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时间:2020-09-04
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1、等离子体刻蚀工艺CF4,O2硅片(发射结扩散后)射频功率激发电离形成等离子体装入铝质片夹,保护好硅片的正反两面离子电子活性基团(Radicals)刻蚀后硅片挥发性反应生成物:CO、SiF4真空泵抽离腔体PSG清洗DGS-B-20型玻璃钢酸雾净化塔1、刻蚀过程:CF4→2F+CF2SiO2+4F→SiF4+2COSiO2+2CF2→SiF4+2CO↑2、反应生成高温的CO和SiF4,与空气接触2CO+O2→2CO2SiF4+H2O→H2SiO3+HF
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