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时间:2020-10-31
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1、【第3章习题】3-1.在TTL门电路中,采用了哪些措施加速清除饱和晶体管的存储电荷,以提高工作速度?解:1.T1-T6采用了由双极型三极管和肖特基势垒二极管组成的抗饱和三极管;2.T5的基级采用了有源泄放回路;3.多发射级三极管改为SBD;4.增加了D3、D4,两个SBD,提高了放电速度;【第3章习题】3-2.试说明多发射极晶体管的主要作用。解:多发射极晶体管作为与非门的第一级,其发射结实现对输入信号的与逻辑运算。【第3章习题】3-4.对应图P3-1所示的电路及输入信号波形,画出f1、f2、f3、f4的波形o解:【第3章习题】3-
2、6.试分析图P3-3所示电路的逻辑功能,列出真值表o解:(a)图1.典型电路法或非门【第3章习题】2.真值表穷举法【第3章习题】3-7.ECL门电路的主要特点是什么?解:ECL:发射极耦合逻辑门,是一种非饱和型的高速逻辑电路ECL电路是由一个差分对管和一对射随器组成的优点:①速度快;②输出电阻很低,带负载能力很强;③开关噪声很低;④互补输出,方便使用。缺点:①电流大、功耗大;②抗干扰容限低;③输出电压稳定性差;④与TTL不兼容。注:ECL只有中小规模IC,主要用于高速、超高速的数字系统中,如光设备中。【第3章习题】3-10.分析图
3、P3-4所示电路的逻辑功能o解:图(a)图(b)AY000110111001图(c)1.典型电路法2.真值表穷举法非门3个与非门GS(CD)^(AB)^X【第3章习题】3-11.在CMOS门电路中,有时采用图P3-5所示的方法扩展输入端。试分析图P3-5(a)、(b)所示电路的逻辑功能,写出Y的逻辑表达式。假定VDD=10V,二极管的正向导通电压VD=0.7V。解:图(a)图(b)X=CDE二极管与门与非门二极管或门X=C+D+E或非门将CMOS与非门输入端扩展到5个输入端将CMOS或非门输入端扩展到5个输入端【第3章习题】3-1
4、2.上题中扩展输入端的方法能否用于TTL电路,为什么?解:图(a),C、D、E有一端输入为TTL低电平(0.4V)时,硅二极管正向导通压降0.7V,X处的电平达到0.4+0.7=1.1V。TTL最大输入为0.8V,本来输入为CDE为低电平,而1.1V在逻辑上相当于1了。不能实现二极管与门的“入0出0”。所以不行。图(b),C、D、E均为TTL低电平(0.4V)时,3个硅二极管都截止,但100k的接地电阻会把X端拉高为逻辑1。实现不了或逻辑的功能。都不能完成与的功能?XXTTL:晶体管电路【第3章习题】3-13.试分析图P3-6(a
5、)、(b)所示电路的逻辑功能,写出Y的逻辑表达式。图中的门电路均为CMOS门电路解:图(a)图(b)二极管与门二极管或门【第3章习题】3-15.试说明下列各种电路中哪些输出端可以并联使用:(1)具有推拉式输出端的TTL门电路;(2)TTL电路的OC门。解:(1)不能并联,因为如果一个高,一个低并联,但推拉输出级任何时候都呈现低阻抗,会有超级大的负载电流流过两个输出级,远超过了正常工作电流。(2)因为是由两个3输入端TTL或非门连接一个二极管与门,则输出低电平比正常TTL低电平要高,有可能使得低电平大于VIL(MAX),可能无法正常
6、传递逻辑信号OC门:集电极开路门【第7章习题】7-4.具有16位地址码可同时存取8位数据的RAM集成片,其存储容量为多少o解:64k×8bit。=512kb=64KB【第7章习题】7-5.用6264型RAM构成一个64k×16位存储器,画出结构示意图o单片6264容量=8k*8位所需目标芯片数目n=(目标容量)/(单片6264型RAM的容量)=(64K*16位)/(8K*8位)=16片需要同时进行位扩展(16位)和字扩展(16位);单片6264型RAM的位线有8根,扩展到16位需要每次同时选中两个6264型RAM,因此把16片62
7、64型RAM分为8组,每组两片;单片6264型RAM的地址线有13根要扩展到16根,可将高3位的地址线经3-8译码器输出,用于控制各组的片选,各芯片的低位地址线并联;【第7章习题】3/8译码器来选通这8组【第7章习题】7-6.用PROM实现1位全加器,画出阵列图o解:全加器真值表:全加器阵列图【第9章习题】9-2.图P10-2所示为TTL与非门构成的积分型单稳态电路,若输入vI为宽度20μs的脉冲,画出a、b、d、vo各点的波形。请考虑为使积分型单稳态电路能正常工作,对输入脉冲有什么要求o解:数字器件的输出端不会渐变,输入端可以;
8、要求输入脉冲宽度大于暂稳态持续时间tw宽度书上图10-2-139-4.图10-4所示为CMOS反向器构成的多谐振荡器,试分析其工作原理,画出a、b点及vo的工作波形,求出振荡周期的公式o注意:1、数字器件的输出端不会渐变,输入端可以;2、输入端不能
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