《模拟电子技术基础》试题(9)答案.doc

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1、浙江理工大学《模拟电子技术基础》试题（9）答案一、填空题：（每空一分）1、提高（增加），增加。2、饱和。3、小于，共模干扰抑制能力强。4、60，1000。5、反向击穿。6、将交流电变成单向脉动直流电，单向导电性。7、能够让某一频带范围以内的信号通过而带外的信号被阻止，低频。8、高。9、＞1，φA＋φF＝2nп（n=0,1,2,…）二、解：波形如解下图所示——（5分）三、解：（1）当UI＝0V时由于UBE＝0V，则T截止，Uo＝Uz=5V。——（5分）（2）当uI＝+5V时，电路的临界饱和基极电流而实际基极电流由于IB＞IBS，故T饱和，UC＝UCE

2、S＝0.5V。——（5分）四、解（每步骤4分，共20分）五、解：、Ri和Ro的表达式分别为——（每个结果5分共15分）六、解：由图可知Ri＝50kΩ，uM＝－2uI。——（2.5分）即输出电压=-104——（2.5分）七、解：图中所示的A1组成同相比例运算电路，A2组成加减运算电路；先求解uO1，（5分）再求解uO。（10分）——（10分）八、解：（1）电路为电压串联负反馈——（3分）反馈系数——（4分）（2）估算电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。电路中引入了深度电压串联负反馈故：——（8分）