湿度小于40%RH;封装的材料软焊料【SoftS

3、older】定义：主要根据钎料的熔点温度来区分的，一般熔点在450℃一下的焊料叫做软焊料；把熔点在450℃以上的焊料叫做硬焊料。主用焊料：Sn5%Pb92.5%Ag2.5%熔点：287℃—294℃之间物理特性：良好的导热和导电性能；低的导通电阻Rds(on)熔点高；工作温度高；热膨胀系数和高强度焊接强度高耐振动；疲劳寿命时间长耐冷热循环变形的能力强封装的材料晶圆【Wafer】封装的材料封装的材料料盒及框架的展示：塑封料【MoldCompound】主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱模剂，染色剂，阻燃剂等）；主要功能为：在熔融状态下将Die和

4、LeadFrame包裹起来，提供物理和电气保护，防止外界干扰；存放条件：0—5°保存，常温下需回温24小时；封装的材料铝线【AlWire】铝线成分：99.99%Al铝线直径：4—20mil铝线的BLEL参数（即最大崩断力和韧力延展力）型号千住P3F3类型多款供选品牌SENJU助焊剂含量006（%）标准直径0.30.40.50.60.81.01.2（mm）熔点06（℃）重量10000（g）用途焊接材质SNCUAG产地日本惠州北京长度0068工作温度006规格alphanurkse焊接电流6088牌号SENJU是否含助焊剂是封装的材料目的：将切割胶膜贴合在晶

5、元背面,并固定在铁框上。机台：ADT966WaferMount【贴膜】将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落。工艺流程机台：ADT7100DieSaw【晶圆切割】目的：通过SawBlade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的DieAttach等工序；工艺流程工艺流程晶圆切割前/beforewafersaw:TopSideBackSide晶圆切割后/Afterwafersaw:OnediceDieSaw【晶圆切割】WaferWash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer；切割完之后要对晶圆在显微镜下进行Wa

6、fer的外观检查，是否有硅屑和崩边。工艺流程DieSaw【晶圆切割】切割过程中需注意的事项：切割水是用的去离子水，阻抗要求17MΩ以上切割水中需加入二氧化碳气体切割主轴每分钟3万转切割机可以切割5,6,8寸Wafer切割时对气压的要求为4.5—6.5KG/CM2Wafer厚度要求为：220-280um工艺流程DieSaw【晶圆切割】DieAttach【芯片粘接】目的：利用软焊料的粘性将晶粒固定粘于leadframe上,以便于后制程作业。机台：ASMLotus-SD和ASMSD890A工艺流程芯片粘接的作用：把芯片固定在引线框架上；粘接的质量对后续工序有影响

7、；对产品的电性能、热性能和可靠性有重要影响；工艺流程17LFIndexDirectionAnviltracks(workingplatformwithHighTemp.)1.Solderwiremovesdownward&thenupwardtodispensesolderontotheLFpad2.SpankermovesdownwardsandpressontothemoltensoldertomakearectangularsolderpatternHeatedLFWireDispensingSpankingHeaterMoltensolderdot

8、SolderWireMoltensolderpatternDieD