专升本《高电压技术及应用》试卷.doc

专升本《高电压技术及应用》试卷.doc

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1、[试题分类]:专升本《高电压技术及应用》_08129950[题型]:单选[分数]:21.电子撞击中性分子时被其吸附成为负离子的过程是()A.带电粒子的运动B.带电粒子的扩散C.带电粒子的复合D.附着效应答案:D2.由正离子撞击阴极表面引起的电离是()A.碰撞电离B.光电离C.热电离D.表面电离答案:D3.由光辐射引起的电离是()A.碰撞电离B.光电离C.热电离D.表面电离答案:B4.汤逊理论和流注理论都忽略了()现象A.电子的碰撞电离B.离子的碰撞电离C.热电离D.表面电离答案:B5.只有流注理论考虑了()现象A.碰撞电离B.光电离C.热电离D.表

2、面电离答案:B6.流注理论未考虑()现象。A.碰撞电离  B.表面电离  C.光电离  D.空间电荷畸变电场答案:B7.我国00kV直流线路采用()A.双分裂导线B.4分裂导线C.3分裂导线D.单导线答案:B8.电晕放电不会引起()A.无线电干扰B.可听噪声C.电能损耗D.绝缘闪络答案:D9.我国110kV线路采用()A.单导线B.双分裂导线C.3分裂导线D.4分裂导线答案:A10.()在被保护设备与保护间隙的配合中具有重要意义。A.临界波头B.伏秒特性C.放电时延D.饱和特征答案:B11.()不是操作冲击电压作用下的特性。A.击穿电压与波尾无关B

3、.存在临界波头C.放电时延D.具有饱和特征答案:C12.()不是雷电冲击电压作用下的特性。A.击穿电压与波尾无关B.放电时延C.放电分散性D.击穿电压偏高答案:A13.()不是“削弱或抑制电离过程”途径中的措施。A.采用高气压B.采用高真空C.利用细线效应D.采用电负性气体答案:C14.极化时间最长的是()A.电子式极化B.离子式极化C.偶极子极化D.空间电荷极化答案:D15.()不是“改善电场分布”途径中的措施。A.采用屏障B.利用空间电荷C.改进电极形状D.采用SF6气体答案:D16.制作()时,绝缘介质的介电常数较大可以使体积和重量减小。A.

4、电缆B.电容器C.变压器D.断路器答案:B17.制作()时,选取介电常数较大的材料作为绝缘介质。A.电容器B.电缆C.变压器D.断路器答案:A18.绝缘介质的性能明显降低时,其吸收曲线将()A.变平缓B.变陡峭C.没有变化D.不确定答案:A19.绝缘介质良好时,绝缘电阻值()A.较小B.不变C.较大D.不易确定答案:C20.绝缘介质严重受潮时,泄漏电流将()A.不变B.变小C.不易确定D.变大答案:D21.介质损耗角正切值与()有关A.施加电压B.材料尺寸C.电源频率D.材料特性答案:D22.()不是提高液体电介质击穿电压的措施。A.清除杂质B.采

5、用绝缘层C.防污D.采用屏障答案:C23.与气体的汤逊理论相类似的液体电介质击穿理论的是()A.电击穿理论B.气泡击穿理论C.流注理论D.小桥理论答案:A24.()不是提高固体电介质击穿电压的措施。A.清除杂质B.采用绝缘层C.防污D.防有害气体答案:B25.介质损耗角正切值测量时,采用倒相法可以消除()的干扰。A.高于试验电源频率B.与试验电源同频率C.低于试验电源频率D.任何频率答案:B26.用西林电桥测量介质损耗角正切值时,采用反接法()。A.可以试品一端接地B.试品设在高压端C.不适用于现场试验D.操作方便答案:A27.采用正接法测量介质损

6、耗角正切值时的缺点是()。A.试品一端接地B.试品设在高压端C.不适用于现场试验D.操作人员安全答案:C28.局部放电测量回路中要求试品两端对地绝缘的是()A.串联回路B.并联回路C.桥式回路D.倍压整流回路答案:A29.串级试验变压器的(),容量利用率越低。A.单台容量越大B.单台容量越小C.级数越多D.额定电压越高答案:C30.串级试验变压器的容量利用率与()有关。A.单台容量B.额定电压C.额定电流D.级数答案:D31.通常用()作为串级直流高压发生装置的基本单元。A.桥式整流回路B.半波整流回路C.全波整流回路D.倍压整流回路答案:D32.

7、直流高压发生装置通常采用()。A.全波整流回路B.半波整流回路C.倍压整流回路D.桥式整流回路答案:C33.下列试验项目中,属于破坏性试验的是()A.绝缘电阻试验B.直流耐压试验C.局部放电试验D.介质损耗试验答案:B34.单级冲击电压发生器基本回路中两个电阻的关系应是()。A.阻值相等B.波头电阻R1大于波尾电阻R2C.关系不确定4D.波头电阻R1远小于波尾电阻R25答案:B35.为了获得很陡的波头,单级冲击电压发生器基本回路中应使()。A.负荷电容C2和波头电阻R1较大B.主电容C1和波尾电阻R2较小C.负荷电容C2和波头电阻R1较小D.负荷电

8、容C2和波头电阻R1的大小不确定答案:C36.高压试验变压器比普通电力变压器()A.绝缘裕度相同B.绝缘裕度大C.绝缘裕度

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