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时间：2020-09-06
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1、156太阳能电池级单晶硅片项目太阳能级单晶硅片生长方式CZ/MCZ导电类型PN参杂剂硼B磷P晶向<100>电阻率（Ω.cm）0.5-33-6电阻率径向不均匀性≤10%直径（mm）200±1切方规格（mm）156*156少子寿命（цs）≥10氧含量（atoms/cm3）≤1×1018≤8×1017(MCZ)碳含量（atoms/cm3）≤1×1017≤5×1016(MCZ)位错密度（сm–2）≤3000硅片形态切片硅片厚度（цm）150-240厚度公差（цm）±20总厚度偏差（цm）≤70弯曲度（цm）≤50表面质量无孔洞、无裂纹、无氧化花纹及用户其他要求
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