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等离子体刻蚀工艺.doc

等离子体刻蚀工艺.doc

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时间：2020-09-04

等离子体刻蚀工艺.doc_第1页
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1、等离子体刻蚀工艺CF4，O2硅片（发射结扩散后）射频功率激发电离形成等离子体装入铝质片夹，保护好硅片的正反两面离子电子活性基团（Radicals）刻蚀后硅片挥发性反应生成物：CO、SiF4真空泵抽离腔体PSG清洗DGS-B-20型玻璃钢酸雾净化塔1、刻蚀过程：CF4→2F+CF2SiO2+4F→SiF4+2COSiO2+2CF2→SiF4+2CO↑2、反应生成高温的CO和SiF4，与空气接触2CO+O2→2CO2SiF4+H2O→H2SiO3+HF

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