模拟电子技术基础试题及答案.doc

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1、.一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。(1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；()(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；()(3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；()(4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；()(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；()(6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；()(7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。()【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。(2

2、)√。放大的特征就是功率的放大。(3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。(4)×。．(5)√。设置合适的静态工作点。(6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。(7)×。二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。，【解答1(a)不能。因为输人信号被VBB所影响。(a)教育资料.例1--3为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，

3、必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。自测题分析与解答一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。(1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。()(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。()(3)PN结在无光照、无外加

4、电压时，结电流为零。()(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。()(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。()(6)若耗尽型N沟道MOS管的大于零，则其输入电阻会明显变小。()【解答】(1)√。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。，．(2)×。N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。(3)√。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。(4)×。在外加反向电压的作用下，

5、基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达教育资料.集电区形成漂移电流。(5)√。当、

6、UGsl增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，RGs趋于无穷大。4(6)×。因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。二、选择正确答案填人空内。(1)PN结加正向电压时，空间电荷区将。．A．变窄B．基本不变C．变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在。A．正向导通B．反向截止C．反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A．前者反偏、后者也反偏B．前者正偏、后者反偏

7、C．前者正偏、后者也正偏(4)=0时，能够工作在恒流区的场效应管有。A．结型管8．增强型MOS管C．耗尽型MOS管【解答】(1)A。由于外电场的作用，将多数载流子推向空间电荷区，从而使其变窄。(2)C。稳压二极管在反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，表现良好的稳压特性。(3)B。晶体管工作在放大状态时，发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE．集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Jc。(4)A、C。对于结型场效应管犹Gs一0时，耗尽层很窄，导电沟道很宽，能够工作在恒流区。而对于耗尽型MOS管，由于其Si02中掺人大量正离子，那么当犹Gs—o时，漏一源之间存在导电沟道，

8、因此只要有正向电压作用就存在恒流区。．三、写出图Tl．3所示各路的输出电压值，设二极管导通电压=0.7V。教育资料.图Tl．3【解答】根据二极管正向导通反向截止的原理：≈1.3V=0≈一l.3V≈2V≈1.3V≈-2V四、已知稳压管的稳压值=6V，稳定电流的最小值=5mA。求图Tl．4所示电路N005中和各为多少伏。图Tl．4【解答】图(a)Dz导通，所以为6V；图(b)Dz未导通，所以为5V。教育资料.五、电路如图Tl．5所示，=