第1章 PN结二极管ppt课件.ppt

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1、艾滋病毒感染者在满足下列条件时可实施人工喂养:如果替代品喂养是可以接受的,可行的,可以负担的,可持续的,并且安全的PN结二极管电子器件基础湖南大学电子科学与技术专业1艾滋病毒感染者在满足下列条件时可实施人工喂养:如果替代品喂养是可以接受的,可行的,可以负担的,可持续的,并且安全的PN结二极管电子器件基础第1章PN结二极管lPN结是结型半导体器件的心脏;l在制造晶体二极管,晶体三极管和场效应晶体管等结型器件时,其主要工艺就是制造性能良好的PN结;l深入地了解和掌握PN结的基本理论是学习晶体管等结型器件原理的基础。2艾滋病毒感染者在满足下列条件时可实施人工喂养:如

2、果替代品喂养是可以接受的,可行的,可以负担的,可持续的,并且安全的PN结二极管电子器件基础本章内容:1.1PN结杂质浓度分布1.2平衡PN结1.3PN结空间电荷区电场和电位分布1.4PN结势垒电容1.5PN结直流特性1.6PN结小信号交流特性与开关特性1.7PN结击穿特性3艾滋病毒感染者在满足下列条件时可实施人工喂养:如果替代品喂养是可以接受的,可行的,可以负担的,可持续的,并且安全的PN结二极管电子器件基础本章要求:掌握PN结的形成、杂质分布,空间电荷区的能带、电场、电位分布,直流特性的物理机理和数学表达式,电容和小信号交流特性,开关特性和击穿特性;理解泊松

3、方程、连续性方程、电荷控制方程的物理意义和解法。4艾滋病毒感染者在满足下列条件时可实施人工喂养:如果替代品喂养是可以接受的,可行的,可以负担的,可持续的,并且安全的PN结二极管电子器件基础第1节PN结杂质浓度分布PN结的结构在n(p)型半导体上以适当方法(合金、扩散、外延、注入)掺入p(n)型杂质形成pn结_+p(n)PN结二极管符号n(p)5艾滋病毒感染者在满足下列条件时可实施人工喂养:如果替代品喂养是可以接受的,可行的,可以负担的,可持续的,并且安全的PN结二极管电子器件基础合金法形成PN结InIn+GeP-GeN-GeN-GeN-GeN型衬底与P型再结晶

4、层杂质均匀分布,在分界处浓度突变。6艾滋病毒感染者在满足下列条件时可实施人工喂养:如果替代品喂养是可以接受的,可行的,可以负担的,可持续的,并且安全的PN结二极管电子器件基础突变结PN结两边杂质均匀分布,杂质浓度NA(P区)、ND(N区)为常数,在PN结交界处(xj)突变。N(x)=NxxDjNA单边突变结:+xjNA>>NDP—N结0N+xD>>NAN—P结ND衬底材料为低杂质浓度7艾滋病毒感染者在满足下列条件时可实施人工喂养:如果替代品喂养是可以接受的,可行的,可以负担的,可持续的,并且安全的PN结二极管电子器件基础扩散法形

5、成PN结BSiO2P-SiP型杂质N-SiN-SiN-Si根据扩散工艺中杂质源的不同,杂质浓度分布有两种形式:8艾滋病毒感染者在满足下列条件时可实施人工喂养:如果替代品喂养是可以接受的,可行的,可以负担的,可持续的,并且安全的PN结二极管电子器件基础(1)恒定源扩散表面杂质浓度恒定不变,杂质分布为余误差分布:x2Dt22xN(x)N1edNNerfcNSBCSBCo2Dt误差函数erf(x)余误差函数erfc(x)N(x)=0时,得扩散结深:j1NBCx2Dterfc()jNS反余误差函数9艾滋病毒感染者在满

6、足下列条件时可实施人工喂养:如果替代品喂养是可以接受的,可行的,可以负担的,可持续的,并且安全的PN结二极管电子器件基础(2)限定源扩散杂质总量限定,杂质浓度分布为高斯分布:22xxQN(x)Ne4DtNe4DtNSBCBCDtQQ为扩散杂质总量,表面浓度NSDt1/2NN(x)=0时,得扩散结深:x4DtlnsjjNBC10艾滋病毒感染者在满足下列条件时可实施人工喂养:如果替代品喂养是可以接受的,可行的,可以负担的,可持续的,并且安全的PN结二极管电子器件基础缓变结PN结两边杂质分布变化;xj处杂质缓慢变化;N(x)表面浓度N

7、S高;NS衬底材料浓度NBC最低。xj线性缓变结:0xPN结交界处(xj)杂质NBC浓度缓慢变化为线性关系。11艾滋病毒感染者在满足下列条件时可实施人工喂养:如果替代品喂养是可以接受的,可行的,可以负担的,可持续的,并且安全的PN结二极管电子器件基础扩散结杂质浓度梯度杂质浓度在结深x处变化的程度,用α表示:jjdN(x)2NNBCS对余误差分布有:lnjxxjdxxNjBC2xjdN(x)2N对高斯分布有:Se4Dtjxxjdx4Dt如NS小,xj大,则α小,可作线性缓变结近似。j如NS大,xj小,则α大,可作突变结近似。j12艾滋病毒

8、感染者在满足下列条件时可实施人工喂养:

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